PEMSIP法Ti2N和TiN两相涂层工艺研究

介绍了等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ涂层的工艺，组织结构和性能，研究了氮分压和靶功率对涂层相组成和性能的影响，讨论了Ｔｉ２Ｎ对涂层硬度的影响，实验结果表明，由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成的涂层硬度高，显著提高刀具耐用度。     

等离子体增强磁控溅射离子镀TiN膜的电镜研究

利用透射电镜研究了铁基体等离子体增强磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜的组织和结构。在沉积ＴｉＮ之前先镀一层极薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究结果表明：在基体和中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处α－Ｔｉ与Ｔｉ２Ｎ有结构匹配关系；靠近中间层的后继膜由Ｔｉ２Ｎ和ＴｉＮ两相组成；而远离中间层的后继膜部分是ＴｉＮ组成的。     

反应磁控溅射离子镀TiN膜的工艺参数

为改进反应磁控溅射离子镀氮化钛膜工艺,提高溅射速率和改善薄膜质量,本实俭测得了靶极电压与氮气流量;靶极电流与氮气流量;溅射室内气体压强与氮气流量;氮化钛膜的颜色与氮分压;靶极功率与氩气分压强的关系,以及薄膜层中氮含量、钛含量沿薄膜表面的分布。探讨了影响镀膜的主要工艺参数。     

TiN涂层金属学特性对高速钢刀具耐用度的影响

分别运用扫描电镜、透射电镜和Ｘ射线射仪研究了空心阴极法制备的ＴｉＮ涂层的组织结构，微观形貌，内应力和相组成及其对ＴｉＮ涂层高速钢刀具耐用度的影响。     

空心阴极放电离子镀法沉积氮化钛涂层

论述了空心阴极放电离子镀的工作原理，ＫＹＦ－６００型离子镀膜机的特点，各工艺参数的选择与控制以及ＴｉＮ涂层齿轮切削性能的试验与结果分析。试验表明，经镀覆ＴｉＮ的高速钢齿轮刀具可提高寿命１至４倍，经济效益显著。     

沉积电压对辅助加热PCVD—TiN涂层的影响

研究了不同的沉积电压对辅助加热式ＰＣＶＤ－ＴｉＮ涂层的影响。实验证明,提高沉积电压可以细化ＴｉＮ涂层的柱状晶结构,增加ＴｉＮ涂层的显微硬度和沉积速率。在试验范围内,涂层内残存的氯含量基本不受沉积电压的影响。     

PEMSIP法刀具TiN涂层技术

ＰＥＭＳＩＰ法刀具ＴｉＮ涂层技术等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ）ＴｉＮ涂层技术是在磁控溅射离子镀（简称ＭＳＩＰ，中国发明专利，１９８８年国家发明二等奖）基础上研究出来的一种新型ＰＶＤ刀具涂层技术。在ＭＳＩＰ设备中引进电子发射源和活化源，使其...     

基板负偏压对铜基体磁控溅射离子镀铝膜相组成的影响

本文主要论述基板员偏压与铜基体磁控溅射离子镀铝膜的关系。磁控溅射离子镀 铝膜不是简单的单质外接铝膜，而是铜和铝组成的合金膜。膜的相组成主要是由基板 负偏压所决定的。在一定的实验条件下，每一种铜－铝合金相的出现都有一临界负偏压 与之对应．     

双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术

因其设备简单,沉积速率高等特点,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中,但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物,氮化物膜时,为了得到化学配比的膜层,9 反应激活基因,离子等的密度必须足够大,为此对原有的微波－ECR等离一源进行了改造,研究了双放电腔微波ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性,并用该方法制备了氮化碳膜,结果表明,该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术,用该方法制备的氮化碳膜,化学成分接近化学配比。     

磁控溅射与电弧离子镀制备TiN薄膜的比较

分别采用磁控溅射和电弧离子镀在抛光后的W18Cr4V高速钢基体表面沉积TiN膜层,利用纳米力学系统、扫描电子显饭镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜进行测试,比较了两种方法所制备的薄膜的异同.结果表明:磁控溅射所制备的薄膜表面平整,但沉积速率和硬度均低于电弧离子镀制备的薄膜.     

Broadband antireflection coatings deposited by magnetron sputtering

Conclusions  

辅助离子束对孪生磁场中频反应溅射等离子体特性的影响

在自行研制的离子束辅助孪生磁场中频反应溅射设备中制备光学氧化钛薄膜,利用郎缪尔静电探针研究等离子特性变化,同时测定基片表面的伏安(Ⅰ-Ⅴ)特性.结果表明,随离子束功率密度不断提高,等离子体电子密度不断增加,悬浮负电位绝对值减小,溅射阴极电压下降;基片表面经历从富电子向富阳离子转变,基片正电位不断提高;辅助离子束为109...     

高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究

采用直流非平衡磁控溅射射频等离子体增强电高法在Si衬底上沉积了Cu膜,用扫描电镜（SEM）研究了沉积Cu膜的表面形貌并测得薄膜的厚度,用X射线衍射（XRD）研究了沉积Cu膜的结构,用电子能谱等对Cu膜进行了成分分析．实验结果表明,在该条件下沉积的Cu膜致密,晶粒尺度在100～1000nm,膜基界面比较紧密,没有明显的空洞,并且Cu膜呈（111）织构．通过实验,找到沉积Cu膜的最佳实验参数,并希望这一工艺能应用在集成电路中．     

衬底对直流磁控溅射制备TiO2薄膜结构和形貌的影响

在气压为1Pa和2Pa的情况下,文章采用直流磁控溅射法分别在Si(100)、Al2O3陶瓷、普通载玻片3种衬底上生长TiO2薄膜;利用原子力显微镜对TiO2薄膜的表面形貌进行观察,研究了压强及衬底对薄膜表面形貌的影响。并研究表明,在Si(100)衬底上生长的TiO2薄膜,气压为2Pa时比1Pa时表面粗糙度要大;在相同溅射气压下,Si(100)衬底上得到的TiO2薄膜质量明显优于Al2O3陶瓷和普通载玻片衬底上的。     

负偏压对反应磁控溅射AlN薄膜的影响

利用反应磁控溅射制备AlN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明:用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,负偏压对AlN择优取向产生一定的影响,随着偏压的增大,薄膜表面晶粒尺寸有长大趋势.根据透射谱测试和包络线计算结果可知,薄膜在可见光和红外区域透射率高,随着偏压的增大,薄膜的折射率也随之增大.     

偏压对电弧镀TiN薄膜结构和机械性能的影响

采用SA-6T电弧离子镀设备在抛光后的W18Cr4V高速钢表面沉积TiN薄膜,在其他参数不变的情况下,考察偏压对薄膜结构和机械性能的影响.通过扫描电镜观察了TiN薄膜的表面形貌,采用X射线衍射仪对结构进行物相分析,利用XP-2台阶仪测试了薄膜的厚度,并用纳米压痕仪和多功能表面测试仪分别对薄膜的硬度和膜基结合力进行测量.结果表明：随着负偏压的增加,具有面心立方结构的TiN薄膜沿（111）密排面的择优生长明显加强;薄膜厚度（沉积速率）呈现先增大后减小的趋势,在负偏压为100V时达到最大;薄膜综合力学性能在负偏压为200V时达到最佳.