水让纳米硅瞬间产氢气

氢气是替代现有某些能源的一个很好的备选。不久前,美国科学家发现,只要加水,纳米硅几乎在瞬间可产生高纯度的氢气。研究人员在一系列实验中创建了直径约为10纳米的球形硅颗粒,当其与水发生反应时,会形成硅酸(无毒的副产品)和氢气。该反应不需要任何光线、热能或电能,产生的氢气可以成功地为一个风扇的小型燃料电池供电。     

我学者测定硅同位素绝对比值将导致硅原子量国际标准重新修订

国土资源部同位素重点实验室，采用新的测试技术和流程，重新标定出国际参考物质，即美国标准和技术研究所制备的国际氧和硅同位素参考物质（NBS-280）的硅原子量为28.08653，比欧盟参考物质及测量研究所原先报道的数值重0.001。这一结果将导致《元素周期表》里硅的标准原子量的重新修订。今天中国地质科学院公布了这一消息。     

建议将长治市作为硅工业开发基地

石英因具有独特的物理、化学性能，而被广泛应用于电子、电工、冶金、化工、宇航、电路、机械等各种高新技术产品中，如大型集成电路、光导纤维、压电石英谐振器、液电显示器、电视显像器、新型电光源、特种石英玻璃、特种光学玻璃、石英坩埚等，并作为高绝缘性能的集成电路材料。美国“硅谷”的兴起，是靠硅造就了以芯片为基础的现代信息产业。高科技发展离不开硅片。我们也应该把我国的硅片生产基地建设得像美国的硅谷一样，成为我国科技发展的源泉。半导体产业是信息产业的基础，而知识经济又是建立在信息产业基础之上的。因此，中国要成…     

无铅高锌硅黄铜C68350合金组织及性能的研究

<正>传统铅黄铜因切削性能优良、生产成本低、加工性能好等优点而应用广泛。但由于铅元素对人体极为有害,可损害人体骨髓造血系统和神经系统,其污染危害已引起高度重视[1-3]。美国、欧盟、日本等发达经济体已立法,对饮用水系统、管道配件、玩具及家用电器等产品中的铅含量提出了严格的限制。如2010年开始实施的美国加州《AB1953法案》和欧盟的Ro HS指令都对铅的含量做出了明确规定,铅黄铜被无铅环保黄铜取代,     

中美科学家首次使硅纳米线的弹性接近理论极限

正中美研究人员19日在新一期美国《科学进展》杂志上报告说,他们首次在实验中实现了单晶硅纳米线接近理论极限的弹性拉伸。这项研究由美国加州大学洛杉矶分校杜经宁教授、麻省理工学院李巨教授和中国香港城市大学陆洋助理教授等人合作完成。     

硅锰合金电阻法定硅

根据准二元合金随其中某种合金元素含量的不同,其合金电阻率发生单值变化的规律,提出了一项硅锰合金电阻法定硅的检测技术. 实验结果表明,硅锰合金中硅含量与电阻率变化的关系可表示为[Si%]=-12.51+2×107ρ-4×1012ρ2,当合金中硅的质量分数小于6%时,合金中锰铁比对其电阻率变化的影响不大,定硅误差为0.005%～0.178%. 用于电阻率测量的合金样品适合的尺寸为6.00～6.50mm、长1cm左右,可以避免试样中夹渣、裂隙等缺陷对电阻测量精度的影响.     

长盛不衰的“硅沼”——英国剑桥科学园

英国是世界工业革命的发源地,近代自然科学理论和技术上的重大突破很多产生于英国。但是相比美国、日本,在科学成果产业化应用方面,英国逊色许多,特别是第四次工业革命后,随着美国硅谷模式取得巨大成功,英国政府为推动科技成果产业化,也尝试建立以大学为依托的科技园区。1968年11月,剑桥大学小组委员会提交了著名的莫特报告,报告提出要以剑桥大学的声望和实力,把那些立足于科学技术研究的企业吸引到剑桥地区来,并得     

粘土和分子筛高硅类样品的ICP全组分同时分析

用石墨棒加工成一定容积的石墨坩埚做熔样容器,偏硼酸锂做熔剂熔样,等离子发射光谱法对高硅样品实现了一次熔样、全组分同时分析.方法简单、快速.对美国国家标准局标准粘土样plastic clay 98a和国家地质标样GSD-4的分析结果均与推荐值吻合.     

硅材料科学与工程的现状及我国的对策

一、硅材料的发展趋势为满足微电子和电力电子器件制造的需要,现代半导体硅材料产品已进入以优质大直径高精度加工硅片为主体的新阶段,这种高精密度、高洁净度和无尘防静电包装的抛光硅片,已达到可以直接进入集成电路生产线的水平。发展趋势主要有三个方面: 其一是研制和生产大直径直拉硅单晶(CZ—Si)的切磨抛光片,用作微电子集成电路或分立器件生产的芯片材料。目前日本、美国和德国等都在生产直径150～200毫米的精细抛光硅片,实验室中已能控制直径300～400毫米的CZ硅单晶。我国国家半导体材料工程研究中心也已拉制出直径150毫米的CZ硅单晶,已能生产75～100毫米的CZ硅     

不同硅源中硅还原的研究

不同硅源中的SiO_2 在实验条件下的还原都未达到平衡。焦炭、焦炭灰、硅石中的SiO_2 比炉渣中的容易还原得多。炉渣和焦炭都是生铁的重要硅源。如使用硅石使生铁增硅,改善它与还原剂的接触条件是提高硅还原率的重要因素。实验还证实了高炉内硅还原的途径是:SiO_2→SiO→〔Si〕。     

Ⅱ.粘土制高硅Y型分子筛的初步试验

Y型分子筛作为一种高效吸附剂和催化剂的高活性组分在石油化工和石油炼制工业中应用之广是众所周知的事。目前国内外主要用化工原料加导向剂以水凝胶法生产。以天然粘土矿物为主要原料,在碱液中直接转化的“粘土转化法”是另一条生产高硅Y型分子筛的有价值的工艺路线。与前者相比,具有工艺流程简单、原料丰富而便宜、成本低等特点。 1969年美国Grace公司开发了晶化导向剂水凝胶法合成高硅Y型分子筛的工艺以     

硅光电池功率计

我们用硅光电池试制了激光功率计,见图1。用于0.5μ～1.1μ激光功率的测量,可测功率范围是0.1mW～100mW,测量误差小于10%。硅光电池输出特性之一是它的短路电流与入射光强成正比,而且其短路电流的温度系数较小,在20℃时,仅为2μA/℃,即变化率为0.1%/℃,室温变化±20℃引进的误差为2%。硅光电池的另一输出特性是开路电压与入射光强的对数成正比,但开路电压的温度系数很大,在20℃时约为3mV/℃,即变化率为0.8%/℃,室温变化±20℃引     

ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷

目的研究一种方便快捷的测定硅锰合金中硅和磷的方法。方法用硝酸和氢氟酸溶解试样,采用耐氢氟酸雾化装置,用ICP-AES法同时测定硅锰合金中的硅和磷。结果 ICP-AES法同时测定硅锰合金中硅和磷的实验测量精密度和准确度较高,采用统计学上的t检验,t值均小于tα,f值,不存在显著性差异;经对照分析,测定结果差值均在国标允许范围之内。结论用ICP-AES法测定硅锰合金中的硅和磷与标准化学分析方法相比,其操作更简便、快捷,能满足生产的需要。     

硅有机化合物Ⅳ 含硅苯甲酸的离解常数

当硅原子和碳-碳双键或苯环连接时,硅原子不仅有+I诱导效应,还表现出-T的d_π-p_π共轭效应,这两种效应方向相反。但总的效应是吸电子或推电子则随溶剂的介电常数而有改变,例如对(三甲硅基)苯甲酸在水溶液中的离解常数比苯甲酸小,在醇溶液中比苯甲酸大。     

多孔硅激光

我们用波长为1064nm的纳秒脉冲激光在硅表面打出小孔结构,然后再做高温退火处理形成了硅的纳米氧化低维结构.在514nm激光泵浦下,发现该结构在700nm和750nm处有很强的受激辐射发光(PL).实验中发现:该PL发光有明显的阈值表现和激光增强效应,证明该PL发光确实是光致受激发射.计算給出氧化界面态模型来解释该光致受激发光机理,其中Si=O和Si-O-S的键合可以产生氧化陷阱态,关键在于该氧化陷阱态与价带顶空穴态之间能够形成粒子数反转.为硅基上激光器件的光电子集成研发开辟了新的途经.     

硅编译系统 SICOMOS

1 引言硅编译技术是目前超大规模集成电路设计中较为活跃的分支。它把电路的功能描述转换成几何描述。用硅编译技术设计VLSI电路所建立的设计系统,称为硅编译系统。自1979年D.Johnnsen在第16届设计自动化会议上发表第一个硅编译系统以来,硅编译技术得到了飞速的发展。1983年R.AyreS出版了一本论述硅编译的专著,许多学者也陆续发表了这一类的文章及一些硅编译系统。在我国硅编译技术的发展还刚刚起步。本文介绍了我们研制的硅编译系统SICOMOS。     

绒面硅太阳能电池

本文主要阐述了绒面太阳电池的表面织构及其特性,简单介绍了一种低成本、工艺流程短而简单、效率较高的绒面太阳能电池的制作工艺。     

高效率硅太阳电池

本文从理论上和工艺上论述了高效率硅太阳电池的研制情况,分析了如何提高硅太阳电池的开路电压、填充因子及短路电流密度的措施.文中介绍的硅太阳电池能量转换效率高达18.7％.