数字式高频Q表设计

设计一款数字式高频Q表,基于AD9958产生可调高频信号,经BUF634扩流后进行分压阻抗变换,加入到LC谐振回路,由24位高精度模数转换器ADS1256采集输入输出的真有效值输入到STM32F4中,计算及显示回路电感、谐振频率及Q值等参数.测试结果表明,较传统机械Q表,数字式高频Q表具有测量精度高、操作简单等优点.     

Penning阱中离子谱的优化

根据Penning阱存储离子的探测原理,系统分析了阱内离子信号及信号本身的噪声、实验仪器及探测电路的噪声干扰,采用适当的品质因数、电子束流和载波振幅,得到较高信噪比和分辨率的离子谱.为深入开展Hn+(n≥3)离子的形成机制、离子与中性气体原子或分子碰撞过程等问题的研究创造了更好的条件.     

Penning阱中离子谱的优化

根据Penning阱存储离子的探测原理，系统分析了阱内离子信号及信号本身的噪声、实验仪器及探测电路的噪声干扰，采用适当的品质因数、电子束流和载波振幅,得到较高信噪比和分辨率的离子谱。为深入开展Hn+(n≥3)离子的形成机制、离子与中性气体原子或分子碰撞过程等问题的研究创造了更好的条件。     

试论LC并联谐振回路的品质因数Q

从品质因数的定义推导出两种形式不同的LC并联谐振回路的Q值表达式,并证明二者的统一性。     

并联LC回路近似计算研究

本文先介绍LC回路谐振频率的不同计算方法,然后进一步分析各种方法的正确性及其适用条件。     

含双负介质一维光子晶体的量子阱结构研究

采用传输矩阵法研究一维光子晶体(AB)m(ACABACA)n(BA)m的透射谱,结果发现:无论C层为双正介质还是含双负介质,在归一化频率1.0ω/ω0处均构成对称分布的光子晶体量子阱结构,并在光量子阱透射谱的相应频率位置出现对称分布的共振透射峰,呈现明显的量子化效应.当C层为双正介质时,透射峰数目等于n+1且位置可调;当C层为双负介质时,出现数目与n的奇偶性相关的透射峰.     

Penning阱中品质因数的提高

在Penning阱中提高品质因数对得到较高探测灵敏度和分辨率的离子谱有重要意义,本文对提高品质因数的可行性进行了分析,找到了提高品质因数的方案．     

谐振式开关电源的开发研究

目前,利用LC并联或串联的谐振回路组成的谐振式开关电源发展非常迅速,该开关电源产生的震荡波为衰减或等幅的正弦波,在减少输出波纹方面表现较大优势.本文对谐振式开关电源进行探讨,以期为谐振式开关电源的开发研究提供参考.     

关于低Q值并联谐振回路的讨论

讨论了低Q值并联谐振回路的特性 ,并给出了阻抗 |Z|和幅角 取极大值的频率点     

最小交叉熵在谐振隔离式轨道电路中应用

最小交叉熵谱估计是现代谱估计法中的一种,其分辨率要比经典谱估计高。谐振隔离式频率编码轨道电路,其信号特点是频率间隔比较小,所以要求其频谱的分辨率高,同时实时性要好.本文研究了用最小交叉熵谱估计对UM2000轨道电路信号进行频谱分析.     

用彭宁离子捕集器产生并贮存H4^＋

通过反应Ｈ２＾＋＋Ｈ２→Ｈ４＾＋制备并存贮Ｈ４＾＋,存贮时间长达０．１ｓ量级,长于以前观测到的μｓ量级的稳定时间,处于基态的Ｈ２＾＋,Ｈ２有进行上述反应,强磁场可能有助于该反应。     

离子注入材料改性用强流金属离子源

为满足离子注入材料改性研究和实际应用的需要。研制了一个金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源.这是一新型离子源种,它利用阴极和阳极间的真空弧放电原理由阴极表面直接产生高密度金属等离子体,经一多孔三电极系统引出得到强流金属离子束.该源脉冲工作方式,已引出Al,Ti,Fe,Cu,Mo和W等离子,脉冲离子束流强度为0.6～1.26A,Ti的平均束流强度已达10mA.引出束流大小与源的工作参数、引出结构和电压以及阴极材料有关。该源没有气体负载,工作真空度为3×10~(-4)Pa。     

离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高

研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Ｓｉ中掺杂激活的新方法，ＭｅＶ高能Ｓｉ注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对Ｐ激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平。     

强流离子束中单离子运动规律的模拟研究

运用多粒子模拟程序（PIC）,对初始分布为K-V分布的离子束中的单离子在束晕控制前后进行模拟跟踪,结果发现,单个离子的运动虽然复杂,但大体可以分成两种类型.其中一类与束晕的形成关系密切.采用非线性反馈控制法,可以将这类离子的运动限制在核区内,因而使束晕得到有效控制.     

50型MEVVA源离子注入机

详细介绍了50型强束流、大束斑MEVVA源注入机的结构和各项性能.50型MEVVA源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的"八六三"计划项目"先进离子束注入技术的工业应用"所取得的成果,是专用于工业生产的MEVVA源离子注入机.     

一台400keV离子注入机的光路设计

本文给出了一台400keV离子注入机的物理设计总体方案。根据设计指标,详细计算了该机主要部件的参数。经调试,各项指标达到设计要求。     

多功能宽离子束形成的研究

本文讨论了多功能宽离子束形成的物理过程,给出了均匀束、会聚束及球状发散束的设计原则和方法,并列举了实例和测试方法.其中球状发散束则为首次提出的.这些宽离子束均已应用于离子束直接淀积、离子束溅射淀积及离子束辅助镀膜技术等薄膜工艺,效果良好.     

离子色谱分析高浓度基体离子的影响及其消除

本文综述离子色谱分析试样中存在高浓度基体离子对其它微量组分测定的影响及消除方法。     

轴向场宽束离子源研究

我们研制了用于薄膜工艺的宽束离子源.该源能提供20～3000cV,束流强度最大达100mA 的宽离子束,可根据不同工艺要求,产生均匀束、会聚束及球状发散束等不同束形,并按不同的引出束能量,采用三栅、双栅或单栅引出系统.其最大气耗量为1.2Pa·m~3/s,放电室工作气压1.33×10~(-2)Pa(10~(-4)Torr 量级),可用 N_2、O_2、Ar 及 CH_4等工质工作.它已在离子束溅射镀膜、离子束直接淀积成膜及离子束辅助镀膜工艺得到了应用.证明其性能良好,稳定可靠.本文论述源的工作原理、结构、工作特性及多功能引出系统,并讨论了放电稳定性及薄膜工艺对离子源的要求.