肌红蛋白-壳聚糖-金胶纳米复合薄膜修饰电极的电化学性质

在pH=5.4的HAc-NaAc缓冲溶液中, 肌红蛋白-壳聚糖-金胶薄膜修饰电极在-0.20 V(vs. Ag/AgCl) 处有一对准可逆的氧化还原峰, 为Mb血红素辅基Fe(Ⅲ)/Fe（Ⅱ）电对的特征峰. 在壳聚糖 金胶纳米复合薄膜的微环境中， 肌红蛋白与玻碳电极之间的电子传递明显加快. 考察了扫速、 溶液pH值及支持电解质浓度等因素对肌红蛋白电子传递的影响. 紫 外光谱结果表明， 肌红蛋白在壳聚糖 金胶溶液中依然保持其原始构象， 该肌红蛋白-壳聚糖-金胶纳米复合薄膜修饰电极还可用于溶解氧的催化还原.     

氧化石墨/PDADMAC多层膜的制备及其电化学性能

采用静电力层层自组装技术在不同的基底上(玻璃,ITO导电玻璃)制备了多层氧化石墨(GO)/聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)复合超薄膜,并对其进行了还原处理。采用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及Raman光谱仪对膜的结构进行了表征,研究了复合膜的电化学性质。结果发现,在一定浓度的PDADMAC和GO溶液中,交替沉浸较短的时间即可获得厚度均一、表面平整的复合超薄膜;对比不同电极的循环伏安曲线(CV)发现,超薄膜修饰工作电极较空白电极具有较强的电荷传递能力。     

[(NaSb9W21O18-86)/PAH]无机-有机复合薄膜修饰电极的制备及其电化学研究

首次用多金属氧酸盐阴离子[NaSb9W21O86]18-(Sb9W21)做修饰剂,通过电化学技术结合层接层自组装方法制得了[(NaSb9W21O18-86)/ PAH](PAH:聚烯丙基胺盐酸盐)复合薄膜修饰玻碳电极(GCE),并研究了该电极在酸性水溶液中的电化学行为.结果表明:该修饰电极充分保持了Sb9W21的电化学活性;对亚硝酸根和溴酸根的还原具有良好的电催化效果.     

[(NaSb_9W_(21)O_(86)~(18-))/PAH]无机-有机复合薄膜修饰电极的制备及其电化学研究

首次用多金属氧酸盐阴离子[NaSb9W21O86]18-(Sb9W21)做修饰剂,通过电化学技术结合层接层自组装方法制得了[(NaSb9W21O8168-)/PAH](PAH:聚烯丙基胺盐酸盐)复合薄膜修饰玻碳电极(GCE),并研究了该电极在酸性水溶液中的电化学行为.结果表明:该修饰电极充分保持了Sb9W21的电化学活性;对亚硝酸根和溴酸根的还原具有良好的电催化效果.     

基于金纳米棒/多壁碳纳米管-壳聚糖复合膜电极的肌红蛋白直接电化学和电催化研究

采用金纳米棒(AuNRs)/多壁碳纳米管-壳聚糖(MWCNTs-Chit)复合膜促进肌红蛋白在电极上的直接电子转移,并用于构建H2O2生物传感器.首先将金纳米棒固定到玻碳电极表面,然后把MWCNTs-Chit分散溶液和肌红蛋白(Mb)固载到玻碳电极上,得到MWCNTs-Chit/Mb/AuNRs复合膜电极.通过循环伏安法对膜电极进行表征,在pH=7.0磷酸缓冲溶液中,Mb表现出一对峰形良好且可逆的氧化还原峰,其中氧化峰和还原峰电位分别为-0.291 V、-0.235 V,式电位(Eθ’)为-0.263 V.与此同时还探讨了修饰电极的电催化活性,结果表明其对H2O2具有良好的电催化还原作用,可作为检测H2O2的生物传感器.传感器对H2O2的米氏常数为0.0494 mM,线性范围为5.0×10-5～5.0×10-3M(R=0.986 7,n=10),检测限为3.2×10-6M(信噪比为3).     

超氧化物歧化酶模型化合物在金电极上的分子自组装

采用3-巯基丙酸在金电极上自组装得到自组装单分子层(SAM),再利用DCC作酰胺键偶合剂,将超氧化物歧化酶(SOD)模型化合物Fe(IDB)Cl3(简称Fe-MSOD,IDB为N,N-二(2′-苯并咪唑甲基)亚胺)共价键合到自组装在金电极表面的3-巯基丙酸单分子层上,构筑了一种超氧化物歧化酶模型化合物分子组装体系膜修饰电极(Fe-MSOD/3-MPA/Au).采用电化学循环伏安法、交流阻抗法对该修饰电极进行了表征.初步探讨了此修饰电极的电化学氧化还原性质.     

肌红蛋白在水/有机混合溶液中的电化学和电催化特性

用海藻酸钠（Sodium Alginate，SA）将肌红蛋白（Mb）固定在热裂解石墨电极表面，制备了Mb．SA膜修饰电极．包埋在SA膜中的Mb在磷酸盐缓冲溶液（PBS）和乙醇混合溶液中与电极直接传递电子，得到一对对称的Mb辅基血红素Fe（Ⅲ）／Fe（Ⅱ）电对的氧化还原峰，式电势为-0．339V（vs SCE）．式电势随PBSpH值增加而负移且成线性关系，直线斜率为-47．0mV／pH，说明肌红蛋白的电子传递过程伴随有质子的转移．并研究了Mb-SA膜修饰电极在PBS和乙醇混合溶液中催化还原H2O2和催化六氯乙烷脱氯，该修饰电极可用于H2O2和六氯乙烷的定量检测．     

甲基纤维素膜固载肌红蛋白的电化学和电催化

用甲基纤维素(MC)将肌红蛋白(Mb)固载于热裂解石墨电极表面，制备了Mb-MC膜修饰电极．修饰膜中的Mb与电极直接传递电子，在磷酸盐缓冲溶液(PBS)中循环伏安扫描可得到一对可逆的Mb辅基血红素Fe(Ⅲ)／Fe(Ⅱ)电对氧化还原峰，式电势为-0．298V(vs SCE)．式电势随PBS的pH值增加而负移且成线性关系，说明Mb的电子传递过程伴随有质子的转移，最后探讨了该修饰电极对O2，H2O2和NO的电催化性质。     

嵌压式碳糊薄膜电极的制备及其电化学性质

本文首次报道了以镍-铬合金钢为基体电极,在其表面嵌压碳糊薄膜制作电极,并研究了其电化学性质.嵌压式碳糊薄膜(ECPF)电极具有良好的电化学活性,对K4[Fe(CN)6有较好的电化学响应,氧化还原峰电流随其浓度而线性变化,且减小了表面吸附现象,用作银离子传感器,获得满意结果.     

细胞色素c在Eastman AQ聚离子薄膜电极上的直接电化学

将聚磺酸酯Eastman AQ38(AQ)与细胞色素c (Cyt c)的混合水分散系涂布于热解石墨电极表面,晾干后可形成Cyt c-AQ薄膜.在pH 7.6的缓冲溶液中,Cyt c-AQ薄膜电极表现出良好的直接电化学行为,电化学活性中心为血红素Fe(Ⅲ)/血红素Fe(Ⅱ)氧化还原对. Cyt c-AQ薄膜在-0.05V(vs SCE)处的一对可逆的循环伏安还原氧化峰随浸泡时间的延长而逐渐降低,而在-0.40V的另一对峰逐渐增高,表明Cyt c在AQ薄膜中很可能经历了由其原始构象向另一种新构象的转变,后者在AQ薄膜中十分稳定.对其伏安行为进行了较详尽的研究,并估计了体系的电化学参数,如表观异相电子传递速率常数ks和式量电位E°′等. Cyt c-AQ薄膜电极可催化还原溶液中的氧.     

二进制伪随机序列码分析及图案发生器电路设计

作者主要分析讨论了伪随机序列码的随机特性，介绍了２Ｍｂ／ｓ，８Ｍｂ／ｓ，３４Ｍｂ／ｓ数字传输系统误码测试仪中图案发生器的设计方法，同时还介绍了电路器件的选用和电路的检测方法等。     

一种1.8 V 10/100 Mb/s以太网物理层发送电路

根据IEEE 802.3协议的指标要求,设计了一种采用0.18μm 1.8 V CMOS工艺的10/100 Mb/s以太网物理层发送电路.电路的实质是一个分辨率为5 bit,采样速率为125 MHz,上升下降时间为4 ns的电流驱动型数模转换器.芯片面积0.865 mm2,100 Mb/s时功耗为83.37 mW,10 Mb/s时功耗为109.6 mW.     

34.368Mb/s数字电视编码设备的研制

本文讨论了34Mb/s数字电视编码压缩方案。文中提出了利用交叉亚取样、对角滤波、二维差分编码、运动检测及帧内和帧间内插等措施,将216Mb/s速率的彩色电视信号压缩到34Mb/s。     

8Mb/s数字接口电路的研制

本文叙述两种8Mb/s传输速串的HDB_3数字接口电路的设计和硬件实现.这两种接口可分别用于彩色数字会议电视系统和数字微波信道设备、光纤设备或复接设备.     

155Mb／s长波长光电子集成组件的研究

研究了１５５Ｍｂ／ｓＬＤ光发射驱动器，光接收前置放大器、光接收前放＋主放等长波长光电子集成组件，适合当前ＳＤＨ光纤通信技术发展的需要。对上述３种１５５Ｍｂ／ｓ光电子集成组件的电路结构、ＰＩＮ／ＦＥＴ前放的ＰＳＰＩＣＥ计算机模拟结果及测试方法与测试结果，和研制组件所采用的光电子厚膜混合集成与微构装技术作了介绍。     

34Mb/s数字电视差分解码器

本文讨论34Mb/s彩色电视系统中亮、色分离差分解码器。按照整个系统的要求,亮度信号选用6.75MHz取样频率,色差信号选用3.375MHz频率。文中介绍了差分解码器的设计方法及电路实现中的一些具体问题。     

PCM 34Mb/S OQPSK调制解调器

本文介绍PCM三次群OQPSK调制解调器的设计,通过计算机模拟,计算了OQPSK信号经过中频滤波后的误码性能.研究了OQPSK信号相干解调的相位模糊问题,提出了解决办法.给出了一种改进型OQPSK调制器方案,并研制出整个OQPSK调制解调器电路.最后给出了实验结果.     

34Mb/s数字电视差分编码器

本文讨论了34Mb/s彩色电视系统中亮、色分离差分编码器。按照整个系统的要求,亮度信号选用6.75MHz取样频率,色差信号选用3.375MHz频率。文中介绍了差分编码器的设计方法及电路实现中的一些具体问题。     

155.520Mb／s宽带光纤区域网及结点站的设计

本文讨论了一个宽带光纤综合业务网及结点的设计，该光纤网使用ＡＴＭ技术和修改的ＤＱＤＢ协议，在Ｍ－ＤＱＤＢ中使用全分组交换方式，信元的结构与Ｂ－ＩＳＤＮ相符，提高了与Ｂ－ＩＳＤＮ的兼容性。作为骨干网的数据速率为１５５．５２０Ｍｂ／ｓ。