二次离子质谱进展

指出了二次离子质谱技术在材料表面分析方面有着广泛的应用,随着探测方法的改进,此技术也得到了迅速发展.在北京大学2×1.7MV串列静电加速器实验室,利用加速器飞行时间二次离子质谱装置对碳基材料进行了分析,通过实验观察到碳纳米管材料对氢具有很强的吸附能力,证实了理论上对此材料储氢能力的预言.     

复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析

讨论了用ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ－４ｆ型二次离子质谱仪对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ复杂多层结构定量深度分析的方法。采用ＣｓＭ＋技术，完成了无外部参考物质ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ基体成分定量分析，提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度校准方法，详细讨论了复杂基体中对杂质进行定量分析时二次离子类型的选择，还尝试了在缺乏足够参考物质时杂质含量的实验估算。实现了二次离子质谱（ＳＩＭＳ）对复杂多层结构的定量分析，同时得到了主成分和杂质的定量深度分布，并保持了ＳＩＭＳ的优良深度分辨本领。     

重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析

重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的，因无法用常规的红外光谱法测试，于是转而使用二次离子质谱法来测试，虽然二次离子发射机理复杂，基体效应明显，但通过相对灵敏度因子法，还是能够比较精确地给出定量测试结果，解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题，进而为控制硼含量提供了依据和帮助。     

Al掺杂4H-SiC第一性原理计算及二次离子质谱分析

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,使用CASTEP软件建立了4H-SiC重掺杂模型,对通过激光辐照固态Al膜制备的p型重掺杂4H-SiC薄膜的晶体结构和电子结构进行了计算分析,研究获得不同浓度Al掺杂4H-SiC的能带结构和态密度.结果表明,随着Al原子掺杂浓度的增大,辐照样品禁带宽度随之减小,费米能级进入价带,体现出p型半导体的特征.结合二次离子质谱测试分析,得到Al掺杂浓度随辐照层深度的变化规律,Al掺杂浓度在30 nm范围内较为均匀,约为1×10^20cm^-3.证明KrF准分子激光可以实现4H-SiC之Al原子重掺杂,随着深度的增加,激光能量密度逐渐降低,4H-SiC内Al原子掺杂浓度相应降低.验证了激光辐照Al膜掺杂所制备4H-SiC样品的p型半导体特征,得到了Al掺杂浓度随激光辐照深度的变化规律.     

多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

用背散射／沟道、溅射剥层／背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜。由2MeV^4He^ 离子背散射／沟道分析，确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性；用低能Ar^ 离子溅射剥层，减薄样品外延层厚度后，再做背散射分析，可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息；二次离子质谱分析清晰地显示出溅射剥层前后样品的交替层周期性结构。     

新化合物异二聚细辛醚的质谱学研究

应用质谱数据，探讨新化合物异二聚细辛醚的质谱裂解规律，对其质谱特征离子进行研究，为该新化合物提供质谱学基础。     

第一届全国二次离子质谱学(SIMS)会议在清华大学召开

SIMS会议于1993年5月31日到6月5日在北京清华大学举行。会议由中国真空学会、中国科学院表面物理实验室、电子工业部第46研究所、中国空间技术研究院兰州物理研究所、复旦大学和清华大学联合发起和主办,由清华大学、中科院表面物理实验室和电子部46所承办。 SIMS是近20余年来迅速发展起来的一门新兴交叉学科。我国二次离子质谱学的研究只有十几年,现已取得了显著的进展。会议目的是为了推动我国SIMS的进一步发展。会议内容包括:基础研究;仪器进展,包括四级、磁偏转和飞行时间SIMS,激光SIMS,聚焦离子束,溅射中性粒子质谱(SNMS)及相…     

桥链中含氮,硫杂原子二酰胺的质谱研究

对四类桥链中含氮、硫原子的二酰胺的质谱进行了研究，揭示了经们的破裂规律；指各类之间质谱的异同；推论了一些特征离子的结构和可能的形成机理。     

加速器质谱学研究工作进展

本文描述中国原子科学研究院加速器质谱学近来的研究工作进展，建立测定长寿命核素＾１０Ｂｅ，＾２６Ａｌ，＾３６Ｃｌ，＾７９Ｓｅ和＾１２９Ｉ的实验方法及其应用研究。     

“2011年第31届中国质谱学会年会”征文

中国物理学会质谱分会将于2011年8月6—10日在西安召开2011年第31届中国质谱学会年会。征文范围:无机质谱学领域前沿质谱新方法、新技术及其应用的最新进展;有机质谱学领域     

离子阱时间串联质谱测定食品中的氯霉素

本文采用离子阱时间串联质谱法测定食品中氯霉素残留.样品经混合溶剂提取,C18小柱结合硅胶柱净化后,用双三甲基硅基三氟乙酰胺(BSTFA)衍生后,用GC/MS/MS测定.本法准确、稳定,检测灵敏度可达0.1 μg/kg.     

碳簇分子和离子的合成及质谱研究

利用脉冲等离子体反应器,采用Ｃ２Ｈ２／Ａｒ,ＣＨ４／Ａｒ,Ｃ６Ｈ６／Ａｒ放电合成碳簇分子和离子。采用ＴＯＦ－飞行时间质谱和激光电离技术来研究和分析产物分布。讨论了在不同实验条件下,中性碳簇分子和离子的分布民情况,并对反应过程和机理进行了讨论从反应机理来看,在相似的等离子条件下,采用不同的气体,如Ｃ２Ｈ２／Ａｒ,ＣＨ４／Ａｒ,Ｃ６Ｈ６／Ａｒ等所得到碳簇分布非常相似。另外,当增加等离子体反应器通道长度