镁铝尖晶石的铝铬渣与用后镁碳砖低温合成

用铝铬渣和转炉用后镁碳砖细粉为主要原料,通过固相烧结反应合成MgAl2O4材料.用X射线衍射、扫描电镜及X'Pert plus软件对材料中主晶相进行表征.结果表明:当烧成温度为1 400℃,镁碳砖与铝铬渣摩尔比为5∶1时,生成的镁铝尖晶石晶粒发育完整清晰,排列致密,外貌呈典型的八面体形貌.镁铝尖晶石质量百分数达到92％.     

镁铝尖晶石原料的性能及生产

镁铝尖品名作为一种无铬材料近年来发展迅速．倾倒法电填能生产出质量好的尖晶石原料．尖晶石的化学组成对制品的抗渣侵蚀性和抗法渗透性有较大影响．根据使用条件正确选用不同化学组成的尖晶石原料大有必要．     

低温合成镁铝尖晶石的研究

采用铝厂污泥和碱式碳酸镁为主原料合成镁铝尖晶石,探讨了低温阶段(从800~1500℃)镁铝尖晶石的形成过程,采用XRD和SEM表征不同温度样品的晶相及微观形貌.结果表明:800℃时即可观察到镁铝尖晶石的特征峰,但谱峰不完整,强度不高,且明显宽化,表明晶体尚处于成核期,含量较少;至1400℃镁铝尖晶石谱峰已完整尖锐,继续升高温度,衍射峰强度增加,表明晶相含量增加.SEM观察结果与XRD分析一致,1500℃镁铝尖晶石晶粒发育完整清晰,外形呈典型的八面体形貌,晶粒排列致密.     

镁铝尖晶石本征色心的计算机模拟

利用计算机模拟技术和经验参数化方法,通过对镁铝尖晶石(MgAl2O4)晶体结构、晶格形成能及本征缺陷形成能的计算,论证了镁空位VMg^2-、氧空位Vo^2 和少量的AlMg^ 是MgAl2O4中的本征点缺陷．并指出其会以[VMg^2--Vo^2 ]空位对和[VMg^2--2lMg^ ]的形式实现电荷补偿．     

材料组成对镁铝尖晶石化行为的影响

以菱镁石、轻烧氧化镁和工业氧化铝细粉为原料,采用半干压法成型,在不同温度下煅烧处理,研究材料组成对镁铝尖晶石化行为的影响。结果表明,富铝尖晶石的尖晶石化反应滞后于富镁尖晶石,两类尖晶石化反应完成温度相差约100℃;富铝尖晶石的尖晶石化反应分两步进行,即在形成理论尖晶石的基础上再固溶氧化铝,最终形成富铝尖晶石;富铝尖晶石烧结程度较富镁尖晶石的低,形成较小的晶粒和气孔。     

浓可可悬浮体的流变特性

采用Ｂｒａｂｅｎｄｅｒ Ｒｈｅｏｔｒｏｎ流变仪及带槽测量系统，测量了不同体积分数的浓哥可悬浮体（Ⅰ）在６０℃下的流变特性。实验发现，Ⅰ呈明显的非牛顿性，剪应力与剪切率从ＨＨｅｒｓｃｈｅｌ－Ｂｕｌｋｅｙ方程。Ⅰ的屈服应力采用外推法及多叶片法测量求出，并使用适当的模型以表示同不体积分数下悬浮体的屈服应力，此计算值在合理范围与测量值相符。对高浓度Ⅰ的弹性贮能模量的测量表明，物系具有弹性。物系触变性则用流     

利用煅烧镁铝尖晶石制造方镁石-尖晶石砖的研究

作者完成了利用煅烧镁铝尖晶石制造方镁石-尖晶石砖的工艺条件的实验室研究和工业试制。结果表明,采用天然原料(高铝矾土和菱镁矿)煅烧合成的镁铝尖晶石料和制砖镁砂,控制合理的工艺参数,可以制得抗热震性优良、高温性能良好的方镁石-尖晶石砖。文章中提出的合成镁铝尖晶石的配料公式简单、实用,适用于不同品位原料合成镁铝尖晶石的配料计算。     

电熔合成镁铝尖晶石及其应用研究

作者利用浮选菱镁矿和工业氧化铝电熔合成了镁铝尖晶石;利用电熔尖晶石和高纯镁砂制成了高耐火性能的方镁石-尖晶石砖,利用电熔尖晶石、电熔镁砂和鳞片石墨制成了抗氧化性明显优于镁炭砖的尖晶石炭砖。     

烧结法合成镁铝尖晶石熟料工艺条件的研究

作者对用二步煅烧法准备致密镁铝尖晶石熟料的工艺条件进行了研究。结果表明,控制合理的工艺参数,可制得体积密度大于3.3克/cm~3,显气孔率小于5%的镁铝尖晶石熟料。     

利用镁铝尖晶石改善镁质滑板材料性能研究

本文着重探讨了煅烧镁铝尖晶石的品位、富含氧化镁数量、煅烧温度及其加入量对镁质滑板材料性能的影响,比较了镁铝尖晶石的加入形式与材料性能的关系。研究表明:在一定条件下,以煅烧镁铝尖晶石作为镁质滑板材料,达到了提高其抗热震性的目的;当采用中颗粒镁铝尖晶石代替煅烧镁铝尖晶石时,材料性能可与日本同类产品相比较。     

四组复合絮凝剂对长江水体中悬浮微粒絮凝性能的研究

探讨了ＰＡＭ－ＦＣｌ３，ＰＡＭ－ＰＡＣ，ＰＡＭ－明矾，ＰＡＭ－淀粉四组复合絮凝剂对长江水体中悬浮微粒的絮凝作用。其中以ＰＡＭ－ＰＡＣ效果最佳从水解聚合机理上加以了论证，同时，对ＰＡＭ的合成方法进行了改进，使残余单体的含量达到国际标准。     

草珊瑚细胞悬浮培养之研究

报道了草珊瑚（Ｓａｒｃａｎｄｒａｇｌａｂｒａ）细胞悬浮培养的某些特性。细胞悬浮培养的摇床转速对草珊瑚细胞生长至关重要、培养物在１００ｒ／ｍｉｎ速度下振荡培养几乎难以存活，最佳的摇床转速为４０ｒ／ｍｉｎ（２３．５ｈ／ｄ＋８０ｒ／ｍｉｎ（０．５ｈ／ｄ），其生长可增加５倍左右。细胞悬浮培养的接种量以２．０ｇＦＷ／瓶合适，其培养物的月产率１３．２２ｇＦＷ／瓶（或１８．７３ｇＤＷ／１）。细胞生长的时间进程是，接种０－５ｄ，细胞增殖十分缓慢，１０－２０ｄ迅速生长，２０ｄ后基本停止生长。培养基的ｐＨ迅速下降时是细胞增殖缓慢的时期，当培养基ｐＨ值开始升高时，细胞增殖也显著加快。黄酮苷类物质的合成在０－２０ｄ迅速增加，２０ｄ左右达到高峰。     

HB—2C重油助燃剂在尖晶石烧成中的应用

本文报导了HB一2C型重油助燃剂的性能、使用方法和节油效果。当用于回转窑生产尖晶石时,添加量为重油的0.1％,平均节油率10％,烧成带窑温提高约100℃。     

南平九峰山悬索桥自振特性分析

本文对南平九峰山柔性悬索桥提出了动力计算模型，并用自编的ＤＡＳＦ程序计算出在纵向平面内的前九个固有振动频率，借以对结构体系的动力响应以及体系的空气动力稳定性等问题的解决提供了基本数据。     

添加剂对方镁石——尖晶石砖性能影响

以电熔氧化镁、电熔镁铝尖晶石为主要原料 ,分别加入TiO2 、Al2 O3、Fe2 O3、CaO添加剂予以改性 ,通过高温烧结制成方镁石—尖晶石试样 ,研究其物理性能。结果表明 :添加一定量的TiO2 对方镁石—尖晶石的物理性能有大幅度的改善 ;随着Al2 O3、Fe2 O3、CaO加入量的增加试样的常温抗压强度及体积密度有所提高 ;XRD分析证明试样基质主晶相为MgO ,次晶相为尖晶石 ;SEM分析可看到基质与颗粒间反应层较薄 ,结合不紧密 ,硅酸盐相表面有少量脱溶相     

纳米SiC水悬浮液稳定性的研究

本文选用SiC纳米粉料,分别以聚乙二醇（PEG）和两种分子量不同的聚甲基丙烯酸铵（PMAA-NH4）作分散剂来制备稳定分散的2vo1%纳米SiC水悬浮液。通过沉降实验和粘度测量,研究SiC纳米颗粒水悬浮液的分散特征及最佳分散条件。     

光子晶体的发展及制备研究

介绍了光子晶体的产生、发展历程和制备方法等,实验研究了采用MOCVD技术制备的InP反蛋白石结构三维光子晶体,获得了较好的填充率和结晶质量.为制备三维全带隙InP光子晶体提供了科学依据.     

光电负阻晶体管PNEGIT的研制

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流下分别达到了０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性。