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1.
锯齿型硒化锗(ZGeSeNR)是准一维纳米结构的材料,由于其具有特殊的维度特性及优异的电子特性而成为研究热点.本研究使用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,系统地研究了边缘结构对锯齿形硒化锗纳米带的电子结构及输运性质的影响.能带结构图显示边缘裸露的ZGeSeNR、P和S原子钝化边缘的ZGeSeNR具有导电的金属性质,用F,Cl, H原子和OH-根离子钝化处理边缘后的ZGeSeNR则表现出半导体性质.基于不同边缘结构的ZGeSeNR构建金属-半导体界面的两电极器件模型,计算出的器件电压-电流曲线证实了边缘态对整流效应的调控作用.特别是裸露-H原子钝化的锯齿型GeSe纳米带(H-ZGeSeNR)器件中的整流比可达到8.7×105.改变该器件结构中散射区内钝化原子的数目来调控整流特性,最高可得到1.1×107的整流比.研究结果对设计ZGeSeNR纳米整流器提供了重要参考. 相似文献
2.
Ag掺杂ZnO纳米晶的发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
以Zn(NO3)3.6 H2O,AgNO3为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和ZnO∶Ag纳米晶,利用XRD,SEM,TEM和PL谱对样品的结构和性能进行了研究.结果表明∶掺杂前后产物粒子形状均为球形,结晶良好,属六方晶系结构且无杂相;Ag占据部分Zn格位或填隙位进入ZnO晶格,掺入量约为1%(摩尔分数);纯ZnO平均粒径约为40 nm,掺杂样品的平均粒径约为45 nm,Ag掺杂轻微地影响ZnO晶粒生长.PL谱显示Ag掺杂能够调整ZnO纳米晶的能带结构?提高表面态含量,进而使得ZnO:Ag纳米晶的可见发光能力显著增强. 相似文献
3.
以金为催化剂,利用热蒸发方法合成掺杂铒(Er)的ZnS纳米带。X射线衍射(XRD)结果表明Er掺杂的ZnS纳米带仍具有六方纤锌矿结构。采用激发波长为244nm激发样品,发现Er掺杂的ZnS纳米带的光致发光(PL)谱中共有5个发光峰,它们的位置为437,520,549,673和805nm,分别对应ZnS纳米带本身缺陷,Au离子掺杂,以及Er~(3+)离子~4S_(3/2)-~4I_(15/2),~4F_(9/2)-~4I_(15/2)和~4I_(9/2)-~4I_(15/2)跃迁引起的发光。 相似文献
4.
氧化锌是具有宽带隙和优良光电、压电等性能的半导体材料,且化学稳定性高,在功能器件的研制中具有广泛的用途,因而受到人们越来越多的重视。纳米氧化锌由于它的电子结构特性和潜在的应用而受到广泛的关注,尤其是其优异的光学性能越来越受到人们的重视。本文对纯纳米氧些锌和掺杂型纳米氧化锌的结构、制备及光学性能进行了综述。 相似文献
5.
利用第一性原理研究了2种边缘掺杂硼方式的扶手椅型石墨烯纳米带。结果表明:硼掺杂使得沿纳米带方向的晶格常数发生改变,并且在能带隙中出现新的能带。对于原胞中添加4个硼原子的掺杂方式(B1-7AGNR),沿纳米带方向的晶格常数有所增加,在带隙中出现了4条能带,其中2条能带来自于硼的2pz轨道,其余2条能带主要来自于硼的2px和2py轨道。对于原胞中添加2个硼原子的掺杂方式(B2-7AGNR),沿纳米带方向的晶格常数有所减小,在带隙中出现了2条能带,其来自于硼的2pz轨道。 相似文献
6.
溶胶-凝胶法合成ZnO和Al掺杂ZnO(AZO),通过降解甲基橙(MO)评价纳米颗粒的光催化性能.与纯ZnO相比,Al掺杂使ZnO晶粒尺寸减小,比表面积增加.此外,Al掺杂诱发高浓度缺陷,从而调整ZnO晶体的能带结构.电子从导带跃迁到低能态的缺陷能级,能量差与可见光的能量吻合,从而大幅提高光催化过程中对可见光的利用率.AZO样品在可见光范围内都表现出优异的光催化性能,并且a(Al)=3%掺杂的ZnO表现出最佳的光催化性能,60 min降解效率为94%. 相似文献
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在温度0℃下,采用阳极氧化法分别在15%wt的硫酸水溶液、0.3mol/L的草酸水溶液和0.3mol/L的磷酸水溶液中制备了多孔氧化铝薄膜.电压分别为18V、40V和90V,氧化时间是1h.利用扫描电子显微镜(SEM)对多孔氧化铝薄膜的结构形貌进行了表征,测量了Al/Al2O3界面的电流电压(I-U)特性曲线,并对多孔铝整流特性的机理进行了分析,很好地解释了交流电沉积的原因.随着科技的发展,人类将通过利用多孔铝的整流特性制备出各种各样的性能优良的材料和器件. 相似文献
8.
金属-染料包覆共掺杂复合物的制备与热学特性 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了一种基于包覆共掺杂结构金属纳米粒子偶氮染料复合物(MNPADC) 合成的新方法,可使偶氮染料甲基橙定向吸附于球形金属银纳米粒子表面形成染料对纳米粒子的包覆结构,再将具有该结构的掺杂剂掺于聚合物基质聚乙烯醇中,制备出MNPADC复合材料薄膜.紫外可见吸收光谱表明,该材料在波长为400~450 nm的波段具有良好的光吸收特性.热质量分析发现,其热学特性更适合于光存储的要求.实验结果表明,该材料的设计方法为改善有机光存储介质材料的热学性能提供了简便而有效的途径. 相似文献
9.
掺杂铜和钒的纳米二氧化钛的光催化性能 总被引:14,自引:0,他引:14
采用溶胶-凝胶-水热后处理法制备掺杂铜和钒的纳米二氧化钛,并对所得的纳米二氧化钛光催化剂的成分、结构与光催化性能的关系进行研究。用X射线衍射、荧光光谱、紫外-可见漫反射光谱对其进行分析。研究结果表明:其晶粒直径约为6nm;电子-空穴分离效率提高;对可见光响应显著增强。通过光催化降解模拟实验,发现该二氧化钛粉末对甲基橙有机废水的降解率达到97.9%,所得到的掺杂纳米二氧化钛光催化剂扩大了对可见光响应范围,提高了光催化降解效率。 相似文献
10.
《陕西理工学院学报(自然科学版)》2016,(2):1-5
利用水热法在硼掺杂金刚石膜上生长铕(Eu)掺杂Zn O纳米棒(Zn O:Eu),其形貌与Eu的掺杂量密切相关。掺杂0.01 mol/L Eu时对Zn O纳米棒生长影响较小,随着掺杂浓度的增加,Zn O纳米棒顶部出现"尖端聚集现象",这种聚集现象是和纳米棒制备过程中电荷积累相关的,稀土元素能提供更多的电荷,使Zn O纳米棒顶端产生强的局部电场,相近纳米棒尖端会聚集一起。制作了以p型金刚石为衬底生长的Zn O:Eu异质结,并对其电学性能深入研究,实验结果表明该异质结对整流特性有良好反应。 相似文献
11.
掺杂对电致发光器件的电学性能和光学性能有着至关重要的影响。本文在总结分析实验结果的基础上 ,提出了一个发光效率随掺杂浓度而变化的理论模型 ,系统地论述了掺杂浓度对器件的电导率及发光效率的影响 相似文献
12.
13.
多针对板电晕放电中针尖半径对伏-安特性影响 总被引:4,自引:1,他引:4
研究了多针对板电晕放电中针尖半径a变化时放电电流I和外加电压V的关系.实验得到,当a在0.3 mm到1.0 mm之间时,对I的变化影响不大;在a变小过程中,I值略有增加;当a小于0.1 mm时,I值有明显的提高,前期研究中近似得到的伏-安关系式I=CV(V-Vs)中C反比于dln(2d/a),这同实验结果矛盾.分析指出伏-安关系式中Vs引入不正确,以阈值场强Ec处电压Vc代替Vs,修正伏-安关系式,最终得到实验和分析一致的结果,并解释了多针对板放电中a对伏-安特性的影响. 相似文献
14.
通过改变红色荧光材料DCJTB的掺杂浓度设计了四个不同结构的器件,当DCJTB的掺杂浓度为0.8%时,平衡了器件中电子和空穴的传输能力,使载流子复合形成激子的几率增加,即使载流子的传输能力最优,又有效地抑制了器件的荧光淬灭效应,提高了器件的性能,器件的最大亮度为8 898 cd/cm2,最大效率为1.7 cd/A。 相似文献
15.
彭爱华 《南京邮电大学学报(自然科学版)》2009,9(21)
从多孔硅的最基本的器件结构——金属/多孔硅/硅入手,研究这种结构的电学性质:整流特性,对进一步理解和提高多孔硅的电致发光和多孔硅在其它一些电学方面的应用有着积极的意义。用电化学腐蚀法制得多孔硅,对多孔硅电化学氧化和氮气气氛下退火,研究这两种后处理方式对多孔硅整流特性的影响。多孔硅经高浓度硫酸电化学氧化后,整流特性消失;多孔硅经氮气气氛下退火后,整流特性增强;分析了相应的机理。 相似文献
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17.
双势垒系统伏安特性的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
通过自洽求解维格纳方程和泊松方程,计算了双势垒系统的偏压隧道电流,讨论了双势垒系统的结构参数的变化对其伏安特性的影响,数值模拟的结果对这类电子器件的设计有一定的指导意义。 相似文献
18.
用NiO替位掺杂对(Mg_xCo_(1-x))O系氧敏材料的性能进行了研究,通过测量样品在不同氧分压条件下的高温平衡电导,以及用XRD,SEM,差热分析等手段对样品进行了分析。实验发现替位掺杂的NiO强烈地影响材料的稳定性、缺陷结构及微观结构等. 相似文献
19.
准分子激光屈光矫正理论研究 总被引:2,自引:0,他引:2
梁雅秋 《辽宁大学学报(自然科学版)》2000,27(4):340-343
详细剖析了国际上最先进的美国LaserSight飞点扫描式准分子屈光矫正治疗仪的工作过程,分析了准分子激光与生物组织的相互作用机制,从理论上推导出精确的屈光矫正公式。 相似文献
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兴奋剂与反兴奋剂的对立统一 总被引:2,自引:0,他引:2
李建生 《长春师范学院学报》2007,26(5):99-102
兴奋剂存在的历史悠久,并朝着高科技的方向发展.兴奋剂严重危害公平与健康,世界体坛兴奋剂与反兴奋剂的斗争是一个长期的复杂的问题. 相似文献