FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B^9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响因素。结果表明：当励磁信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压,当励磁信号为矩形电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压。磁感应效应随着励磁电压幅值的增大而增强;随着磁场强度和限流电阻的增大而减弱。磁感应效应变化幅度随着磁场强度和励磁电压幅值的增大而增大;随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势。     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9山非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小。     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响.结果 表明:非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100 Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小.     

铁硅硼非晶薄带的磁感应效应研究

研究了频率、磁场强度对Fe78Si9B13非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响.结果 表明:磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大,当频率低于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小.     

铁硅硼非晶薄带的磁感应效应研究

研究了频率、磁场强度对Fe78Si9B13非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大,当频率低于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

频率和磁场对非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着磁场的增强而增大,当频率低于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

频率和磁场对非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明:非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着磁场的增强而增大,当频率低于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

FeCuNbSiB非晶薄带的模量和线膨胀系数研究

采用单辊法制备了宽4.5mm、厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9晶薄带.并用Q800动态热机械分析仪(DMA)测试了非晶薄带的弹性模量、线形变和线膨胀系数随着测试温度的变化关系.结果表明,非晶薄带的弹性模量随着测试温度的升高而减小;非晶薄带的线形变都随着测试温度的升高而增大;非晶薄带的线膨胀系数在50～150℃温度范围内随着测试温度的升高而增大,在150～300℃温度范围内随着测试温度的升高而减小.     

FeCuNbSiB非晶薄带的模量和线膨胀系数研究

采用单辊法制备了宽4．5mm、厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9晶薄带。并用Q800动态热机械分析仪（DMA）测试了非晶薄带的弹性模量、线形变和线膨胀系数随着测试温度的变化关系。结果表明，非晶薄带的弹性模量随着测试温度的升高而减小；非晶薄带的线形变都随着测试温度的升高而增大；非晶薄带的线膨胀系数在50-150℃温度范围内随着测试温度的升高而增大，在150-300℃温度范围内随着测试温度的升高而减小。     

退火工艺对铁基非晶薄带压应力阻抗效应的影响

采用单辊法制备了宽4.5 mm厚25μm的Fe73.5Cu1Nb3Si3.5B9非晶薄带,且对薄带进行了退火处理和金相分析,并研究了退火工艺对非晶薄带SI效应的影响.结果表明,非晶薄带经300℃退火后开始出现晶化现象;与淬态非晶薄带相比,退火可以增强非晶薄带的SI效应,经300℃×2 h退火后薄带的SI效应最大,当测试频率为50 MHz,测试压应力为3.6 MPa时,淬态非晶薄带的SI效应为5.63%,而经300℃×2 h退火后薄带的SI效应可达7.83%.     

FeNi基非晶薄带的巨磁阻抗效应研究

采用甩带快淬法制备了FeNi基[(Fe50Ni50)77.5Cr0.5Si11B11]软磁非晶薄带,测试与分析了FeNi基合金薄带的微结构、静磁性能和磁阻抗.结果表明:FeNi基合金薄带在快淬态便具有良好的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应,薄带的几何尺寸对其GMI效应有明显影响,尺寸为宽2 mm,长20 mm的薄带具有最佳GMI效应,在5 MHz下,最大纵向GMI比达到25.0%,最大横向GMI比达到19.7%.讨论了最佳几何尺寸样品的磁阻抗比在不同的频率下随外加直流磁场的变化规律.     

气流对电流退火铁钴基薄带GMI效应的影响

在流动气体中,用焦耳热退火方法研究了单辊快淬技术制得的Fe36Co36Nb4Si4.8B19.2非晶薄带经32A/mm2电流退火10 min的巨磁阻抗效应.结果表明:保护气体的流速对材料的巨磁阻抗曲线有明显的影响,当保护气体的流速为1.8 m/s时出现了尖刺巨磁阻抗现象,灵敏度达到了最大值5 538%/(A.m-1).     

FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应

采用磁控溅射方法制备了单层FeCuNbSiB薄膜,利用HP4294A型阻抗分析仪测量了经不同温度退火的3种不同厚度FeCuNbSiB薄膜的纵向驱动巨磁阻抗效应．实验结果表明：不同厚度薄膜样品的最佳退火温度均为300℃;经300℃退火的0．8,1．5和3．0μm厚薄膜样品在40kHz驱动频率下的最大巨磁阻抗比分别为60．112％,262．529％和400．279％,外场灵敏度分别为1．06％,3．85％和3．03％／（A·m^-1）．采用纵向驱动模式可以使单层FeCuNbSiB薄膜在低频下呈现对弱场灵敏响应的巨磁阻抗效应．     

加磁场制备FeCuNbSiB软磁合金薄膜的畴结构和巨磁阻抗效应

本文研究了用射频溅射法制备的Fe73．5CulNb3Si13．5B9薄膜的巨磁阻抗效应,并对其磁畴结构进行了分析．探讨在制备过程中加一纵向或横向稳恒磁场对薄膜各向异性场的影响．在制备过程中加磁场使得材料的软磁性能得到明显改善,矫顽力从400Am^（-1）降为60Am^（-1）,磁阻抗效应有较大提高．加横向磁场制备的Fe73．5CulNb3Si13．5B9薄膜的畴结构,不是严格的沿着样品的长方向,而是略向宽方向倾斜．经300℃退火后的FeCuNbSiB薄膜具有最大的磁阻抗效应,其纵向磁阻抗比为38％,横向磁阻抗比为27％,巨磁阻抗效应的磁场灵敏度分别为47．5％／kAm^（-1）和11．3％／kAm^（-1）．