分子轨道近似在八面体共价晶体中3d过渡金属离子轨道角动量和旋—轨耦合中的

用分子轨道近似推导了3d过渡金属离子在八面体晶体中轨道角动量和旋－轨耦合矩阵，同时得到了这些矩阵元与3d离子在纯晶体场近似下的矩阵之间的关系。通过以上矩阵元和关系可以很容易地计算3d离子在八面体晶体中的旋－轨、自旋－自旋和塞曼作用矩阵。     

Nd:YIG中旋轨耦合对磁矩和磁光效应的影响

应用量子理论计算了Nd:YIG中Nd3 离子基态旋轨耦合对离子磁矩、磁光效应以及磁光系数的影响. 计算结果表明, 这种影响很大, 而且磁矩、磁光效应以及磁光系数与相对旋轨耦合系数α的关系是非线性的.     

分子轨道似在四面体共价晶体中3d过渡金属离子轨道角动量和旋—轨耦合中的应用

用分子轨道近似推导了3d过渡金属离子在四面体晶体中轨道角动量和旋-轨耦合矩阵,同时得到了这些矩阵元与3d离子在纯晶体场近似下的矩阵之间的关系。通过以上矩阵元和关系可以很容易地计算3d离子在四面体晶体中的旋-轨、自旋-自旋和塞曼作用矩阵。这些旋-轨、自旋、自旋和塞曼作用矩阵对研究3d离子在四面体共价晶体中（尤其是半导体中）的超精细光谱、塞曼和交换分裂、电子顺磁共振参数、磁化强度、磁比热、磁化率等都是有用的。另外,还讨论了八面体和四面体对称下的配体轨道,以及3d离子和配体间的重迭积分。     

Nd:YIG中旋轨耦合对磁光效应的影响

应用量子理论计算了Nd:YIG中Nd3+离子基态旋轨耦合对离子磁光效应及磁光系数的影响.计算结果表明,这种影响很大,且磁光效应及磁光系数与相对旋轨耦合系数α成非线性关系.     

LS耦合下原子g因子大于2的条件及产生的某些物理效应

ＬＳ耦合下,原子ｇ＞２的条件为：Ｌ≠０,Ｊ＝Ｓ－Ｋ,Ｓ＞Ｌ（Ｌ＋１）＋Ｋ（Ｋ－１）２Ｋ．讨论原子处于ｇ＞２状态对顺磁共振实验及顺磁磁化率等的影响     

三角对称下的d~5离子旋-轨耦合晶场分裂

本文在弱场图象中利用不可约张量算符法,在考虑旋-轨耦合作用后,计算出 d~5离子在 C_(?)对称晶场中的哈密顿矩阵.     

ZnSe:Co2+中四面体络离子(CoSe4)6-的g因子

用双自旋-轨道耦合参数模型和半经验的分子轨道法研究了四面体Td对称晶场中络离子(CoSe4)^6-的EPRg因子。结果较从前的计算更接近实验数据，并表明配体Se对Co^2 的g因子有不可忽略的贡献。     

在Cs2CdX4(X=F,Cl):Cr3+四角晶位中配体对零场分裂和g因子的影响

用双自旋 轨道耦合模型和半经验的分子轨道法研究了Cr3 在Cs2 CdX4 (X =F ,Cl)四角晶位中的EPR零场分裂和 g 因子 .结果表明 ,不应忽略配体Cl对Cr3 的零场分裂和 g因子的贡献 .     

ZnX:Co2+(X=S,Se,Te)中配体对g因子贡献规律的研究

采用双自旋-轨道耦合参数模型和半经验的分子轨道法研究了Co^2 离子在Ⅱ-Ⅵ半磁半导体ZnX(x=S，Se，Te)中的EPRg因子．结果表明，配体Se和Te对Co^2 的g因子有不可忽略的贡献，并且，配体S、Se和Te对相同中心金属Co^2 的络离子的EPRg因子的贡献随配体的原子序数变大而依次增加．     

四面体四角晶位中络离子CoX_4~(2-)(X=Cl,Br)g因子的研究

用双自旋 轨道耦合参数模型研究了四面体四角晶位中络离子CoX2 -4 (X =Cl,Br)的g因子 .研究表明 ,配体Br对Co2 离子g因子的影响不能忽略 .     

ZnSiF_6·6．6H_2O·V~（2＋）的零场分裂D和三角畸变的研究

本文利用高阶微扰公式研究了三角晶场中３ｄ３离子零场分裂Ｄ与晶体畸变的关系，井由此判定晶体ＺｎＳｉＦ６·６Ｈ２Ｏ：Ｖ２＋的局域结构应为伸长的三角畸变：在此基础上，进一步研究了零场分裂Ｄ和顺磁ｇ因子与静水压的联系。     

ZnO:V3+及CdS:V3+的零场分裂和g因子的研究

考虑到３ｄ＾ｎ离子ｄｅ轨道和ｔ２轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变，及由于中心离子ｄ电子与配体ｐ电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用，对ＥＰＲ参量Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥（＝ｇ∥＝ｇｓ），Δｇ⊥（＝ｇ⊥－ｔｓ）的贡献，用一种基于离子簇方法的模型，计算了ＺｎＯ：Ｖ＾３＋及ＣｄＳ：Ｖ＾３＋晶体的零场分裂Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥，Δｇ⊥，结果与实验值吻合较好。     

八配体CdF_2和CaF_2中掺杂Co￣(2+)的电子光谱和g因子研究

在晶体场理论基础上，考虑到掺杂离子引起晶休局域结构畸变和利用Ｃｏ￣（２＋）离子的３ｄ轨道函数，研究了八配位立方晶体ＣｄＦ２和ＣａＦ２中掺杂Ｃｏ￣（２＋）离子的ｄ－ｄ电子光谱和ＥＰＲ＿ｇ因子．研究表明，局域结构畸变对ｇ因子的影响不应忽略。     

ZnO∶V~(3 )及CdS∶V~(3 )的零场分裂和g因子的研究

考虑到３ｄｎ离子ｄ电子ｅ轨道和ｔ２轨道的径向部分在晶体中以不同的方式畸变，及由于中心离子ｄ电子与配体ｐ电子相互混合而引起的配体旋轨耦合作用，对ＥＰＲ参量Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥（＝ｇ∥－ｇｓ），Δｇ⊥（＝ｇ⊥－ｔｓ）的贡献，用一种基于离子簇方法的模型，计算了ＺｎＯ∶Ｖ３＋及ＣｄＳ∶Ｖ３＋晶体的零场分裂Ｄ因子和ｇ位移Δｇ∥，Δｇ⊥，结果与实验值吻合较好