一维半导体纳米材料的制备及表征

本介绍了半导体纳米材料和常规的半导体材料的不同性能，对其常用的制备方法做了简要的描述和比较，同时给出了常规的表征方法。     

半导体材料禁带宽度测试装置的研制

根据光电导方法，研制了 ＤＢ－１型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明：整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点，实现了对半导体材料禁带宽度的测定，可为进 一步研究半导体材料的能带模型提供实验数据。     

一类半导体方程稳态解的存在性

考虑稳态半导体方程的混合边值问题，利用逼近过程、拟单调方法和验估计，得到了该问题弱解的存在性。     

纳米半导体材料

阐述了纳米半导体材料的制备方法、纳米半导体材料表现出不同于块状材料的光学性质和目前的研究进展。     

带p-n结半导体器件飘流扩散模型的拟中性极限

研究了模拟带p-n结的绝缘半导体器件的双极飘流扩散方程组的德拜长度、消失极限(拟中性极限).同时给出了扩散方程组的极限解.     

半导体量子线制备方法及研究动态

一维半导体材料由于其在空间二维的量子限域作用，而显示出非线性光学性能、光致发光、独特的光电性能以及单电子效应等，这些特性在电子和光电子元件方面具有潜在的巨大应用价值。一维半导体材料的制备技术已得到广泛研究，文献中报道了许多制备方法。对目前国内外制备半导体量子线的最新研究成果和方法进行了讨论，并对半导体量子线制备研究的发展趋势进行了预测。     

复合结构半导体电极GaAs／Ga1—xAlxAs在光电池中应用初探

与电解液接触的半导体材料上所进行的光电化学过程，在能源方面可获实际应用。但在对光电池的研究中好现：采用任何一种单一的半导体材料作光阳极进行光能转换，都存在转换效率低的缺点。为此我们提出“复合结构模型”，认为采用复合半导体材料，可以覆盖更大频率范围内的太阳光谱，从而提高太阳能的转换效率。     

半导体气敏陶瓷的研究方法

以SnO2为基体材料的气敏元件为例，总结了半导体气敏陶瓷元件的制备过程和研究方法，分析了掺杂、热处理和表面修饰工艺对气敏元件性能的影响，介绍了气敏元件性能的实验和检测方法。     

SnO2—ZnO二元系半导体陶瓷材料特性

报道了ＳｎＯ２－ＺｎＯ二元系半导体陶瓷体及其薄膜的制备方法，材料的电学，光学，热敏，气敏和湿敏特性，以及掺杂和热处理对材料特性的影响，ＳｎＯ２－ＺｎＯ半导体陶瓷材料有很好的稳定性，是一种多功能复合半导体材料，在光伏技术，敏感技术及仪器仪表领域有着广泛应用。     

Brownian模型及其在半导体生产系统中的应用概述

Brownian模型是排队网络的一种近似模型，它以重载流理论为基础，通过对原模型进行适当的时空缩放后取极限而得到的．在平稳重载条件下，Brownjan模型已被用于半导体生产系统的调度及性能分析．总结了Brownian模型在两加工中心闭环系统、多加工中心闭环系统、两加工中心开环系统以及多加工中心开环系统中的调度应用，以及在分析产品的制造周期中的应用．最后，指出了存在的问题并给出了值得研究的方向。