低能碳离子注入野牛草种子的变异分析

以野牛草(Buchloě dactyloides)为材料,研究了不同注量的C 离子注入种子对种子萌发、幼苗生长和发育,以及随机扩增多态性DNA(RAPD)谱带变化的影响.结果表明:随C 注量Ф增加,种子萌发率降低,实生苗生长减弱;Ф=1×1014 cm-2处理的幼苗生长超过对照,但Ф=1×1015和1×1016 cm-2处理使幼苗生长高度显著降低(P＜0.05);不同Ф处理对幼苗叶片数和分蘖数无显著影响(P＞0.05);引物E1和E12扩增的RAPD谱带中出现DNA条带随C 的Ф增加逐渐消失的现象,首次揭示了RAPD条带变化与Ф的相关性.研究认为,利用Ф=1×1014 cm-2的C 离子注入种子,有利于培育野牛草新种质和选育新品种.     

离子注入对花生M2代生物学效应的影响

对已分别接受0、1×1012cm-2Cu+2、1×1011cm-2Cu+2、4×1011cm-2P+2、9×1011cm-2P+2离子注入的山东烟台"栖选1号"花生(Arachis hypogaeaL.)种子进行了栽培,研究比较各组花生M2代营养生长、生殖生长及产量的情况.综合各项指标表明:与对照组相比,9×1011cm-2P+2离子注入组在M1和M2代中保持了稳定的优势,1×1011cm-2Cu+2离子注入组的M2代的生物学效应作用最佳.     

0．28 MeV Zn离子注入GaInP／GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究

对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014～5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.     

钛、钼离子注入对工业纯铁腐蚀性能的影响

利用离子注入技术对工业纯铁进行了Mo 离子和Ti 离子的注入.将所选用的工业纯铁试样在40kV的电压下分别以2×1017cm-2和5×1017cm-2不同剂量的离子注入,测得离子注入后工业纯铁试样的腐蚀电流密度和腐蚀电流,并得出相应的极化曲线.从而对Ti,Mo元素对工业纯铁的抗腐蚀性作用进行了定量的比较.实验结果表明,Mo,Ti元素使工业纯铁的抗蚀性均有一定程度的提高,且当注入剂量相同时,注入Mo元素的材料,样品具有更强的抗腐蚀性.     

离子注入对三角叶滨藜种子萌发及愈伤组织的影响

利用N^ 、Ar^ 、Zn^2 离子分不同辐射能量,对三角叶滨藜（Atriplex Triangularis）种子进行离子注入,研究低能量状态下激发诱变的生物学效应。结果表明N^ 、Ar^ 、Zn^2 离子注入处理后,三角叶滨藜种子萌发率均有下降,其中Ar^ 处理组种子萌发率高于对照组。由于菌苗诱导产生愈伤组织及其生理活性也存在差异。通过对愈伤组织SOD、POD、CAT活性进行测定,发现这3种离子注入种子处理后愈伤组织的SOD、POD、CAT活性一般都低于未处理的对照组。其中Zn^2 注入处理后SOD活性高于对照组。     

Cr离子注入TiO2薄膜光催化性能改进及光谱研究

在TiO2薄膜表面注入Cr离子以提高TiO2薄膜在可见光条件下的光催化能力,通过对薄膜紫外可见光谱的测试,表明注入并退火处理后的TiO2薄膜光学带隙减小.以甲基橙为降解物的光催化试验表明,Cr离子注量Φ为1×1016cm-2时,薄膜在可见光下的光催化能力最佳.     

碳、钨离子共注入H13钢表面改性的研究

将不同单质机械混合,在不增加注入机离子源数目的基础上实现了不同离子的共注入.发现C+W离子共注入使H13钢表面强化,硬度和抗磨损能力提高,且注量的增大加强了这种强化效果.共注入增强了H13钢的抗均匀腐蚀能力,且比双注入效果好.在开始的15个周期致钝电流密度保持为零.C+W离子共注入提高了H13钢点蚀电位,大注量(4×1017 cm-2)注入时,点蚀电位升高了200mV,而双注入则使点蚀电位有所降低.     

5～20MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响

用能量为5～20MeV,注量为1×109～7×1013cm-2的高能质子对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行辐照,得到了其性能随质子能量和注量的变化关系,并对变化关系进行了能损模拟分析.结果表明:注量低于1×109cm-2的质子辐照不会引起太阳电池性能的变化;当注量增加为3×1012cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的太阳电池性能参数Isc的衰降变化分别是原值的80%,86%,90%;Voc的衰降变化分别为原值的82%,85%,88%; Pmax的衰降变化分别为原值的60%,64%,67%.当辐照注量为5×1013cm-2时,5,10,20MeV质子辐照引起的Pmax衰降变化分别为原值的26%,30%,36%.即随着注量的增加,太阳电池性能衰降增大;且相同注量的辐照,质子能量愈高,太阳电池性能衰降愈小.     

W离子注入VO2薄膜结构及红外发射性能研究

探讨了低剂量离子注入技术对VO₂薄膜的结构和红外发射性能的影响,发现1×1015 cm?2注量的W离子注入掺杂时,会对VO₂薄膜的晶体结构产生一定的损伤;经400 ℃退火处理后部分恢复了薄膜的单斜相晶体结构,且退火处理后,在掺杂W离子、结构缺陷和氧空位的共同作用下,掺杂量0.12%即可使VO₂薄膜的相变温度降低8.9 ℃;掺杂原子数量每增加1%,其相变温度相应变化74.2 ℃;W离子注入并经退火处理后,VO₂薄膜的红外发射率为0.35～0.46,其在低温区间的红外发射率相比未注入薄膜降低了0.14,这大幅度提高了VO₂薄膜在低温区的红外隐身性能．      

铜离子注入不锈钢中的显微组织与抗菌性能

Cu离子由MEVVA离子注入机引出注入0Cr18Ni9不锈钢,采用60~100keV的能量、0.2~2.0×1017cm-2剂量。抗菌实验结果表明,铜离子注入试样具有良好的抗大肠杆菌的效果,抗菌处理使得试样具有优良的抗大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的效果,且注入量接近饱和注入量时,样品具有最佳的抗菌性能。     

轴向场宽束离子源研究

我们研制了用于薄膜工艺的宽束离子源.该源能提供20～3000cV,束流强度最大达100mA 的宽离子束,可根据不同工艺要求,产生均匀束、会聚束及球状发散束等不同束形,并按不同的引出束能量,采用三栅、双栅或单栅引出系统.其最大气耗量为1.2Pa·m~3/s,放电室工作气压1.33×10~(-2)Pa(10~(-4)Torr 量级),可用 N_2、O_2、Ar 及 CH_4等工质工作.它已在离子束溅射镀膜、离子束直接淀积成膜及离子束辅助镀膜工艺得到了应用.证明其性能良好,稳定可靠.本文论述源的工作原理、结构、工作特性及多功能引出系统,并讨论了放电稳定性及薄膜工艺对离子源的要求.     

F_e~+注入Si中的研究

本文的工作以内转换电子穆斯堡尔谱为主,并结合离子探针以及电学和光学等参数的测量,对硅中注入的F_e~+进行综合研究。根据实验结果我们认为在低温退火前后,高剂量注入的铁不是均匀地分布在注入层中,而是处在高浓度集中的微区中,并处在替位位置。低温退火后尽管晶体电学特性已基本恢复,但多数铁仍处于非电活性状态。高温退火后在注入层中形成铁硅化合物相的观点进一步由离子探针的实验结果得到证实。高温退火后晶体电阻率较大可能是由于铁硅化合物的析出在晶体中产生了大量的缺陷。     

铁锰微量元素对淡水藻类的生长影响研究

以北京市玉渊潭湖自然水体中的藻类为研究对象,分析了Fe3+,Mn2+对藻类生长的影响.结果表明,Fe3+能极大地促进藻类对N,P的吸收,使藻类成倍的增殖,各质量浓度(ρ)表现的促进作用强弱顺序为500,50,5,5 000μg.L-1;在营养充分时,Fe3+可能会成为诱发水华的主要因素.Mn2+对藻类生长的促进作用低于Fe3+,试验结果表明,最适ρ(Mn2+)为50μg.L-1,当ρ(Mn2+)=40 000μg.L-1时,藻类的生长受到抑制.     

Penning阱离子谱分辨率的优化

根据Penning阱中存储和探测离子的原理,研究改善离子谱分辨率的有效措施,发现离子谱的分辨率与LC振荡回路的Q值、阱中离子的密度及LC回路的谐振频率有关.在本实验中,采用谐振频率为480kHz的LC回路,当Q在120左右,电子束流在40μA左右时,得到了较高分辨率的离子谱,为深入开展H+n (n≥3)离子的形成机制等问题的研究创造了更好的条件.     

MEVVA离子源金属掺杂蓝宝石着色的研究

利用金属蒸气真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源将金属离子掺杂到无色人工合成蓝宝石中。研究在不同元素的注入条件下和退火过程中蓝宝石的着色情况。利用ＲＢＳ研究掺杂元素在蓝宝石表面的分布状况,ＸＲＤ分析蓝宝石金属掺杂层的物相变化,通过对金属掺杂蓝宝石的可见光吸收的测试,获得掺杂元素与蓝宝石着色的关系。     

钢的辉光离子渗铝研究

本文用辉光离子氮化炉进行离子渗铝工艺探讨。研究了工业纯铁、20钢、45钢辉光离子渗铝层生长规律,测定了渗层铝浓度分布和显微硬度分布。结果得出了完全可以利用辉光离子氮化炉进行离子渗铝,实现一炉多作用离子轰击大大加速渗铝过程的重要结论。     

常见共存离子对镍离子浮选的影响

通过浮选、沉淀、沉降等实验,查明了常与镍离子共存的Mn~(2+),Ca~(2+),Na~+,Cu~(2+),Fe~(2+),SO_4~(2+),Cl~-,CO_3~(2-)等对镍离子浮选的影响和影响机理。指出,电解质对镍离子浮选的影响因捕收剂不同而异;Na~+,Ca~(2+),Mn~(2+)等阳离子因促进沉淀物聚结对丁基黄原酸镍浮选有利,Cu~(2+)与镍离子竞争捕收剂,Fe~(2+)含量超过30ppm时因氧化生成氢氧化铁沉淀产生抑制作用;Cl,SO_4~(2-)对浮选没有影响;CO_3~(2-)将减弱阳离子对丁基黄原酸镍聚沉作用的发挥。     

Penning离子阱中H+,H2+/H,H2反应的研究

用Penning离子阱经碰撞反应H ,H 2/H,H2产生稳定的H n(n=3,4,5,6).高分辨离子谱中除了H ,H 2,H 3和H 5之外,还探测到H 4,H 6.根据Wright和Borkman预言n=4,6的偶数氢团簇离子与对应的n=5,7的奇数离子具有可比较的结合能,由该实验结果可以推断,n=4,6与n=5,7的离子在反应动力学方面具有相近的性质,都能够经碰撞合成反应获得.还分析了H 4,H 6的生成机制.     

桥链中含氮,硫杂原子二酰胺的质谱研究

对四类桥链中含氮、硫原子的二酰胺的质谱进行了研究，揭示了经们的破裂规律；指各类之间质谱的异同；推论了一些特征离子的结构和可能的形成机理。