热处理温度对AlP/SiO_2纳米复合材料发光的影响

对不同温度热处理的xAlP/1 0 0SiO2 纳米复合材料的光致发光进行了研究 .结果表明 ,50 0℃热处理的样品光致发光谱只有位于 585nm附近的发光峰 ,它来源于表面态和缺陷复合发光 .6 0 0℃热处理的样品有两个发光峰 ,分别位于 585nm和6 35nm附近 .分析认为 ,6 35nm处的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光 ;材料热处理温度的提高有利于晶粒的生长 ,从而使表面态和缺陷发光明显减弱 ,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰     

热处理温度对AIP／SiO2纳米复合材料发光的影响

对不同温度热处理的xAlP/100SiO2纳米复合材料的光致发光进行了研究。结果表明,500℃热处理的样品光致发光谱只有位于585nm附近的发光峰,它来源于表面态和缺陷复合发光,600℃热处理的样品有两个发光峰,分别位于585nm和635nm附近。分析认为,635nm的发光是被弛豫至表面态的电子和空穴通过隧穿复合发光;材料热处理温度的提高有助于晶粒的生长,从而使表面态和缺陷发光明显减弱,出现另一由于隧穿复合产生的发光峰。     

快速热退火对a-Si:H/SiO2多层膜光致发光的影响

采用在等离子体增强化学气相沉积(PFCVD)系统中沉积a-Si：H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a-Si：H／SO2多层膜．用快速热退火对a-Si：H／SiO2多层膜进行处理，制备nc—Si/SiO2多层膜，研究了这种方法对a-Si：H／SiO2多层膜发光特性的影响．研究发现对a-Si：H／SiO2多层膜作快速热退火处理，可获得位于绿光和红光两个波段的发光峰．研究了不同退火条件下发光峰的变化．通过对样品的TEM、Raman散射谱和红外吸收谱的分析，探讨了a-Si：H／SiO2多层膜在不同退火温度下的光致发光机理．     

S_2分子~3Δ_g(3dπ_g)里德堡态双光子共振电离的研究

在306-321 nm单光子波长范围内采用REMPI光谱方法研究S2分子3Δg里德堡态光谱,第一次报道了混合同位素分子32S34S的REMPI光谱,得到3Δg态精确的分子常数,对分子32S32S,ωe=800.1(25)cm-1,ωeχe=3.4(7)cm-1,Be=0.31564cm-1,αe=0.00165cm-1,对同位素分子32S34S,ωe=788.0(8)cm-1,ωeχe=3.3(2)cm-1,Be=0.30613cm-1,αe=0.00160cm-1.根据32S32S和32S34S的谱带基线确定同位素位移(Δν=0ν(32S32S)-ν0(32S34S)),0-0谱带同位素位移为0.2(5)cm-1,1-0谱带为11.8(3)cm-1,2-0谱带为23.3(5)cm-1,对于0-1谱带,为-10.2cm-1.讨论了3Δg态不对称自旋-轨道分裂,不对称分裂是源于1Δ2g态扰动.     

一种估算砂岩核磁T_2谱新方法

根据核磁共振弛豫机制,基于三维数字岩心技术建立一种估算砂岩核磁共振横向弛豫(T_2)谱的新方法。采用过程模拟法重建砂岩三维数字岩心,通过Delaunay剖分将砂岩微观孔隙结构划分为多个四面体孔隙单元,再用几何方法和Monte Carlo方法相结合求出每个孔隙单元的表面积与体积之比(S/V),进而获得砂岩模拟的核磁T2谱。经过大量模拟试验筛选参数,减小计算误差。考虑单峰态和双峰态核磁T_2谱,模拟结果和实验结果基本吻合。该方法有助于研究粒度分布、孔隙结构等对岩石核磁共振响应的影响。     

NS和SO自由基的激光诱导荧光激发谱研究

在超声射流条件下,采用激光诱导荧光(LIF)光谱技术对含硫双原子自由基NS和SO进行了光谱研究.测定了NS在34500-39300cm-1范围内的激光诱导荧光激发谱,并归属为N32S自由基的B2Π1/2-X2Π1/2和B2Π3/2-X2Π3/2跃迁,和同位素分子N34S的B2Π1/2-X2Π1/2跃迁,由光谱振转分析结果给出了N32S和N34S的B态的平衡光谱常数.同时实验测定了SO在34000-43000cm-1范围内的激光诱导荧光激发谱,将其归属为SO自由基的B3Σ--X3Σ-跃迁,并测量了B态部分振转能级的荧光辐射寿命.     

α-Al2O3(0001)表面电子结构的理论研究

采用基于密度泛函理论的局域密度近似平面波超软赝势法，在周期边界条件下的k空间中，对最外表面终止层为单层Al的α-Al2O3(0001)表面结构进行了弛豫与电子结构计算研究．通过分析表面弛豫前后表面电子密度、态密度变化，表明表面能级分裂主要来自于O的2p轨道电子态变化，α-Al2O3(0001)表面明显地表现出O的表面态．通过电子局域函数图，进一步分析了表面成键与表面电子分布特性．     

四元环芳香体系N2S2的量子化学计算研究

在UB3L YP／6-311 G(d，P)、UB3L YP／6-311 G(3df，2p)、UB3L YP／AUG-CC-PVTZ，UQCISD／6-311 G(d，p)水平优化得到了N2S2单、三重态的平衡几何构型，发现单重态N2S2为能量最低的稳定分子。用优化的最稳定单重态N2S2结构在UB3L YP／6-311 G(d，p)／／UB3L YP／6-311 G(d，P)，UB3L YP／6-311 G(3df，2p)／／UB3L YP／6-311 G(3df，2p)计算同键反应芳香性稳定化能(HASE)。用基团加和法(group increment approach)在UB3L YP／6-311 G(d，P)／／UB3L YP／6-311 G(d，P)和UB3L YP／6-311 G(3df，2p)／／UB3L YP／6-311 G(3df，2p)水平计算磁化率增量(A)，计算结果表明N2S2分子的键长发生了平均化。同键反应芳香性稳定化能和磁化率增量均为负值．表明N2S2具有芳香性．实现了N2S2分子芳香性的几何、能量和磁性的判定．     

微波法合成橙红色长余辉磷光粉Gd2O2S:Sm3+

首次采用微波法合成橙红色长余辉磷光粉：Gd2O2S:Sm^3 ，并表征了其结构，激发、发射光谱和余辉衰减曲线，XRD分析证实其为单相的硫氧化钆，光致发光光谱显示Sm^3 的3个特征发射(^4G5/2→^6HJ，J=5／2，7／2，9／2)，该磷光粉经紫外和可见光激发后呈现出长时间明亮的余辉发射，是一种性能良好的新型长余辉发光材料。     

锗量子点超晶格的光学特性

对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究．对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论，通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法；首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模，研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性．     

Y2O2S:Eu3+,Zn2+,Ti4+荧光体的缺陷及红色长余辉发光性质

采用高温固相法合成了红色长余辉材料Y2O2S:Eu3+,Zn2+,Ti4+,实现了余辉发光中心和缺陷中心之间的能量传递。通过XRD、荧光发射和激发光谱、余辉发射光谱与衰减曲线、色坐标和热释光谱测试手段对Y2O2S:Eu3+,Zn2+、Y2O2S:Eu3+,Ti4+、Y2O2S:Eu3+,Zn2+,Ti4+和Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+进行了结构与性能的表征,发现其荧光发射与余辉发射基本一致,红色余辉发光主峰位于625 nm附近,来源于Eu3+的5D0→7F2跃迁发射。相比而言,Y2O2S:Eu3+,Zn2+,Ti4+余辉发光性能最好,可持续1.5 h左右。     

Er3+/Yb3+共掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷中新的能量传输过程

为了研究铒离子的发光和氟氧化物玻璃中形成的氟化物微晶的关系，制备了三种掺饵的氟氧化物玻璃，用X射线衍射分析了样品中形成的氟化物微晶，从632.8nm激光激发时间的发射光谱中，首次发现了一种新的氟氧化物玻璃基质发光的现象。在氟氧化物玻璃中如果没有形成氟化物微晶，铒掺杂于玻璃中,632.8nm激光激发时激发态的铒离子容易将能量传递给基质并引起基质发光；如果将镱和铒离子共同掺入氟氧化物玻璃中，容易形成含稀土铒镱的氟化物微晶，含微晶的玻璃又叫玻璃陶瓷，由于氟化物的声子能量较小，632.8nm激光激发时激发态的铒离子的无辐射弛豫几率较小，铒离子的发光较强，在玻璃中形成含稀土氟化物微晶可以减小基质的发光强度，这是提高铒离子发光的有效手段之一。     

红色荧光粉YAlO3:Eu3+Cu+的制备和发光特性

研究了化学沉淀法制备YAP:Eu3+Cu+荧光粉,得到适宜工艺参数.用XRD和PL谱分别表征前驱体的晶体结构和荧光粉的荧光特性.前驱体的焙烧温度为1 200℃,焙烧时间为2 h;Eu3+的适宜掺杂浓度为3%,而且在398 nm紫外光激发下荧光粉呈现红色光谱,这是由于Eu3+的4fn电子组态内5D0→7FJ(J=0～4)的跃迁发射,由5D0→7F2的发射特性和发射强度表明Eu3+主要处于非反演对称中心.Cu+增强了YAP:Eu3+的发光强度是因为Cu+→Eu3+之间的能量传递,Cu+对Eu3+有敏化作用.     

红色荧光粉YAlO3：Eu^3＋Cu^＋的制备和发光特性

研究了化学沉淀法制备YAP：Eu3＋Cu＋荧光粉,得到适宜工艺参数.用XRD和PL谱分别表征前驱体的晶体结构和荧光粉的荧光特性.前驱体的焙烧温度为1 200℃,焙烧时间为2 h;Eu3＋的适宜掺杂浓度为3%,而且在398 nm紫外光激发下荧光粉呈现红色光谱,这是由于Eu3＋的4fn电子组态内5D0→7FJ（J=0～4）的跃迁发射,由5D0→7F2的发射特性和发射强度表明Eu3＋主要处于非反演对称中心.Cu＋增强了YAP：Eu3＋的发光强度是因为Cu＋→Eu3＋之间的能量传递,Cu＋对Eu3＋有敏化作用.     

凝胶-燃烧法合成 Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+ 蓝色长余辉发光材料

采用凝胶-燃烧法合成了Sr2MgSi2O7:Eu2+0.02,Dy3+0.04蓝色长余辉发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征. 结果表明:Sr2MgSi2O7:Eu2+0.02,Dy3+0.04的晶体结构为四方晶系. 激发光谱为一宽带,最大激发峰位于402 nm处,次激发峰位于415 nm处,与高温固相法和溶胶-凝胶法相比,出现了明显的红移现象;发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于468 nm附近,是典型的Eu2+的4f5d→4f跃迁导致的. 与传统高温固相法相比,凝胶-燃烧法具有离子分散均匀、合成温度低、操作简单等优点,所得样品余辉时间长,可达5 h以上.同时探讨了多种工艺条件对其发光性能的影响.     

2—溴羧酸气相热消除反应及其取代基效应的理论研究

用半经验分子轨道方法ＡＭ１对２－溴－丙酸与２－溴－３－甲基－丁酸的气相热消除反应的微观机理进行了细致的讨论，同时研究了不同取代基对α－溴代酸气相热消除反应的影响。研究结果表明：α－溴代酸气相热消除反应的机理均为２步反应，具有五元环过渡态的第一步过程是整个反应的速控步骤，这与实验工作者的预测一致，计算的取代基效应与有机电子论的预测相一致。     

原子电四极矩E2光谱跃迁几率的算符形式和多电子效应研究

利用多组态Dinac-Fock广义扩展平均能级（MCDF－EAL）方法系统地计算了铍LiI3d→2s,3p→2p,碳CIII2s3d1D2→2s21so,2p21S0,钙C I功43枯1D2→4s21So,钛TiIII3d23p→323F,3d4s3D→3d23F,铜CuII 3d94s1D2→3d10 1S0,锌ZnI 4s4d1D2→4s2 1s0和铯CsI 5d→6s等电四极矩E2光谱跃迁的能级间隔,跃迁几率和振子强度,计算中考虑了重要的核的有限体积效应,Breit修正和QED修正,所得结果和最近的实验数据及其它理论计算进行了比较。     

单水协同作用下苯丙氨酸分子的手性转变机制

基于密度泛函理论B3LYP/6\|311+G(2df)水平上的计算, 研究单水协同作用下的苯丙氨酸分子手性转变反应过程. 寻找得到反应过程中4个中间体与5个过渡态的各极值点结构, 绘制单水协同作用下完整的苯丙氨酸分子手性转变路径反应势能面, 并分析各极值点的几何与电子结构特性. 结果表明： 单水协同作用下S型苯 丙氨酸分子手性C上的H原子以羧基上的O原子为桥梁, 转移至手性C原子的另一侧, 实现了从S型到R型苯丙氨酸分子的手性转变; 单水协同作用下该路径有4个中间体和5个过渡态, 最大的反应能垒为200.588 2 kJ/mol, 来源于第四个过渡态TS₂-R-Phe&1H₂O-2.     

双水复合条件下天冬酰胺分子的手性转变机制

基于密度泛函理论B3LYP,在6-311+G(2df)基组水平上研究双水复合条件下的天冬酰胺分子手性转变过程.寻找天冬酰胺分子手性反应过程中各过渡态与中间体的极值点结构,绘制双水复合条件下完整的天冬酰胺分子手性转变路径反应势能面,并分析各极值点的几何和电子结构特性.结果表明:双水复合条件下S型天冬酰胺分子手性C原子上的H原子以羧基上的O原子为桥梁,转移至手性C原子的另一侧,实现从S型到R型天冬酰胺分子的手性转变;双水复合条件下该路径有4个中间体和5个过渡态,最大的反应能垒为317.948 1kJ/mol,来源于第4个过渡态TS2-R-Asn2H2O-1.     

非限域单体和水环境下Leu分子的手性转变机制

基于密度泛函理论B3LYP,在6-311+G(d,p)基组水平上研究非限域单体和水环境下亮氨酸(Leu)分子的手性转变机制.通过寻找反应过程中各极值点的结构,绘制水环境下Leu分子的手性转变路径反应势能面,并分析各极值点的几何和电子结构特性.结果表明:水环境下S型Leu分子手性C原子上的H原子以羧基上的O原子为桥梁,转移至手性C原子的另一侧,实现了从S型到R型Leu分子的手性转变;水环境下该路径有4个中间体和5个过渡态,来源于第一个过渡态TS1-S-Leu1H_2O-1的最大反应能垒为57.235 9kJ/mol,单体Leu分子手性转变第一个过渡态TS1-S-Leu的最大反应能垒为145.452 7kJ/mol.即单个水分子作为H转移桥梁可降低反应能垒.