用光谱和EPR谱确定CsMgCl3:Ni2+和CsCdCl3:Ni2+的局域结构

采用半自洽场（semi-SCF）自由Ni^2＋的3d轨道波函数、点电荷-偶极子模型和Ni^2＋-6X-（X=F,Cl,Br,I）络合物的μ-κ-α模型,建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系,利用完全对角化方法,由光谱和电子顺磁共振（EPR）谱,确定了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体在77K温度时的Ni^2＋占位和局域结构参数,统一解释了CsMgCl3：Ni^2＋和CsCdCl3：Ni^2＋晶体的结构、光谱和EPR谱.此外,还讨论了高阶微扰方法、参量拟合方法等问题.所得理论结果与实验值符合得很好.     

CsNiCl3晶体光谱、EPR谱和x散射实验的理论研究

采用半自洽场(semi-SCF)d轨道模型和完全对角化方法，对CsNiCl3晶体的吸收光谱，EPRg因子和零场分裂D和x散射实验作出了新的统一解释，计算结果与实验值符合得很好．在此基础上，进一步对CsNiCl3在低温下顺磁共振g因子随温度的漂移作了半定量的解释．     

用光谱和零场分裂确定晶体K2ZnF4:Ni2+的局部结构参数

采用半自洽场(semi-SCF)d-轨道模型和点电荷-偶极子模型,利用完全对角化方法,由K2ZnF4:Ni2 的d-d跃迁光谱和零场分裂D,确定了晶体K2ZnF4:Ni2 在常温(290 K)和低温(4.2 K)下的局部结构参数,并预测了顺磁g因子的大小.建立了局部结构参数与光谱、零场分裂之间的定量关系,并统一解释了K2ZnF4:Ni2 晶体的光谱和零场分裂的实验值,所得理论结果与实验值符合得很好.     

Cs3ZnCl5:Co2+精细结构、EPR参量和磁化率研究

基于完全对角化方法和Zhao的半自洽场d轨道理论,从Cs3ZnCl5:Co2+的杂质局部结构对其光谱精细结构作了解释,在此基础上进一步计算了电子顺磁共振(EPR)g因子、零场分裂(ZFS)D值和顺磁磁化率,计算结果与实验值符合.     

KMgF_3∶Ni~(2+)晶体局域结构研究

采用赵敏光等的μkα模型，在强场图象中建立了3d^8电子组态的多重态计算公式，利用高阶微挠公式推导出顺磁g因数的计算解析表达式，并在能量矩阵、g因数与掺杂真实晶体结构常数之间建立起关联公式．将此模型应用于KMgF3：Ni^2＋晶体，计算其d—d跃迁光谱和EPR谱并与实验数据对比，发现KMgF3晶体在掺入Ni^2＋后其结构应发生同向延伸变化，畸变量△R=0．004nm，计算结果与实验值符合较好．     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF2:Ni2+晶体中的Ni2+-F-键长与键角,证实了ZnF2:Ni2+晶体的局域结构畸变的存在.研究结果表明:ZnF2:Ni2+晶体与ZnF2基晶的结构参数对比,发现掺杂Ni2+离子的ZnF2晶体分别产生了沿C2轴的伸长畸变和在xy平面的压缩畸变;光谱和EPR参量计算的理论值与实验值非常接近.     

ZnF2:Ni2+晶体局域结构的理论研究

从光谱和EPR数据出发,用完全对角化方法确定了ZnF:Ni 晶体中的23(4 515 键长与键角,证实了 ZnF:Ni晶体的局域结构畸变的存在%研究结果表明,ZnF:Ni晶体与/01( 基晶的结构参数对比,发现掺杂23(4 离子的ZnF:Ni晶体分别产生了沿. 轴的伸长畸变和在,平面的压缩畸变.光谱和,-.参量计算的理论值与实验值非常接近.     

NH_4 Br:Cu~(2+)的EPR参量研究

用晶体场理论研究了3d9离子Cu2+在NH4Br中的EPR参量,采用半自洽波函数模型计算了NH4Br:Cu2+的二阶和三阶近似下的g因子和A因子,计算结果与实验符合;比较了NH4Br:Cu2+和NH4Cl:Cu2+的光谱实验值,发现它们的能级次序不同.     

Cs3ZnCl5：C0^2＋精细结构、EPR参量和磁化率研究

基于完全对角化方法和Zhao的半自洽场d轨道理论，从Cs3ZnCl5：C0^2＋的杂质局部结构对其光谱精细结构作了解释，在此基础上进一步计算了电子顺磁共振（EPR）g因子、零场分裂（ZFS）D值和顺磁磁化率，计算结果与实验值符合．     

用光谱和EPR谱研究稀释掺杂晶体的微观局域结构

近年来,钙钛矿型氟化物AMF3晶体和钙钛矿结构的复合氟化物A2MF4晶体（A表示碱金属离子,M代表碱土金属离子）由于具有铁磁性、光致发光性和压电性等特殊性能,常被用作很好的光电基质材料而引起本领域实验和理论研究人员的极大关注,特别是当这些晶体中掺入过渡金属离子后,它们能被用作激光晶体材料,这些激光材料因其良好的激光特性以及在室温下能够在很宽的范围调谐而受到人们的重视．     

用光谱和EPR谱确定A12O3：Ni^2＋晶体的局部结构参数

采用半自洽场（semi-SCF）d-轨道模型和点电荷模型，通过完全对角化方法，在晶体掺杂过渡金属离子后其空间结构对称性不会被破坏的条件下，由吸收光谱、EPR谱确定了A12O3：Ni^2＋晶体的局部对称结构参数，建立了结构参数与光谱、EPR谱之间的定量关系，统一解释了A12O3：Ni^2＋晶体的吸收光谱、EPR谱．所得理论计算结果与实验值符合得很好．     

Al2O3：Ni^2＋晶体的局域结构研究

应用配位场理论、微扰理论以及叠加模型，建立了零场分裂(Zero-Field Splitting)参量D与Al2O3：Ni^2 晶体局域结构之间的关系式，并通过计算零场分裂参量D值，发现掺Ni^2 离子的Al2O3晶体上、下三棱锥分别产生了沿C3轴的压缩畸变和伸长畸变，零场分裂参量计算结果与实验符合．     

KZnF3:Mn2+晶体光谱和EPR谱热移动的研究

对掺杂晶体，由于杂质离子的大小及其所带电荷与它所替代的基质晶体离子不同，这些杂质离子附近的局部结构和局部性质(如局部热膨胀系数和局部压缩率)就会与基质晶体的数据不一样．研究这些杂质中心的局部结构(或称缺陷结构)和局部性质对认识杂质与基质晶体的相互作用，进而认识材料掺杂     

CsMgCl3:Ni2+晶体的EPR参量研究

采用Zhao[1]等提出的μ-k-α配位场模型和Newman迭加模型及Marcfarlane的微扰环方法,通过拟合平均共价系数(N),统一地解释了强场下CsMgCl3:Ni2 晶体的顺磁g因子及零场分裂D值.g∥、g⊥和D值的计算结果分别为2.231、2.275和2.706,与实验值2.24、2.27和2.70非常吻合.     

掺有Cr~(3+)的LaAlO_3晶体的吸收光谱和电子顺磁共振谱的解释

采用赵敏光提出的双ξd轨道模型,利用完全对角化的方法统一地解释了掺有Cr3+离子杂质的LaAlO3晶体的吸收光谱和电子顺磁共振谱,所得结果与实验符合得很好.还根据实验值拟合得到畸变了的键角为54.86°.研究表明高阶微扰公式是一种近似的方法,微扰公式本身并无法确定被略去的项是否能很快地收敛,因而是不太可靠的,不适用于研究结构畸变,而应采用完全对角化方法.