Si－GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ．     

Si—GaP（110）异质结的理论研究

用自洽的半经验紧束缚方法，定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ－ＧａＰ（１１０）异质结，得到了主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性：由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半元限晶体构成的ＳｉＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０．４３ｅＶ。     

小晶粒多晶薄膜CuInSe2基太阳能电池平衡态的类非晶态特？…

沿用ａ－Ｓｉ：Ｈ中类施主Ｕｒｂａｃｈ带尾态描述小晶粒多晶薄膜ｐ－ＣｕＩｎＳｅ２禁带内连续分布局域态,揭示ｐ－ＣｕＩｎＳｅ２／ｎ－ＣｄＳ异质结太阳能电池热平衡态性质,讨论类施主Ｕｒｂａｃｈ带尾态参量Ｇｄｏ,Ｅｄ对异质结热平衡性质的,指出这种类非晶态特性分析方法将为进一步研究小晶粒多晶薄膜器件提供新途径。     

小晶粒多晶薄膜CuInSe_2基太阳能电池平衡态的类非晶态特性分析

沿用ａＳｉ：Ｈ中类施主Ｕｒｂａｃｈ带尾态描述小晶粒多晶薄膜ｐＣｕＩｎＳｅ２禁带内连续分布局域态,揭示ｐＣｕＩｎＳｅ２／ｎＣｄＳ异质结太阳能电池热平衡态性质,讨论类施主Ｕｒｂａｃｈ带尾态参量Ｇｄｏ,Ｅｄ对异质结热平衡性质的影响,指出这种类非晶态特性分析方法将为进一步研究小晶粒多晶薄膜器件提供新途径．     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．     

光生电压谱方法对ZnSe／GaAs异质结导带偏移的研究

实验采用光生电压谱方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结界面的光跃迁进行了观察，在光子能量略低于ＧａＡｓ带边的地方，光生电压谱出现了一个峰，通过分析电子与空穴的分离在界面上形成电偶极层对光生电压谱造成的影响，指出该谱峰对应着界面处电子从ＧａＡｓ价带顶跃迁至ＺｎＳｅ导带底的过程，表明ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结的能带排列属于错开型，并得出在温度小于７０Ｋ的低温下ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ异质结导带偏移值为１５０ｍｅＶ±     

Ar^＋离子注入对Ge／GaAs（100）异质结能带偏离影响的XP…

用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）方法研究了界面特性和Ｇｅ／ＧａＡｓ（１００）异质结的能带偏离关系。实验表明，当在清洁的ＧａＡｓ（１００）表面生长Ｇｅ异质结时，其价带偏离（△Ｅｖ）与界面特性无关，而在Ａｒ离子注入的ＧａＡｓ（１００）表面上生长的Ｇｅ异质结，其价带偏离与Ａｒ＾＋离子的浓度分布有关。     

存在集中分布界面态的异质结的C—V特性研究

提出用高频Ｃ－Ｖ法测量半导体异质结中集中分布的界面态的能位位置的方法，并分析了测试温度以及由异质结的能带偏移所引起的载流子积累对测试结果的影响，有这一方法对ＧａＳ／ＧａＡｓ和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ两种异质结进行了测试，发现在这两种异质界面上均存在集中分布的界面态，其能级位置分别为Ｅｃ－０．４１ｅＶ，Ｅｃ－０．５１ｅＶ。     

a—Si／c—Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性     

高性能Si1—xGex／Si异质结内光电子发射红外探测器

利用Ｓｉ分子束外延技术，及硅平面器件工艺，制作了工作温度大于液氮温度的ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质内光电子发射红探测器。探测器的黑体探测率在７７Ｋ时达到１．２＊１０＾１０ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ。     

GeSi／Si多量子阱光波导模特性分析和结构设计

根据普适于任意阱数方波折射率分布的多量子阱光波导模场分布函数和模特征方程,分析了以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中锗含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播系数的影响．结合吸收特点,对波导探测器ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计．     

GexSi1—x／Si超晶格PIN波导探测器电输运过程分析

文章定性和定量地分析了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ超晶格ＰＩＮ波导探测器的电输运过程，具体说明了量子效率，光电流，频率响应带宽等重要参数的物理意义。并将理论分析与实验结果进行比较，结果表明，两者符合得较好。     

GeSi／Si集成光对称定向耦合器

研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器,基于耦合模理论,对其功率传输特性进行了分析,得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度。其结果表明,在所得到的最佳耦合长度处,这种耦合器可将光从其输入波导一端１００％地耦合至另一波导并输出。     

硅基钠米材料发光特性的研究进展

近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如　－Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。     

基于P2P持久存储技术的P2P认证方案

分析了认证方式的安全性、易用性和代价,认为在P2P系统中引入基于密码的认证方式是必要的.利用持久存储技术、可信计算思想和虚拟系统思想,通过构造存储用户信息的分布式的用户数据库和用于认证的可信实体,解决基于密码的身份认证中的两个关键问题:用户的个人信息无法存储及缺乏客观可信的认证实体执行认证,实现基于密码的认证方式.理论分析和原型系统证明了方案的可行性.该方案对于完善P2P的认证方式是一次有益的尝试.     

使用.net实现P2P应用

Peer-to-Peer(P2P)网络被喻为第三代网络,采用的是点对点分散式网络架,它不需要服务器的中转,使 用户与用户之间的连接更加方便、直接．net是微软公司近年来推出的新的软件开发平台,能简单、方便地构 造P2P应用．本文介绍了如何使用．net实现P2P应用的方法．     

支持模糊搜索的结构化P2P算法

传统的结构化P2P系统不支持模糊搜索,针对结构化P2P系统的模糊搜索问题,提出一种改进的P2P算法。为应用系统建立类别树,使用源自类别树的类别向量而非传统的二进制码标识结点和实体,将实体信息存储在类别相近的结点,形成按类别聚集的结点和实体分布。在此基础上,提出路由算法和结点发现算法,实现了模糊搜索功能。实验证明,算法具有较高的查全率。算法已在某服务计算平台中成功应用,该平台已通过验收并连续运行近一年。     

基于跨层特征的P2P流量识别技术

P2P技术飞速发展,应用形式不断多元化,很大程度上满足了人们信息共享和直接交流的需要;但是同时也对其他网络应用产生了很大的影响.因此,对高效可靠的P2P流量识别技术的研究刻不容缓.分析常见P2P流量识别技术的基础上提出一种基于跨层特征的P2P流量识别技术:试验结果表明该技术的可行性和可靠性.     

结构化P2P网络Chord算法研究

简述了P2P网络及其结构模型.在P2P网络中,如何快速准确地定位资源是一个重要的问题.文章分析了目前比较流行的基于分布式哈希表(DHT)的Chord算法,并针对定时更新方案造成的延时问题,采用了事件驱动的方案.     

面向可管理和可控制的P2P内容存取的DRM系统

为了在P2P网络环境下保护数字化音视频内容,提出和实现了一个新的服务于广播电视系统影视资料分发与交换的DRM系统(PCADRM).PCADRM以适用于P2P应用环境的智能节点重叠网络为架构,将权限证书与媒体资源文件分开存储,通过PKI的双向身份认证提供混合模式的权限代理实现对媒体资源文件的访问控制,通过基于视频水印提取和验证的行为监测进行盗版追踪实现事后控制.在PCADRM的实践中证明,所提出的带有智能节点重叠网络的系统架构和采用的数字版权技术,实现了对P2P内容存取的管理和控制.