HDPE／NiS和HDPE／PexS导电复合材料

采用表面沉积法制备ＨＤＰＥ／ＮｉＳ和ＨＤＰＥ／ＦｅｘＳ复合材料，用扫描电子显微镜Ｘ光电子能谱、光电流光谱、穆斯堡尔谱等方法对其表面形貌和组成进行了表征，经测量ＨＤＰＥ／ＮｉＳ表面电阻率可达１０＾１Ω左右；ＨＤＰＥ／ＦｅｘＳ表面电阻率可小至１０＾２Ω左右。     

Au／C60—Polymer／P—Si结构C—V特性

报道了利用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ－Ｓｉ衬氏抛光面上淀积含Ｃ６０聚合薄膜及在薄膜表面蒸金形成Ａｕ／Ｃ６０－Ｐｏｌｙｍｅｒ／Ｐ－Ｓｉ结构。     

麻黄碱的TLG—SERS研究

将高效薄层色谱（ＴＬＣ）分离技术和表面增强拉曼散射技术（ＳＥＲＳ）相结合，分析了中成药麻黄汤冲剂麻黄碱光谱。研究表明，在ＴＬＣ原位约８μｇ样品中可获得麻黄碱分子主要的振动特性谱带，并阐述了样品分子在表面增强基底吸附特征，从而阐朝了ＴＬＣ－ＳＥＲＳ结合可对中成药主要化学成分进行高灵敏度的检测。     

表面修饰钴的SiO2复合体制备及应用

比高比表面多孔型ＳｉＯ２为载体，用等体积浸渍法制得表面修饰钴的ＳｉＯ２复合体。经ＸＲＤ，电子能谱，ＴＥＭ检测发现表面修饰组分钴在ＳｉＯ表面均匀坦协，且复合体在丙烯还原一氧化氮的反应中表现出良好的催化活性。     

水热合成BaTiO3薄膜及其微观结构分析

利用水热反主尖，成功在地１６０℃的低温下，直接在蒸钛硅衬底表面合成了多晶ＢａＴｉＯ３薄膜。扫描电镜观察发现薄膜的组织结构均匀、致密、平均晶粒尺寸约１００ｎｍ。对比快速热退火前后薄膜的扩展电阻深度分布、ＳＥＭ形貌象和Ｘ射线衍射谱发现：薄膜呈多层结构，退火前为立为ＢａＴｉＯ３／非晶ＢａＴｉＯ３－ｘ／Ｔｉ／Ｓｉ，退火后变为四方ＢａＴｉＯ３／Ｔｉ／Ｓｉ。     

砷化镓表面P2S5／NH4OH钝化研究

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）、先致发光（ＰＬ）和俄歇电子能量谱（ＡＥＳ）研究Ｐ＿２Ｓ＿５／ＮＨ＿４ＯＨ对ｎ型ＧａＡｓ（１００）晶面的钝化作用．测试结果表明，钝化后在砷化镓（１００）面上的自然氧化物已被除去，表面形成了一层性质稳定的硫原子层．硫原子与砷、镓原子分别有效地成键，阻止了砷化镓表面氧化物的组成，并消除了表面存在的悬挂键，从而大大优化了ＧａＡｓ（１００）面的特性．ＰＬ实验结果支持了上述结论．实验结果表明钝化后ＧａＡｓ表面复合速度下降，表面态密度降低．     

NdFeB磁粉表面包覆有机硅树脂防氧化研究

采用溶胶－凝胶方法和旋涂技术，用正硅酸乙酯的乙醇溶液，经过水解、缩聚和干燥，最后在ＮｄＦｅＢ磁粉表面形成了有机硅树脂薄膜。用ＳＥＭ，ＴＧ和ＤＴＡ技术对包覆有机硅树脂的磁粉表面形貌和组成及防氧化特性进行了研究，对其包覆磁粉的磁性能进行了测试。     

稀土元素修饰双层薄膜的气敏特性

采用ＰＥＣＶＤ方法制备Ｆｅ２Ｏ３／ＳｎＯ２双层气敏薄膜。利用浸渍方法对稀土元素与铝配制的乳浊液进行表面修饰。测试结果表明，修饰后的双层薄地乙醇或丙酮具有较高的灵敏度与选择性。     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

离子束增强沉积制备Al、Al－Y薄膜改善304不锈钢抗氧化性能的研究

用离子束增强沉积的方法，在３０４不锈钢表面合成了Ａｌ及Ａｌ－Ｙ薄膜．通过在９５０℃、１０５０℃的恒温氧化和９５０℃的循环氧化实验发现，由于Ａｌ＿２Ｏ＿３保护膜的生成显著提高了３０４不锈钢的抗氧化性，而Ｙ的加入又明显地提高了Ａｌ＿２Ｏ＿３氧化膜的抗循环氧化能力．本文通过ＳＥＭ、ＡＥＳ、ＥＰＭＡ及Ｘ射线衍射相分析等手段，分析了氧化产物层的形貌和组成．并根据实验结果探讨了Ａｌ、Ｙ有益作用的机制．     

原子力显微镜研究多晶硅和铝硅合金表面形貌

利用原子力显微镜研究了不同淀积温度条件下低压化学气相淀积多晶硅薄膜的表面形貌。发现淀积时间一定时，随着淀积温度的升高，多晶硅薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度均非线性地增大。     

表面活性剂对Ni—P—PTEE复合镀液的影响

本应用ｚｅｔａ电位仪研究了各种阳离子表面活性剂,非离子表面活性剂对Ｎｉ－Ｐ－ＰＴＥＥ复合镀中ＰＴＥＥ粒子ｚｅｔａ电位的影响,且应用扫描电子显微镜分析了镀层的形貌。结果表明,粒子的ｚｅｔａ电位越正,粒子在槽液中越不易聚结,且越有利于粒子的共沉积。     

Ni金属诱导多晶硅薄膜的低温制备与性能研究

利用Ｎｉ金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ,ＭＩＣ）的方法制备ｐ－Ｓｉ薄膜ＸＲＤ,Ｒａｍａｎ光谱研究结果表明,ａ－Ｓｉ／Ｎｉ经４４０℃２ｈ以上退火处理后,形成多晶相结构用ＳＥＭ,ＸＰＳ等分析手段对薄膜的结构进行分析,并对金属Ｎｉ诱导晶化的机理进行简要的探讨。     

化学表面处理对热生长氧化形成的SiO2驻极体电荷寿命的影响

以实验结果为依据研究了化学表面处理对ＳｉＯ＿２薄膜驻极体内电荷储存稳定性的影响。得知用ＨＭＤＳ或ＤＣＤＭＳ等有机试剂进行的化学表面处理将在ＳｉＯ＿２驻极体表面形成一个疏水的保护层。通常情况下，它将起到防止外界环境中的水吸附而形成的表面导电结构，对改善这一驻极体薄膜的电荷储存稳定性起到显著的作用；伴随着驻极体内长久电荷的捕获储存，在驻极体内发生的电化学反应将有水分子生成，而用化学表面处理后形成的疏水保护层有时也会阻止驻极体内部过剩的水分子向外扩散，造成用化学表面处理后驻极体内的电荷较快衰减这一反常现象的发生。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

PTFE多孔膜驻极体电荷储存稳定性的机理研究

借助于等温表面电位衰减,开路热刺激放电电流测量等方法较系统地研究了充电气的聚四氟乙烯多孔材料的空间电荷稳定性了比较。通过热刺激放电电流谱分析和组合热脉冲技术探索了ＰＴＥＥ驻极体多孔膜内电荷重心的迁移规律,研究了多孔ＰＴＥＥ薄膜驻极体内脱阱电荷的输运规律。     

ZnO,SnO2及其复合UPF的工作温度对表面电阻的影响

本文介绍了ＺｎＯ，ＳｎＯ２及其复合ＵＰＲ的工作温度对其薄膜表面电阻的影响，并根据表面吸附模型和理论对其结果加以分析。研究的薄膜样品采用直流气体放电活化反应蒸化沉积技术制备。     

脉冲激光沉积YBa2Cu3O7—δ薄膜表面形态研究

用脉冲激光沉积法,在ＳｒＴｉＯ３基板上获得ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜。     

超平坦化Gd3Ga5O12(111)基片用于石榴石结构材料薄膜的生长

通过高温退火处理获得了具有在原子尺度范围内平坦化表面的Gd3Ga5O12(111)基片。在此基片上生长的Y3Fe5O12薄膜的表面光滑度有明显提高。与商品的Gd3Ga5O12(111)基片相比,超平坦化的Gd3Ga5O12(111)基片在生长石榴石结构材料薄膜方面具有明显的优越性。     

Co／Ti／Si三元薄膜固相反应外延CoSi2过程实验研究

ＣｏＳｉ２是近年亚被活跃研究的一种微电子导电薄膜材料，采用Ｃｏ／Ｔｉ双层及ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ多层结构，通过不同热处理工艺，可以形成ＣｏＳｉ２／Ｓｉ异质外延结构。通过ＸＲＤ，ＡＥＳ，ＲＢＳ，四探针等测试，研究了ＣｏＳｉ２外延生长时，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｏ原子的互扩散过程，阐述了Ｔｉ在些过程中的重要作用。