内壳层电子电离对NaⅨ电子碰撞电离截面和速率系数的影响

在库仑-玻恩交换近似及我们改进的屏蔽常数定义和算法的Z-标度类氢模型下,计算了NaⅨ被电子碰撞的共振电离截面和速率系数.研究了内壳层电子电离对截面和速率系数的影响.     

AlⅪ离子电子碰撞激发速率系数

本文在对屏蔽常数的计算作了较大修改后的Z标度类氢模型下,计算了AlⅪ的电子碰撞激发速率系数。     

18Ar^q＋（q=1,2）与H和He碰撞的电荷剥离截面

采用二体碰撞近似和托马斯费米近似计算了多电荷离 子１８ Ａｒｑ＋ （ ｑ ＝ １ ,２） 与中性原子 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面以及离子势函数和电子动量分布．计算结果与文献［５］ 中数据符合得较好．所用的计算公式和计算程序可以计算任何一个多电荷离子 Ａｑ＋ 与 Ｈ 和 Ｈｅ 碰撞的电荷剥离截面,因而具有一定的普遍意义     

Sn5＋离子双电子复合速率系数

利用基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code （FAC）程序包,详细研究了Sn5离子的双电子复合（DR）过程.通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4d,4p壳层电子激发是主要的DR通道.计算得到了俘获电子至不同壳层n的总DR速率系数,并外推到了n=100.     

类锂离子C~（3＋）的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－玻恩各级近似下计算类理离子Ｃ￣（３＋）的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃｚ的结果相一致。     

类钠铜、硒和锝离子电子碰撞直接和非直接电离速率系数

本文在Z标度类氢模型算法下,采用库仑-玻恩交换近似和改善的屏蔽常数定义,计算了类钠铜离子和类钠水窗两端的硒和锝离子的内外壳层电子的电子碰撞直接电离和非直接激发自电离的速率系数和截面.     

Ar^＋和Cl^＋的电子碰撞电离截面测量

建立了一个离子束与电子束叉碰撞电离实验装置。测量了电子能量在３０～５００ｅＶ范围内Ａｒ＾＋和Ｃｌ＾＋的单电子电离截面。截面的误差约为±１３％。     

激发态Cs(6P)原子间碰撞能量转移截面

目的研究Cs(6P3/2)+Cs(6P3/2)→Cs(nLJ=8S1/2,4F5/2,4F7/2)+Cs(6S1/2)碰撞能量合并过程。方法利用一台单模半导体激光器共振激发6P3/2态,利用另一与泵浦激光束反向平行的单模激光束作为吸收线探测激发态原子密度及其空间分布,吸收线调至6P3/2→8S1/2跃迁,并可平行于泵浦激光束移动。由激发态原子密度和谱线的荧光强度比得到碰撞能量合并的截面。结果碰撞转移到8S1/2,4F5/2和4F7/2的截面分别是(5.43±1.56)×10-16cm2,(4.89±1.16)×10-16cm2和(6.17±1.60)×10-16cm2。结论计算结果是准确的并与其它实验结果进行了比较。     

电子碰撞Li＋离子（e,2e）反应微分截面中的干涉效应

利用修正BBK理论,计算了能量为145．6eV的入射电子碰撞Li (1s),(e,2e)反应三重微分截面（TDCS）,并讨论了交换,关联与干涉效应及入射道库仑场对TDCS的重要影响。     

Au离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了Au33+离子由基态俘获一个电子形成双激发态(3d104s24p64d10)-1nln'l'(n=4~6,n'=4~15)的双电子复合(DR)过程。分析考虑了双激发态j=4d94f15p级联辐射退激到末态f=4d94fn'l'(n'=9,12.l'=0,2),可知DAC效应对DR速率系数有不可忽略的影响。研究分析了4d电子激发到不同壳层的DR速率系数以及在综合了分析得到对Au33+离子DR过程有明显贡献的各种因素后,进一步得到了总DR速率系数。     

利用有效核电荷（Z）计算来说明ns和（n—l）d轨道的相对能量

本文介绍一种通过有效核电荷（Ｚ）计算来解释ｎｓ和（ｎ－１）ｄ轨道相对能量的方法。     

等电子原子模型与有效核电荷

在等电子原子模型及数据的基础上，从理论上探讨和确定了元素的有效核电荷（Ｚｅ），电子屏蔽系数（Ｓｋ）及其变化规律。用元素电离势实验值检验的结果比较满意。     

一种获得分子电离截面和共振态无辐射弛豫速率的方法

利用动力学速率方程,得到了一种获得分子三能级系统的电离截面δ_m~′和无辐射弛豫速率γ的新方法.     

W~(40+)离子双电子复合速率系数的理论研究

利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细研究了类硒W40+离子从基组态3s23p63d104s24p4俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s24p4)-1 nln′l′(n=4~6,n′=4~100)的双电子复合(DR)过程.通过对不同壳层电子激发的DR速率系数的比较,得到了主要的电子激发DR通道,并且发现由4p电子激发的DR速率系数对总DR速率系数有重要贡献.在1~5×104 eV温度范围内,计算得到了n′=4~16的DR速率系数,并外推到n′=100,进而得到总DR速率系数.给出了Δn=0,1,2三类芯激发对总DR速率系数的贡献,发现对总DR速率系数的主要贡献来自于Δn=0,1的芯激发.对总DR速率系数和辐射复合(RR)以及三体复合(TBR)速率系数进行了比较,发现DR速率系数在研究的温度范围内远大于TBR和RR速率系数.为了方便应用,对总DR速率系数进行了参数拟合.     

稀土离子^144Nd^＋和H2分子碰撞的单电子俘获截面的测量

建立了一套用于单价离子与气体分子碰撞的单电子俘获截面测量的装置,用复旦大学加速器实验室的３０ｋｅＶ同位素分离器测量了１０－３０ｋｅＶ＾１４４Ｎｄ＾＋与Ｈ２碰撞的单电子俘获截面。     

慢电子与高Z原子Xe、Rn碰撞总截面和动量转移截面的计算

本文采用Roothaan-Hartree-Fock波函数,运用等效势模型,并使用不含任意参数的交换势计算了0.1-30eV的慢电子与高Z原子Xe、Rn弹性碰撞的总截面和动量转移截面。对于Xe原子我们的计算结果与实验数据符合的比较好,对于Rn原子我们的计算结果和其他理论计算结果数据总的趋势是一致的。但至今尚未见有实验结果的报道,仍需以后实验来验证。     

中高能H^＋和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的…

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能Ｈ＾＋与类氦离子（Ｂｅ＾２＋，Ｂ＾３＋，Ｃ＾４＋，Ｎ＾５＋，Ｏ＾６＋）和Ｈｅ原子碰撞的电子俘获截面，结果表明在中高能区本结果与实验较好地符合。     

玻色子亲态比系数的公式（Ⅱ）─—四玻色子亲态比系数的显示式

本文推导出四个全同玻色子的亲态比系数的显示式，这种公式在相互作用玻色子模型中用玻色子有效相互作用计算核谱时很有用     

中高能H~+和类氦离子及He原子碰撞中电子俘获截面的计算

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能Ｈ＋与类氦离子（Ｂｅ２＋，Ｂ３＋，Ｃ４＋，Ｎ５＋，Ｏ６＋）和Ｈｅ原子碰撞的电子俘获截面．结果表明在中高能区本文结果与实验较好地符合．     

变系数（n＋1）-维KP方程的Wronskian和Grammian解

基于Hirota直接方法,将变系数（n＋1）-维KP方程化成Hirota双线性形式,再借助Wronskian技巧和Pfaffian性质,对该方程进行求解,得到了其广义的Wronskian解和Grammian解．