双光路法测量化合物及合金熔体平衡蒸气分压

由(Hg_(1-(?))Cd_x)_y(Te_(1-y))在不同温度下的蒸气分压,可以求得P～T～x的关系,从而指导长晶工艺和液相外延,提高晶体质量.因此,平衡蒸气分压的测定,在理论上和经济上均有重要意义.但是,人们不能用压力计来测量高温、高压下气体的压力,特别是有强烈腐蚀性的气体.压力计将被腐蚀而不能正常工作.再说,压力计也只能测量化合物蒸气压的总压力,而不能测量各组分的分压.因此,测量高温、高压下化合物或合金熔体蒸气分压只能用间接的方法,这给技术上带来一定困难.目前有高压迥流法、露点法及光谱吸收法等.文献[4]报道了单光路法测定CdTe熔体平衡蒸气分压.为了降低光源不稳     

碲镉汞晶体辐射损伤的高分辨电镜研究

用高分辨电子显微镜观察了碲镉汞晶体的显微结构.发现在[110]方向观察时结构有较强的电子辐射损伤.用电子衍射、能谱和高分辨电子显微术的进一步研究表明,电子辐射作用可使碲镉汞晶体析出CdTe;辐射还可使某些区域出现结构无序化.此外,碲镉汞晶体在电子辐射作用下还可发生原子位移,导致超晶格现象的出现.     

酸性介质中TeCd阴极沉积和阳极溶出过程的EQCM研究

运用电化学循环伏安和石英晶体微天平（EQCM）方法研究了酸性介质中CdTe在Pt电极上阴极沉积和阳极溶出过程．结果表明：在含或不合Cd的TeO2溶液中，本体Te沉积的机理不同，但阳极溶出过程相类似；在实验条件下，只有当阴极电位小于．0．2V时，方可发生CdTe电沉积，其阴极电沉积和阳极溶解都是一个3．电子过程，并提出了CdTe电沉积和阳极溶出过程的机理．本文从电极表面质量定量变化的角度提供了CdTe阴极沉积和阳极溶出过程的新数据．     

露点法测定Hg_（1－x）Cd_xTe熔体平衡Hg蒸气压

露点法测定Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ熔体平衡Ｈｇ蒸气压桑文斌，于美云，吴汶海（上海大学，嘉定校区）关键词碲镉汞，平衡汞分压，露点测定ＨｇｏｄＴｅ是当今世界上极其重要的一种红外探测器材料，国内外都十分重视这种材料的研究．无论从熔体生长晶体还是液相外延...     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）

该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1)mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流-电压(I-V),电容-电压(C-V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的.实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符.     

原料组成对玄武岩纤维抗拉强度的影响

影响玄武岩纤维抗拉强度的因素较多,而原料组成是影响该纤维抗拉强度的根本所在。本文分析了玄武岩原料的化学组成与矿物组成,重点研究了原料组成对纤维抗拉强度的影响。结果发现,原料组成主要影响玄武岩熔融过程中熔体的熔融温度、熔体黏度及熔体温度的均匀性,进而影响玄武岩纤维的抗拉强度。     

钙钛矿型系列化合物GdFe_(1-x)Cr_xO_3的水热合成及其性质表征

用温和的水热法合成了具有钙钛矿型ABO3结构的系列化合物GdFe1-x Cr x O3,并对产物最终组成和磁性进行了分析.碱度在反应物中的多少直接控制着最终产物的组成,只有精确的控制碱度才能得到我们预期所需的化学计量比的产物.在合成方法上,水热法与固相法相比,前者能够得到更完美的、结晶度更好的晶体,合成有序度更高的材料.     

(112)面CdTe/Cd1-yZnyTe,Hg1-xCdxTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°,而且朝［1-1-1］晶体学方向倾斜.为了获得较精确的倾斜角值,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度φ之间的准正弦函数.为高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析制备了MBE法生长的Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs(1-12)B多层异质结的横截面薄膜.CdTe/GaAs异质结的HRTEM明场象表明CdTe(1-12)缓冲层相对于GaAs(1-12)衬底朝［1-11-］方向倾斜约3°,并且在Hg0.535Cd0.465Te/CdTe异质结,Hg0.535Cd0.465Te(1-12)外延膜相对于CdTe(1-12)缓冲层在［11-1］方向,即［1-11-］的反方向倾斜约1°.也分析了Hg0.535Cd0.465Te/CdTe/GaAs多层膜之间的倾斜角关系.     

光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作

该文描述了碲化镉（CdTe）探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器（SiS）的设计与制作方法这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150 ℃的温度下完成我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝（Al2O3）薄膜工艺,大小为(10×10×1) mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流 电压（I V）,电容 电压（C V）、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符     

LiNbO3晶体掺杂改性的研究

介绍了多种掺杂LiNbO3晶体的实验研究.用提拉法生长了掺杂LiNbO3晶体,测定了压电性能和非线性光学性能,并测定了某些杂质在LiNbO3晶体中的分凝系数和在表面浓集情况.结果表明,向LiNbO3晶体中掺入Cr,可一定程度地改善其压电性能;掺入Eu、Ce可较大程度地改善其非线性光学性能;Er在ErLiNbO3晶体表面严重富集.这对进一步开展掺杂LiNbO3晶体的应用研究具有重要意义.     

铅晶体蓄电池电极的制备及其特性研究

简述了铅晶体蓄电池电极的制备技术，通过扫描电镜及化学分析研讨了在Pb-Cd沉积层中，Pb：Cd的质量百分比对PbO2电极表面形态及电化学特性的影响．     

添加剂对LAP晶体性能的影响

选用（ＮＨ４）３ＰＯ４作添加剂，生长了不同添加量的ＬＡＰ晶体，实验发现：添加（ＮＨ４）３ＰＯ４后，扩大了晶体生长的过饱和温区，抑制杂晶的生长，提高了晶体利用率。     

CVD金刚石薄膜表面晶形研究

本文较详细地研究了采用ＨＦＣＶＤ方法在Ｓｉ、Ｍｏ等衬底上生长出的不同表面晶形的多晶金刚石薄膜，讨论了生长条件（衬底温度、碳源浓度、反应压强）对金刚石薄膜晶粒形貌的影响．结果表明在ＨＦＣＶＤ方法中，金刚石薄膜表面晶形对生长条件十分敏感，生长条件的微小变化就会导致不同表面晶形的生长．     

硒化锌微米晶的制备、形貌及光致发光性能研究

本文利用硝酸锌作为锌源、硒粉作为硒源,采用水热法在不添加任何表面活性剂的情况下制备了ZnSe微米晶.利用差热(TG-DTA)分析仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对产物进行热稳定性、结构、形貌和光学性能表征.差热结果表明ZnSe微米晶在常温下具有一定的稳定性,在500至600℃之间存在一个很强的放热峰.XRD和SEM研究结果表明,ZnSe微米晶具有闪锌矿结构并且其尺寸大约为4.5μm.从ZnSe微米晶的光致发光谱图中可以看出样品在467 nm处存在一个较强的近带边发射峰,同时存在一个从540 nm至630 nm的很弱的与缺陷相关的发射带,这说明产物的结晶状况良好且具有良好的光致发光性能.     

几种有机配体配位能力的影响因素研究

在合成单晶的实验过程中我们研究了单晶合成中影响几种羧酸类和含氮的有机配体配位能力的各种因素，包括pH值、空间因素、温度等，找到了利用该类配体合成单晶的最佳条件．     

增强PET工程塑料的加工性能

本文从原料干燥，熔体质量和模具温度讨论了增强ＰＥＴ的注射成型加工性能，并对模具温度－结晶度－制品性能的关系作了论述。     

低温下KTaO3陶瓷的介电非线性

用均衡热压法制备的性能优良的KTaO₃陶瓷,通过测量低温下介电常数与偏置电场的关系,研究它们的介电非线性.结果表明,在温度60K以下,介电常数与偏置电场强度有关;温度愈低,介电非线性愈强烈;这与KTaO₃陶瓷在低温下表现出具有量子顺电性质特征相应.根据Devonshire模型,用最小二乘法使实验数据与之相吻合,估算出KTaO₃陶瓷的介电非线性系数值,并与单晶的数据进行比较.结果表明,KTaO₃陶瓷与其单晶一样,也是有希望在超高频低温电子学中实现非线性相互作用的材料.     

静高压下熔态淬火Al_4Mn合金形成准晶的探讨

本文利用静高压熔态淬火的方法,对Al_4Mn合金形成准晶的压力条件及热稳性进行了研究,在0.95GPa～4.45GPa的压力范围以10~2K/s冷却速率淬火Al_4Mn合金,在不同的压力范围得到了不同结构的准晶;并利用非晶态动力学理论就压力在准晶形成中的作用进行了初步的探讨.