低压低功耗CMOS电流反馈运算放大器的设计

电源电压的下降对模拟电路的设计是一个难题。如今模拟电路的典型电源电压大约是2．5～3V，但是发展的趋势表明电源电压将是1.5V，甚至更低。在这种情况下，国内外研究人员致力于设计适用于标准CMOS工艺的低压电路蛄构。主要在文献[1]基础上设计了一种新型的CMOS电流反馈运算放大器（CFOA），使用了0．5μmCMOS工艺参数（阈值电压为0．7V），模拟结果获得了与增益关系不大的带宽。在1.5V电源电压下产生了约6．2mW的功耗。     

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.     

一种电流求和型的低功耗Bandgap电压基准源

为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40～ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用     

一种低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

本文设计了一种低电压、低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压源。该电路基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。SPICE仿真显示,在1V的电源电压下,输出基准电压为609mV,温度系数为72ppm/℃,静态工作电流仅为1.23μA。在1-5V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74dB。该电路为全CMOS电路,不需要用到寄生PNP三极管,具有良好的CMOS工艺兼容性。     

高频电流模四象限CMOS模拟乘法器

本文提出了一种新型四象限CMOS模拟乘法器,其核心组成为工作于三极管区的NMOS晶体管和高频CCII(第二代电流传输器)电路.基于2μmP阱CMOS工艺参数的模拟结果显示,当电源电压为±5V,在±4V的输入范围内,其非线性误差小于2.8‰,运算误差小于3.3‰.X输入端的-3dB带宽为22MHz,Y输入端的-3dB带宽为82MHz.     

基于0013μm工艺的低于1V带隙基准电压源设计

采用GSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明.该电路可以在0.9～1.5 V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708 V,温度在0～60℃之间时.温度系数不超过44 ppm/K,电源抑制比为66 dB,最大功耗小于0.5 μW.基于GSMC0.13 μmlP8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图.版图面积约为0.2 min×0.15 mm.     

基于0.13 μm工艺的低于1 V带隙基准电压源设计

采用GSMC 0.13 μm CMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明.该电路可以在0.9～1.5 V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708 V,温度在0～60℃之间时.温度系数不超过44 ppm/K,电源抑制比为66 dB,最大功耗小于0.5 μW.基于GSMC0.13 μmlP8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图.版图面积约为0.2 min×0.15 mm.     

低电压、低功耗CMOS基准电压源的设计

为了有效降低模拟集成电路的功耗,提高工艺兼容性,文中提出了一种全CMOS结构的低电压、低功耗基准电压源的设计方法.该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比.仿真结果表明:在1.0V的电源电压下,输出基准电压为609.mV,温度系数为46×10-6/K,静态工作电流仅为1.23μA;在1.0～5.0V的电源电压变化范围内,电压灵敏度为130μV/V,低频电源电压抑制比为74.0dB.由于使用了无寄生双极型晶体管的全CMOS结构,该电路具有良好的CMOS工艺兼容性.     

具有平坦增益的3.1~10.6 GHz UWB CMOS低噪声放大器设计

提出了一种采用0.18μm CMOS工艺的3.1～10.6GHz超宽带低噪声放大器.电路的设计采用了电流复用技术与阻抗反馈结构,具有低功耗和平坦增益的特性.仿真结果显示,在3.1～10.6GHz频率变化范围内,低噪声放大器达到平均17.5dB的电压增益,输入和输出的回波损耗均低于-8dB,最小噪声系数约为2.8dB,在电源电压为1.5V下功耗约为11.35mW.     

一种具有高输出精度及电源电压抑制能力的CMOS环形振荡器的设计

振荡器是许多电子系统的主要部分,相对于晶体振荡器.基于CMOS工艺的环形振荡器具有良好的抗震动及抗电磁干扰性能,在车载系统等震动及电磁干扰条件较为严酷的应用场合表现出优势.本文介绍了一种频率为8 MHz的CMOS环形振荡器的设计,工作电压范围是2.7～5.5 V,工作温度范围是-40～125℃.该振荡器对CMOS环形振荡器的固有缺点进行了针对性的设计,设计中使用的改进的延时单元以及激光校准电路克服了CMOS环形振荡器输出频率片间偏差较大的缺点;使用内部电压源以及电源电压无关的电流源,克服了其易受电源电压影响的弱点.该CMOS振荡器使用HSPICE软件仿真工具设计,并采用UMC 0.6μm工艺制作,测试验证结果表明,电源电压从2.7 V变化到5.5V,振荡器输出频率最大变化范围为士4%.     

复合型生物絮凝剂处理低温低浊水

针对处理低温低浊水时残余铝过高及浊度难去除的问题,采用复合型生物絮凝剂(CBF)处理低温低浊水源水,通过L16(45)正交实验研究了复合型絮凝剂投加量、pH、助凝剂Ca2+投加量、沉降时间和混凝水力条件5个因素对絮凝效果的影响。结果表明,浊度及铝去除率的影响因素均为:pH>水力条件>沉降时间>助凝剂Ca2+投加量>絮凝剂投加量。浊度去除率和铝去除率最佳的絮凝条件:絮凝剂投加量为10 mg/L;助凝剂Ca2+投加量为1.5 mg/L;pH为8.0;水力条件为搅拌速度160 r/min,搅拌时间为40 s;沉降时间为30 min。此时浊度去除率达到88.34%,残余Al去除率为92.43%。研究为应用CBF处理低温低浊水提供了基础数据和技术支持。     

低伤害小分子瓜尔胶压裂液性能研究

华北油田致密储层属于低孔低渗储层,需要压裂改造才能投产,但储层厚度小,孔吼半径小,在压裂过程中应特别关注入井流体对储层的伤害问题。提出采用分子量为常规瓜尔胶一半的小分子瓜尔胶作为压裂液的稠化剂的方法,以降低压裂液高分子稠化剂对储层孔吼的堵塞的伤害,提高改造效果。优选了与小分子瓜尔胶匹配的分散剂、助排剂、黏土稳定剂,形成了适应华北油田致密储层的低伤害小分子瓜尔胶压裂液体系。该压裂液体系可以在5 min内完全溶胀;该压裂液体系在130℃温度下剪切2 h后,黏度保持在80 m Pa·s以上,满足携砂的要求;压裂液体系在90℃可在90 min内完全破胶,破胶液粒径小于10μm;对华北油田致密岩心伤害率小于16%,残渣含量小于10%,对支撑剂导流带的伤害小于15%。可满足华北油田致密储层的压裂要求。     

鄂尔多斯盆地低孔低渗储层 渗透率测井建模研究

将岩心分析数据与测井信息相结合,直接利用或构建渗透率测井响应敏感参数,采用多元线性回归分析建模方法,研究建立了鄂尔多斯盆地研究区长61低孔低渗储层渗透率测井解释模型。依据泥质含量参数特征,对两种不同岩性特征的储层分类进行渗透率测井响应敏感参数多元线性回归分析,分别建立渗透率测井解释模型,对应于研究区两类不同的沉积微相特征。结果表明,分类建立的模型测井解释渗透率与岩心实测渗透率一致性良好,满足研究区解释精度要求。因此,在沉积微相背景约束条件下,对研究区储层选择合理的测井参数进行多元线性回归分类建立渗透率测井解释模型在研究区低孔低渗储层中可以达到较好的应用效果。     

低碳钢低温轧制工艺实验研究

罗尔斯是20世纪探索平等问题最伟大的政治哲学家、伦理学家之一。罗氏穷其一生探索平等的理论,论证“作为公平正义”的体系。正义原则是他平等思想体系的核心,也是他用以指导社会基本结构的理论模型。正义原则分为两部分并概括为三个原则,每条原则都蕴含着罗氏对特定领域平等问题的关切,原则之间的实现顺序表达了他对实现平等步骤的思考。平等是一个具有多重属性、多种含义的复杂概念,罗氏运用独特的理论方法对平等的含义及其实现顺序进行独具匠心的诠释。罗氏的平等观不但为政治哲学的思想大厦增添新的内容,而且为当代中国的政治实践提供理论启迪。     

低钾含量低温电解质中阴极电解膨胀研究

以钠冰晶石-钾冰晶石混合体系作为研究对象,测量半石墨质阴极电解膨胀率。研究结果表明:随着AlF3含量的增加,阴极电解膨胀率逐渐降低,且随着AlF3含量的增加,对半石墨质阴极膨胀的影响也加剧了。随着钾含量的增加,半石墨质阴极膨胀率增大,随着钾冰晶石含量的增加,对半石墨质阴极膨胀率的影响是先加剧后减弱。     

低温低浊地表水处理技术的探讨

东北地区低温低浊地表水采用常规工艺难以净化处理 ,往往受到污染而使原水的色度、耗氧量提高 ,进一步增加了水质净化的难度 .另外 ,地表水体水质在一年中变化很大 ,采用固定的常规净化工艺很难适应 .对水处理工艺混凝、分离和过滤等环节进行了分析 ,得出了采用浮沉池工艺可以经济合理地处理低温低浊地表水的结论     

关门山低碳旅游景区的构建

在分析了关门山构建低碳旅游景区的重大意义、拥有的优势和存在的问题的基础上,借鉴国内外已开发的低碳旅游景区的成功措施和经验,从旅游者、旅游景区、地方政府及当地社区四个方面探讨了如何构建低碳旅游景区。对关门山构建低碳旅游景区提出了相关建议。     

造纸用低温低浊水脱色技术生产性试验研究

研究主要针对北方地区某造纸厂冬季低温低浊时期色度去除问题，该厂制造卷烟纸的用水要求色度低于15度，而原有的水处理工艺无法满足生产要求．根据小试验确定的工艺参数设计了改造方案，并进行了为期4个月的生产性对比试验研究．结果表明，使用聚丙烯酰胺助凝剂与次氯酸钙预氧化组合强化混凝工艺在色度去除方面取得良好的效果，可以满足生产的要求。     

超低和极低出生体重儿早期呼吸系统并发症临床分析

目的探讨超低和极低体重新生儿早期呼吸系统并发症的发生情况．认识NICU呼吸管理的重要性。方法对102例超低和极低出生体重儿临床资料进行回顾分析，结果呼吸暂停发生率为69．61％．其中15．49％表现为梗阻性呼吸暂停。新生儿呼吸窘迫综合征（NRDS）发生率48．04％，肺炎占30．39％．痊愈率81．37％。体重越低．RDS、呼吸暂停、肺炎的发生率越高（P〈0．01）。结论对超低和极低出生体重儿密切监护，加强呼吸管理．是救治早产儿的重要环节，可提高成活率和生存质量。