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1.
用面间力学数模型计算了(0001)方向纤锌矿结构GaN与AlN的纵向振动特性,并利用该模型对(0001)方向生长的六角结构的GaN/AlN超晶格的纵向声子态进行了研究,着重讨论了超晶格子声子的限制效应。 相似文献
2.
用平均键能方法,研究了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN/GaN应变层异质结的价带偏移.着重尝试了能带中含浅d态的情况下,用平均键能方法计算异质结的△Ev值.由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果,为检验平均键能方法计算的可靠性,又采用能同时计入各种影响△Ev因素的较严格的超原胞(AlN)n(GaN)n(001),(n=1.3,5)界面自洽计算方法,验证超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和价带偏移△Ev的计算结果. 相似文献
3.
采用有效质量理论6带模型,研究了电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的价带子能带结构.具体计算了价带子能级的色散曲线,分析了电场和应变效应对子能带的影响.还计算了不同电场和不同阱宽的空穴子能级. 相似文献
4.
1 引言以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其 1 .9- 6.2eV连续可变的直接带隙 ,优异的物理、化学稳定性 ,高饱和电子漂移速度 ,高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料。目前用于GaN外延生长的主要方法有 :金属有机化学汽相淀积 (MOCVD) ,分子束外延 (MBE)和氢化物汽相外延 (HVPE)等。其中MOCVD是使用最广泛和实用的外延生长方法 ,具有很强的工业应用背景。HVPE技术… 相似文献
5.
TiN/AlN纳米混合膜的微结构及力学性能 总被引:6,自引:3,他引:3
通过双靶轮流反应溅射的工艺方法制备了TiN/AlN纳米混合膜.采用XRD衍射、TEM和显微硬度等测试方法对TiN/AlN纳米混合膜的微结构和力学性能进行了研究.结果表明,TiN/AlN纳米混合膜的晶粒大小为10~20nm;薄膜总体表现出硬度增强效果,在TiN∶AlN(体积比)≈1∶1时,薄膜硬度获得极大值HK32.25GPa. 相似文献
6.
对GaN样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析,其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积(MOCVD)法和分子束外延(MBE)法生长的,观测到了纤锌矿结构GaN的允许模式A1(LO)模和E2(高)模,同时也观测到了一些禁戒模式,结果表明:受激喇曼散射是研究GaN结构的一种有效手段。 相似文献
7.
用反应磁控溅射方法制备了TiAlN薄膜,结构分析表明,当Ti的含量小于0.25时,TiAlN薄膜是Al基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ti原子含量的增加而增大.X射线光电子能谱分析表明,TiAlN薄膜有与AlN和TiN不同的电子结构特征. 相似文献
8.
TiAlN保护膜的制备及结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用反应磁控溅射方法制备了TiAlN薄膜,结构分析表明,当Ti的含量小于0.25时,TiAlN薄膜是Al基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ti原子含量的增加而增大,X射线光电子能谱分析表明,TiAlN薄膜有与AlN和TiN不同的电子结构特征。 相似文献
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10.
对向靶反应溅射制备AlN薄膜的结构及物性 总被引:1,自引:0,他引:1
用对向靶反应溅射制备的AlN薄膜,高气压为取向,低气压下为取向,精确测量XRD衍射峰位可看出AlN薄膜有较大应力。对硬度的测量发现AlN薄膜硬度较大,取向对硬度没有影响。 相似文献
11.
用两亚点阵MFT分析了R2Fe17-xMx合金的饱和磁化强度与温度的关系。得到了分子场系数nRR、nRF和nFF,计算出了居里温度,给出了分子场HR(T)、HFe(T)与温度的关系曲线。计算结果表明,在R2Fe17中用Al、Ga替代部分Fe离子后,分子场系数nFF明显增大,除Pr2Fe17的HR(T)外,分子场强度在很大温度范围内显著增加 相似文献
12.
简谐势阱中的理想玻色气体 总被引:3,自引:3,他引:3
应用统计物理方法对谐振势作用下的理想玻色气体进行理论计算,导出系统发生玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)时的一些物理量,发现产生凝聚的情况与外势场的形式紧密相关.由理论计算求得的临界温度TC和基态的粒子占据率N0/N与实验结果符合较好.这些研究有助于对这种新物态性质的了解. 相似文献
13.
Ga对β基Co-Ni-Al铁磁性形状记忆合金马氏体和磁性转变的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
借助光学金相、示差热分析、振动样品磁强计和x-射线能谱分析等分析方法,研究Ga含量对Co41Ni32-Al27-xGax合金马氏体相变和Curie点的影响。研究结果表明:合金马氏体相变温度与Ga含量成正比,在1573和1623K淬火时,X增加1,马氏体相变温度提高25K,但Ga含量对Curie点影响不大;在1573K淬火时,具有高有序度的马氏体相比B2结构相的Curie点高32K,说明结构有序度对Curie点影响较大;淬火温度升高会显著提高合金的马氏体相变温度和Curie点,当淬火温度从1573K升高到1623K时,马氏体相变温度升高43~69K,Curie点平均升高41K;随着Ga含量的增加,合金的熔点降低,在1623K淬火时Co41Ni32Al18Ga9合金发生部分熔化。 相似文献
14.
用穆斯堡尔效应研究了Y2Fe17化合物中,用Ga取代部分Fe之后,材料的性质变化规律.实验结果表明,在Y2(Fe1-xGax)17中,其结构随x的增加发生从Th2Ni17相到Th2Zn17相的转变;晶格常数随x的增加而增加;居里温度,超精细场都在Th2Ni17,Th2Zn17混和相附近有极大值;Ga原子优先取代12k(18h)晶位Fe原子. 相似文献
15.
利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用MOCVD方法生长的(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)、(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Mg)和(AlxGa1-x)yIn1-yP(掺Si)3个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论.另外还在室温下对(AlxGa1-x)yIn1-yP(本征)表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得到膜厚与时间的线性关系曲线 相似文献
16.
韩来平 《河北师范大学学报(自然科学版)》1997,21(2):156-159
用分子场理分析分析了稀土化合物R2Fe17-xMx和R2Fe17N3(R=Ce,Pr,Nd:M=Al;x=0,2)的温度磁化曲线,计算出分子场 数nRR,nRF,nFF。由分子场系数,计算了Fe-Fe、R-R、R-Fe的相互作用对Tc的贡献TFF、TRR、TRF。 相似文献
17.
CHEN Nuofu ZHANG Fuqiang YANG Junling LIU Zhikai YANG Shaoyan CHAI Chunlin WANG Zhanguo HU Wenrui & LIN Lanying . Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing China . National Microgravity Laboratory Chinese Academy of Sciences Institute of Mechanics Beijing China Correspondence should be addressed to Chen Nuofu 《科学通报(英文版)》2003,48(6):516-518
Magnetic semiconductors can combine the semi- conducting properties with magnetic properties, and be used in these applications, such as magnetic field sensors, magnetic memory elements and, in long range, quantum computation and communication.Ⅱ-Ⅵ based diluted magnetic semiconductors (DMSs) have been extensively studied[1—3], because some magnetic ions are easily incor-porated into Ⅱ-Ⅵ compounds by substituting group Ⅱ atoms. It was conventionally considered that the equilib-rium solubi… 相似文献
18.
分别采用电弧熔炼和机械合金化法制备Nd60 Fe30-xZrxAl10(x=5,10,15,20)晶态和纳米非晶态合金,并利用X射线衍射仪、振动样品磁强计等对制备的晶态合金和纳米非晶态合金的结构及其磁性能进行分析,研究Fe和Zr相对含量的变化对合金相的组成及磁性能的影响.结果表明:Nd60 Fe30-xZrxAl10(x=5,10,15,20)合金晶态及纳米非晶态合金均显示软磁性;对于晶态样品,随着Zr含量的增加,样品的磁化强度逐步降低;对于纳米非晶态合金,随着Zr含量的增加,合金的饱和磁化强度降低;相同成分的纳米非晶态合金的饱和磁化强度高于相应的晶态合金的饱和磁化强度.Nd60Fe20Zr10Al10混合粉末球磨100 h后达到了完全非晶化,说明Nd60 Fe20Zr10Al10有较好的非晶形成能力. 相似文献
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在氩气保护下,采用悬浮熔炼法制备La0.7Mg0.3Ni3.4(Al0.3Co0.7)x(x=0,0.2,0.4,0.6)储氢合金,用X射线衍射仪测试相组成,并用MDI Jade 5.0软件分析相组成和晶胞参数,用开口三电极法测试电极电化学性能。结果表明,合金相主要由LaNi5、LaMg2Ni9、La2Ni7和LaNi2.28相组成,随着合金中Al和Co含量的增加,合金放氢平台压下降,最大吸氢量为1.43%(x=0),合金电极最大放电容量Cmax为381mA.h.g-1(x=0),合金电极100个充放循环后的容量保持率S100从53.0%(x=0)增加到57.1%(x=0.3),循环稳定性增强。当x=0.1时,合金电极的电化学动力学性能较好。 相似文献
20.
理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流。对A│xGa1-xAs/GaAs/AlyGa1-yAs结构作了数值计算,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认。对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰,且接近阱内LO声子的能量。发现界面光学(IO)声子辅助隧穿是主要的。理论结果能正确解释实验。 相似文献