高阻硅单晶欧姆接触的研究

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上^[1~6],进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I-V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.     

溅射沉积InP薄膜的研究

本文报道了以射频溅射仪溅射沉积非晶态InP薄膜.并用X光衍射法、反射电子衍射怯、扫描电镜、红外分光光度计及俄歇能谱仪等研究了薄膜结构、貌相、组分及吸收边光谱等.并与富In的InP多晶薄膜作比较.     

阳极氧化InP表面和界面的AES研究

利用俄歇谱线的形状和能量位移分析了阳极氧化InP的表面和界面,对在pH=2.6和pH=6两种酒石酸+丙烯乙二醇电解液生长的InP氧化物,研究了其组分和键合态.     

纳米多孔InP对氨气的气敏特性研究

InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料,利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点,但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP,并观察其对氨气的伏安特性响应,从而分析该材料的气敏特性.     

研究In0.82Ga0.18As/InP的临界厚度

根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGat-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.     

制备大面积组分均匀的InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料

采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术制备大面积组分均匀的高晶格失配InP/In0.81Ga0.19As/InP器件结构材料．器件结构为：在直径为2英寸的S掺杂的InP衬底上采用两步生长法生长厚度为2．8μm的In0.81Ga0.19As层,作为红外探测器的吸收层,然后再生长厚度为0．8μm的InP覆盖层．分析器件结构材料的缓冲层的作用,研究所制备的大面积材料组分均匀性问题．为制作红外探测器器件,以及研究红外探测器器件性能,做好基础工作．     

锂电池电极的接触导电性研究

本文研究了锂电池电极的接触导电性,概述了在生产及使用过程中接触不良引起的种种问题,并尝试在电极中使用铜丝螺套代替钢丝螺套,提高电极与充放电端子间的接触导电性能。经充放电实验验证,该方法可有效降低生产过程中的异常率,提高锂电池电极接触导电的稳定性。     

关于热效应的若干概念的探讨

本文明确地定义了摩尔等压反应热效应、摩尔等容反应热效应和摩尔相变热效应三个新概念,阐释了引入这几个概念的必要性。     

关于化学史研究的统计与分析

本文对中国近十多年来(1977～1989)化学史研究的发展状况进行了统计与分析,并提出了中国化学史研究值得注意的几个问题.     

枸杞原生质体的分离培养及其多糖成份的研究

本文在研究枸杞原生质体制备的基础上,对枸杞原生质体进行培养,并分析了枸杞多糖的含量和性质,从而为枸杞的转基因研究、医用价值的探索奠定了基础。     

关于直纹曲面共母线相交的研究

本文提出了两直纹曲面共母线相交的一种研究方法及其全过程；并对直纹曲面共母线相交的情况进行了详细的研究．     

板材的冲裁力学研究及应用

简单而系统地介绍了板材的冲裁变形力学方面的最新研究成果:测得了完整的冲裁曲线,提出了冲裁变形过程的6个阶段及单位冲裁力与板料硬度的函数关系式,并介绍了初步的实际应用成果.     

武陵源黄龙洞发育及其洞穴景观研究

本文根据区域岩性、构造、地貌等对黄龙洞发育控制作用的研究,初步确定其形成时代是第四纪澧水期,并对其洞穴景观类型特征和旅游价值,作了有益的探讨,为进一步合理开发旅游资源,提出了可行性建议。     

低脊锥唇溞休眠卵诱发、萌发及卵鞍形态学的初步研究

从恒温 2 0℃直接降温至 1 3℃的培养组、种群密度≥ 0 .9个 /mL培养组及积累大量代谢产物的拥挤水培养组均能诱发低脊锥唇溞产生卵鞍 ;卵鞍梨形 ,长约 0 .34mm ,宽约 0 .31mm ,厚约 0 .0 9mm ;储藏在冰箱 ( 4℃ )中 9个月卵龄的休眠卵 ,置于室温 ( 2 1± 4℃ )、自然光照条件下萌发率为 65 %