二维声学极化子自陷判据的重新构建

从二维晶格振动的"简谐近似"的描述出发,考虑电子-声学声子的库伦型相互作用,从源头推导得到了新的描述二维电子-声学声子耦合的哈密顿量.采用类Huybrechts变分法讨论了二维声学极化子自陷的可能性.结果表明:二维声学极化子由自由态向自陷态转变对应的临界电子-声子耦合常数随声子截止波矢的增大而减小;二维声学极化子自陷比三维情况要容易.     

论平板晶体中声学极化子自陷转变的可能性

本文采用类Huybrechts变分法讨论了声学极化子在平板晶体,这种实际存在的准二维结构中自陷的可能性.并得到结论:声学极化子在Ⅲ-Ⅴ族化合物和大多数卤碱化物的平板结构中自陷的可能性很小;但空穴极化子在某些Ⅲ-Ⅴ族化合物,如GaN和AlN的平板结构中能够自陷.     

极性晶体中极化子的性质

本文研究极性晶体中极化子的性质，采用微扰法导出了极性晶体中极化子的基态能量和有效质量。在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时，讨论对极化子性质的影响，结果表明．反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用对极化子自陷能的影响随耦合常数的增加而增大。     

单层石墨烯中声学极化子自陷的相关问题

研究了单层石墨烯中的电子-声学声子相互作用,并导出了单层石墨烯中声学极化子系统哈密顿量。利用极化子基态能量随电子-声学声子耦合常数的变化关系,研究了声学极化子在单层石墨烯的自陷转变。结果表明,在单层石墨烯中,靠近Dirac点的电子不能形成常规的极化子,进而在该点上也不能实现声学极化子的自陷转变。在Dirac点外,声学极化子的自陷情况与理想二维系统的理论描述相一致。     

影响独立量子阱中声学极化子自陷转变的因素

利用Huybrechts变分法计算了独立量子阱中声学极化子基态能量及其数值导数随电子-声学声子耦合常数的变化关系,探讨了影响独立量子阱中声学极化子自陷的因素。得到了声学极化子自陷的判别标准随阱宽的增大而增大和CP值越小越有利于极化子发生自陷转变的结论。     

极性晶体板中极化子的基态能量和有效质量

应用Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ（ＬＬＰ）方法研究极性晶体板中极化子的性质,给出极化子基态能量和有效质量的解析表达式,并以ＧａＡｓ极性晶体板为例进行数值计算,讨论了体纵光学模声子和表面光学模声子对极化子性质的影响     

二维极化子有效质量与温度的关系

本文计及晶格的原子结构讨论了极化晶体中二维极化子的性质。用二次量子化方法处理晶格振动及其与电子的相互作用,导出了二维极化子的自陷能和有效质量,给出了二维极化子有效质量与温度的关系。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

极性晶体中声学形势表面极化子的温度依赖性

有些极性晶体，电子与表面光学声子（ＳＯ）耦合强，与表面声学声子（ＳＡ）耦合弱，本文采用线性组合算符方法，导出了极性晶体中声学形变势表面极化子的振动频率和有效哈密顿量，并对两种极限情况进行了讨论。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法，研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合的基态能量，得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能，对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

极性晶体中的慢速运动极化子

本文计及电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响，用改进了的线性组合算符法讨论了极性晶体中的慢速运动极化子的性质，给出了极化子基态能量，有效质量和围绕电子的平均虚声子数的解析式，在极限情形下，得到了中间耦合理论和强耦合理论的结果，在普适耦合情形，给出了数值计算结果，在电子－声子耦合常数α≥7．2时，得到了较强耦合理论更为合理的基态能量上限，以及围绕电子的平均虚声子数和极化子的有效质量。     

有限温度下极性晶体中表面磁极化的有效质量

在磁场中有不少的极性晶体，电子和体纵光学声子的耦合弱，而与表面光学声子的耦合强。本文讨论电子和体纵光学声子耦合弱，与表面光学声子耦合强时温度对表面磁极化子的特性的影响，用改进的线性组合算符法研究表面磁极化子的振动频率和有效质量的温度依赖性。对AgCl晶体进行了数值计算，结果表明，极化子的振动频率和有效质量随温度的升高而减小。     

晶体内弱耦合自旋磁极化子的基态能量和有效质量

本文采用么正变换、线性组合算符和微扰法研究了晶体内弱耦合自旋磁极化子的基态能量和有效质量。当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间的相互作用时 ,讨论了电子自旋对晶体内弱耦合磁极化子的基态能量和有效质量的影响。对多种晶体所作的数值计算结果表明 :尽管磁场B较弱时 ,电子自旋作用也是较大的。     

极性晶体中界面强耦合激子的性质

采用线性组合算符和变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算。结果表明,轻空穴激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子—空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;轻空穴激子和重空穴激子的诱生势不仅与电子—空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著。     

极性半导体中通过形变势表面磁极化子的有效质量

本文研究了极性半导体中表面磁极化子的有效质量。采用改进了的线性组合算符法导出了极性半导体中与形变势相互作用的表面磁极化子的有效哈密顿量。讨论表面磁极化子有效质量的性质     

极性晶体中强耦合慢运动磁极化子的有效质量

本文利用线性组合算符法和么正变换研究了极性晶体内强耦合慢运动磁极化子的特性。导出了磁极化子的基态能量、有效质量和回旋共振频率，作了数值计算，结果表明：磁极化子的基态能置随磁场B的增加而减少，有效质量和回旋共振频率随磁场B的增加而增大。     

多原子极性晶体中强耦合表面极化子的内部激发态

研究多原子极性晶体中强耦合表面极化子内部激发态的性质 ,采用线性组合算符和么正变换方法计算多原子极性晶体中强耦合表面极化子的第一内部激发态的能量     

量子阱中极化子性质的温度关系

利用格林函数理论研究了量子阱中极化子性质对温度的依赖关系,并首次引入准二维格林函数．在理论上,考虑到所有激发态对极化子基态的影响,并以ＧａＡｓ／Ｇａ０．７５Ａｌ０．２５Ａｓ量子阱为例进行了数值计算．结果表明,在０～１００Ｋ范围内,电子的自能随温度的升高而减小,有效质量随温度的升高而增大．     

N维极性晶体中强耦合极化子的基态能量及有效质量

本文采用线性组合算符法,在强耦合范围内讨论了N维极性晶体中光学大极化子的基态,导出了极化子的基态能量和有效质量.