基于晶圆键合工艺的光刻掩膜版排版方法

晶圆–晶圆键合技术突破了传统晶圆平面工艺, 但键合晶圆的光刻对准图形及其他辅助图形有特殊的位置摆放和形貌绘制要求, 而传统方法进行光刻掩膜版排版费时费力且极易出错。针对该技术挑战, 提出一种与传统排版方式不同的整体翻转式排版方法: 在面对面晶圆–晶圆(两片)产品排版中, 通过“替换–翻转”过程, 可以快速有效地一次性解决辅助图形单元形貌和位置的对应翻转, 大幅度减少键合产品排版的工作量, 降低错误率, 有效地缩短产品导入时间周期。     

浅析用图像识别的方法检测集成电路的键合点

于大规模的集成电路其制造工艺中,键合点以及键合区的检验为保障可靠性的一个非常重要的环节,由于各个键合点的好坏,能够直接影响至整体的集成电路的可靠性,因此,在实际的生产工艺中,必须对键合点以及键合区的尺寸、形状以及位置等实施检测,以此保障整个芯片电其连接更可靠.     

汽车系统分析的键合图法

文中介绍了键合图方法的基本原理及国内外发展状况 ,指出它是对工程系统进行动态分析的一种新方法 ,这种方法特别适合于研究多种能量范畴耦合的复合系统 文中将其应用于汽车系统分析 ,着重以汽车二自由度振动系统为例 ,叙述了利用键合图来建立各种不同模型 (比如系统方块图、状态方程以及传递函数等等 )的方法     

键合图法非线性系统动态仿真

线性系统动态仿真的键合图法已经较完善地建立起来。但是对非线性系统应用键合图法进行动态仿真尚有许多工作要做,这不仅由于其系统状态方程的建立比较复杂,而且其解法也比较复杂。本文在考虑到混合因果关系的情况下,推出了非线性多流口系统状态方程的统一表达式,并采用有限差分同Broyden的拟牛顿法相结合来求解。最后,给出具体实例对所述方法加以验证。     

基于Matlab/Simulink的键合图仿真

提出基于Matlab的Simulink仿真工具箱的键合图仿真方法，此法可以省去状态方程的推导，还可以利用Matlab的强大仿真及二次开发功能。介绍了将键合图模型转化为方块图的步骤和方法，以及如何选择和自定义Simulink模块，实现与方块图的一一对应。最后结合实例做了说明，验证了该方法的可行性。     

埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进

运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电压降及键合静电力的影响,得出由于埋氧层的分压作用,耗尽层的压降减小,键合静电力减弱,导致键合失败.通过设计高压直流和高压脉冲两种输出方式的电源系统,提高氧负离子的迁移速率从而提高键合速度.从平板式阳极引一根探针电极到SOI器件层表面,使键合电压直接加在耗尽层上,避免埋氧层厚度对键合的影响,提高键合静电力.实验表明,通过改进的键合设备能实现不同氧化层厚度的SOI片与玻璃间的键合,该设备还适用于其他异质材料间的阳极键合.     

键合图法线性系统动态仿真

本文较详细地阐述了线性系统动态仿真的键合图法,给出了线性系统状态方程的统一表达式,利用该方法,对于具体问题按照键合图理论输入系统的结构参数及结型矩阵,就可以由计算机自动地以格式化的方式生成系统的状态方程并求解。同以前类似的方法相比较,本文所给出的系统状态方程的统一表达式,考虑了独立贮能场,非独立贮能场能的能量变量和共能量变量间关系存在耦合时的更一般情况,对前人的工作做了一些补充。     

Si/Si低温键合界面的XPS研究

利用金属过渡层的方法实现了Si/Si低温键合.拉力测试表明,温度越高,键合强度越大.采用X射线光电子能谱对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,退火样品的界面主要为Au-Si共晶合金;Si-Au含量比随着退火温度的升高和刻蚀深度的增加而增大.     

基于键合图的多个设计方案的研究

本文根据键合图理论,通过键合图的扩展的三种方法开辟了一系列的设计方案,探讨概念设计的键合图方法。键合图方法既为计算机辅助概念设计提供工具,也为创新设计提供思路。     

回转键合图法机械系统动态仿真

本文较详细地介绍了机械系统动态仿真的回转键合图法,推导出了机械系统状态方程的统一表达式。应用本文方法所编制的软件,可在计算机上自动地对系统进行动态仿真。最后给出实例来验证本文所述方法的实用性及通用性。     

回转键合图法非线性系统动态仿真

本文较详细地给出了非线性系统动态仿真的回转键合图法，推导出了非线性多通口系统状态方程的统一公式，特别适用于混合因果关系并存的多通口非线性系统，为在计算机上自动建模奠定了必要的基础。     

键合图法多通口系统动态仿真

本文较详细地给出了多通口系统动态仿真的键合图法。在考虑到独立贮能场与非独立贮能场并存的情况下，给出了便于计算机自动生成及求解的系统状态方程的统一表达式，该表达式是一阶常微分方程组。本文采用变步长Ｒｕｎｇｅ－Ｋｕｔｔａ方法求解。最后给出具体算例来验证本文所述方法的实用性及通用性。     

汽车系统分析的键合图法

文中介绍了键合图方法的基本原理及国内外发展状况,指出它是对工程系统进行动态分析的一种新方法,这种新方法特别适合于研究多种能量范畴耦合的复合系统。文中将其用于汽车系统分析,着重以汽车二自由度振动系统为例,叙述了利用键合图来建立各种不同模型（比如系统方块图、状态方程以及传递函数等等）的方法。     

基于UV光照射在硅片表面活化的阳极键合工艺研究

为了减少阳极键合试验时Si片和Pyrex玻璃片的键合困难,提高硅片表面活性和键合质量,在阳极键合的表面预处理工艺中引进UV光对硅片的活化并对其工艺参数和效果进行评估。基于阳极键合实验的基本流程,采用对比实验,探究UV光对硅片的照射与否,以及对硅片照射的时间长短对硅片表面的影响,并利用大恒图像系列数字摄像机、单轴拉伸测试仪分别对UV光照射前后硅片的活化效果和键合强度进行了测试与表征。结果表明经过该UV光源适当4 min时间照射的硅片,其表面的亲水键合活化能得到很大提高,可以显著地改善键合片的表面状况。验证了该工艺在阳极键合的预处理方法上的可行性和有效性。     

ZnO陶瓷键合Cu电极技术的研究

研究了Ｃｕ－ＺｎＯ陶瓷键合技术，并探讨了其作为电极用在线性ＺｎＯ陶瓷电阻器上对器件性能的影响，运用扫描电镜对Ｃｕ－ＺｎＯ陶瓷的键合结构进行了分析，测量了键合Ｃｕ电极后的接触电阻及器件耐电流冲击的稳定性，并与镀Ｃｕ、喷Ａｌ及烧Ａｇ电极进行了分析对比。同时，研究了键合Ｃｕ电极的工艺对ＺｎＯ陶瓷本体电阻产生的影响。     

机械系统完全动力学问题的键合图法

介绍了机械系统完全动力学问题的键合图法,推导出系统状态方程的统一公式。为克服微分因果关系给系统状态方程建立所来的代数困难,将约束反力视做未知势源加在系统键合图相应的０－结处,最后,通过实例来说明本文方法的有效性及通用性。     

用于三维封装的多层芯片键合对准技术

采用离心力使硅片直角边与模具凹槽直角边贴紧对准的思想,提出了一种用于三维系统封装的多芯片对准技术.基于该技术原理制作了对准装置,并实现了多芯片一次性对准键合(6层芯片).具体过程包括:加工带方形凹槽的模具;将芯片切割为形状一致的方形,并保证边缘整齐;将芯片置入凹槽并旋转模具,对准后停止旋转并夹紧固定堆叠芯片;将固定后的芯片转移至键合腔内实现键合,试验测试键合后对准误差为4μm.具体分析了影响多层芯片对准精度的因素,并提出了优化方案,论证了离心对准技术的可行性.     

ABPT键合硅胶的合成与表征

介绍1-(4-偶氮苯基)-3-丙基-三氮烯键合硅胶(ABPT-SG)的合成方法,并利用红外吸收光谱法、元素分析法、差热分析法、紫外-可见光谱法对其结构进行了表征.结果表明产物与设计思路基本吻合,ABPT在硅胶表面上的浓度为57.65μ mol/g.