铁硅硼非晶薄带的磁感应效应研究

研究了频率、磁场强度对Fe78Si9B13非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场强度的增大而减弱;磁感应效应变化幅度随着磁场强度的增大而增大,当频率低于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30kHz时,磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

频率和磁场对非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着磁场的增强而增大,当频率低于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

频率和磁场对非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明:非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随着磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着磁场的增强而增大,当频率低于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而增大,当频率高于30 kHz时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着频率的升高而减小。     

FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响因素.结果 表明:当励磁信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压,当励磁信号为矩形电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压.磁感应效应随着励磁电压幅值的增大而增强;随着磁场强度和限流电阻的增大而减弱.磁感应效应变化幅度随着磁场强度和励磁电压幅值的增大而增大;随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势.     

FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应

研究了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B^9非晶薄带磁感应效应和磁感应效应变化幅度的影响因素。结果表明：当励磁信号为正弦交流电时,线圈感应电压也为同频率的正弦交流电压,当励磁信号为矩形电压时,线圈感应电压则为同频率的尖脉冲电压。磁感应效应随着励磁电压幅值的增大而增强;随着磁场强度和限流电阻的增大而减弱。磁感应效应变化幅度随着磁场强度和励磁电压幅值的增大而增大;随着限流电阻的增大呈现出先增大后减小的趋势。     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响.结果 表明:非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100 Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小.     

限流电阻对FeCuNbSiB非晶薄带磁感应效应的影响

研究限流电阻对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9山非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着限流电阻的增大而减弱;当限流电阻小于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而增大,当限流电阻大于100Ω时,非晶薄带的磁感应效应变化幅度随着限流电阻的增大而减小。     

铁硅硼非晶薄带的磁阻抗效应

研究了频率、磁场强度、线圈匝数、薄带长度以及退火对Fe78Si9B13非晶薄带的磁阻抗效应的影响.结果表明:非晶薄带的阻抗随着频率的升高和线圈匝数的增多而增大,随着磁场强度和薄带长度的增大而减小;非晶薄带的阻抗变化幅度随着频率的升高、磁场强度的增大和线圈匝数的增多而增大,随着薄带长度的增大而减小;退火可以提高非晶薄带的磁阻抗效应.     

振荡剪切模式下磁流变脂法向力特性分析

为了探究磁流变脂的法向力行为,自制了羰基铁粉质量分数分别为30%、50%和70%的3种磁流变脂,采用旋转流变仪测量了磁流变脂在振荡剪切模式下的法向力特性,系统地研究了磁场、时间、应变幅值、频率和温度对法向力的影响.研究结果表明,3种磁流变脂试样的法向力都随着磁场强度增大而增大,当磁场强度为740 kA/m时,各试样法向力最大值分别达到了6.97 N、8.93 N、14.91 N;在不同磁场强度下,时间对磁流变脂法向力值的影响经历轻微减少、恒定不变、缓慢增加3个阶段;在整个频率范围内,不同磁场强度的磁流变脂的法向力值变化微小,基本处于一个稳定值;存在一个应变临界值,使得法向力随着应变幅值在临界值之前以较快的速度增大,进一步增大应变幅值且超过该临界值后其增长速度减小;另外,3种磁流变脂试样的法向力随温度的升高而增大且质量分数为70%的试样其法向力值最大.本文研究为磁流变脂器件的设计、优化和应用奠定了理论基础.     

频率分裂现象下的磁感应信道容量分析

研究磁感应通信系统处于强耦合状态时产生的频率分裂特性.首先,对磁感应通信系统进行建模,分析不同电路参数对频率分裂时路径损耗的波谷位置、波谷个数、波谷幅度等的影响.然后,利用频率分裂现象产生的多通道信道,分析可用带宽及路径损耗.最后,计算信道容量.理论分析和仿真结果表明,磁感应通信系统产生的频率分裂能有效扩大磁感应系统的...