Penning阱中离子谱的优化

根据Penning阱存储离子的探测原理，系统分析了阱内离子信号及信号本身的噪声、实验仪器及探测电路的噪声干扰，采用适当的品质因数、电子束流和载波振幅,得到较高信噪比和分辨率的离子谱。为深入开展Hn+(n≥3)离子的形成机制、离子与中性气体原子或分子碰撞过程等问题的研究创造了更好的条件。     

Penning阱中离子谱的优化

根据Penning阱存储离子的探测原理,系统分析了阱内离子信号及信号本身的噪声、实验仪器及探测电路的噪声干扰,采用适当的品质因数、电子束流和载波振幅,得到较高信噪比和分辨率的离子谱.为深入开展Hn+(n≥3)离子的形成机制、离子与中性气体原子或分子碰撞过程等问题的研究创造了更好的条件.     

Penning离子阱中H+,H2+/H,H2反应的研究

用Penning离子阱经碰撞反应H ,H 2/H,H2产生稳定的H n(n=3,4,5,6).高分辨离子谱中除了H ,H 2,H 3和H 5之外,还探测到H 4,H 6.根据Wright和Borkman预言n=4,6的偶数氢团簇离子与对应的n=5,7的奇数离子具有可比较的结合能,由该实验结果可以推断,n=4,6与n=5,7的离子在反应动力学方面具有相近的性质,都能够经碰撞合成反应获得.还分析了H 4,H 6的生成机制.     

Penning阱中品质因数的提高

在Penning阱中提高品质因数对得到较高探测灵敏度和分辨率的离子谱有重要意义,本文对提高品质因数的可行性进行了分析,找到了提高品质因数的方案．     

Penning阱中探测灵敏度与品质因数关系的定量分析

根据Penning阱探测离子的原理,对探测灵敏度与品质因数的定量关系进行了分析,得出了离子谱探测灵敏度与品质因数的平方成正比关系.     

Penning阱中离子运动及存储条件的研究

根据在实验中所采用的Penning离子阱结构及电磁场分布特点,列出阱内离子运动方程并进行求解,对其中各种运动进行详细分析,本文还分析了离子的存储条件.最后对所作的研究进行总结,得到如下结论：阱中离子的运动为简谐振动、回旋运动和漂移运动的叠加,这3种运动是稳定的.     

射频阱中离子运动规律的分析

在考虑空间电荷效应后对射频阱的势函数进行了修正，并通过解Ｍａｔｈｉｅｕ方程得到了离子在射频阱中的运动规律。     

利用离子阱制备与测量量子态

介绍了利用离子阱制备与测量量子态,实现量子计算机系统的基本工作原理,讨论离子阱量子计算机的优缺点,及面临的挑战.     

用彭宁离子捕集器产生并贮存H4^＋

通过反应Ｈ２＾＋＋Ｈ２→Ｈ４＾＋制备并存贮Ｈ４＾＋,存贮时间长达０．１ｓ量级,长于以前观测到的μｓ量级的稳定时间,处于基态的Ｈ２＾＋,Ｈ２有进行上述反应,强磁场可能有助于该反应。     

MEVVA源引出离子束流分布均匀性的初步研究

通过采用加会切磁场、增大离子源阴极与阳极距离并限制源等离子体发射角，从而使源阳极电位高于等离子体电位和采用改变源阳极结构──仅用阳极筒──从而改变弧放电路径这３种方法，对改善ＭＥＶＶＡ源引出离子束流密度分布的均匀性进行了初步的研究。第３种方法从根本上改变了ＭＥＶＶＡ源引出束分布的高斯分布特性，在合适的条件下可能得到更为均匀的束流密度分布。     

强流加速器束晕控制中填充因子对束粒子密度的影响

运用PIC多粒子模拟程序，采用延迟反馈控制法，研究了离子束在运行过程中粒子分布情况．通过分析比较，得到了对束晕进行有效控制后的粒子分布规律，为强流加速器的应用提供了有用的参考．     

低能氩离子刻蚀在高深度分辨率杂质分布测定中的应用

300eV的低能氩离子刻蚀与SIMS技术相结合,研究了高深度分辨率杂质深度分布测定的可能性。采用石英晶体的频率变化与微量天平称重的方法对~(48)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率进行了校准。实验表明,离子刻蚀去层度的精度可以达12左右;经过~40)Ar~+离子注入的Si试样的刻蚀速率与未经~(40)Ar~+注入的Si试样有明显的差别。测定了300keV的~(40)Ar~+离子注入Si中的深度分布,测量结果与理论计算进行了对比。     

氟掺杂氧化锡薄膜电活性缺陷密度的太赫兹谱探测

从理论上分析了电场应力前后氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜的能带结构和传导机理,提取了应力前后FTO薄膜的太赫兹电导率.采用Drude模型对应力前的FTO薄膜太赫兹(THz)电导进行了仿真;采用了Hopping模型对应力后的THz电导进行了仿真,实验与仿真结果一致.结果表明,应力后FTO的电导率提高了3个数量级,源于电场作用...