VDMOS击穿电压与导通电阻的最佳设计

本文利用场限环理论和消除寄生晶体管效应等措施,提出了保证在原胞区击穿电压不降低的前提下,VDMOS导通电阻R_(on)及其结构参数的最佳设计方法。与以往的方法相比,具有使BV_(DS)容量和R_(on)值之间获得统筹考虑的优点。     

低压VDMOSFET导通电阻的优化设计

对低压VDMOSFET导通电阻Ran的各个构成部分进行了理论分析,较为详细地讨论了窗口区和多晶硅栅区的尺寸和比例对器件的导通电阻的影响,通过这些分析和计算,得出了VDMOSFET单元设计的最佳原则,并给出了低压条件下最佳单元尺寸。     

六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型

介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型，计算了不同漏源击穿电压下，各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例，分析了阻值随电压变化的原因。     

高温、高压LDMOS导通电阻的特性

本文提出了高温、高压LDMOS的等效电路,讨论了LDMOS泄漏电流及其本征参数在高温下随温度变化的规律.根据分析,漏pn结的反向泄漏电流决定了LDMOS的高温极限温度,导通电阻与温度的关系为Ron∝((T)/(T1))y(y=1.5～2.5).     

器件结构对有机薄膜器件负电阻性能的影响

研究了有机染料掺杂聚合物薄膜器件的J－U特性，发现存在明显的负电阻现象，制备了不同结构的有机染料掺杂聚合物薄膜器件进行了能级分析，表明载流子的不平衡流入对器件J－U曲线负电阻特性影响显著。     

任意纵向变掺杂横向功率器件二维耐压模型

基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向掺杂的横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式,得到了一个新的RESURF判据.借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、线性递增和高斯四种典型分布的功率器件的耐压机理和工作特性.解析结果和半导体器件仿真器MEDICI的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性.     

功率VDMOSFET外延层参数的优化选择

本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达式。从比导通电阻最小的要求考虑,提出了优选外延层参数的方法,计算结果表明,此法优于传统方法和C.Hu方法,可使VDMOSFET的比导通电阻达到最小值。     

LDMOS器件的几种新技术及其发展趋势

LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)是一种横向功率器件,易于与低压信号以及其他器件单片集成。且有高耐压、高增益、低失真等优点,被广泛应用于功率集成电路中。LDMOS器件本身性能的优劣及其工作的可靠性决定了整个功率集成电路的性能的优劣,因此LDMOS的设计在整个工艺开发中显的尤为重要。     

常用功率器件的热设计

本文介绍了几种常用功率器件的热性能参数及其热设计方法,给出了热设计中散热器的选型原则及其注意事项,并根据实际工作经验,给出相关实例用于指导功率器件的热设计。     

VDMOSFET的Tox与特征导通电阻RonA的关系

介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型，重点讨论了栅SiO2厚度Tox对特征导通电阻RonA的影响，经过大量的理论计算，给出了击穿电压为20V时VDMOSFET的Tox与RonA的关系曲线，首次提出最佳单胞尺寸与Tax有关。     

基于遗传算法实现电网的无功优化

在无功优化问题中引入了遗传算法（GA），着重解决了无功优化中离散变量的处理、目标函数及相关参数值的选取等问题。该算法可有效地减少系统的网损，在电网中实现无功优化。     

电力半导体器件和装置的功率损耗研究

为了提高电力电子装置和电力半导体器件的运行可靠性 ,提出了估算电力半导体器件损耗和结温的热 -电联合计算方法。基于电力半导体器件的瞬态开关特性的测量 ,构造了器件精确的损耗数学模型 ,同时考虑了器件的结温对器件损耗的影响。在单个器件损耗模型的基础上分析了电力电子变换装置的损耗 ,分析了装置中器件及其散热系统组成的热阻网络及各器件的结温。最后设计了两类实验装置分别验证损耗计算的精度 ,与实验结果的对比表明该方法为合理地设计器件的散热系统、提高电力电子变换装置的效率提供了有效手段。     

多注意力机制BERT分类模型及其在电力运维中的应用

为了提高变换网路中双向编码表示(bidirectional encoder representations from transformers,BERT)在文本分类中的应用效果,针对基于BERT的文本分类模型在注意力机制设计中无法关注文本中重点信息的问题,提出了一种基于多注意力机制的BERT分类模型。对BERT模型框架中后四层的每一层输入向量,设计词向量注意力机制,捕捉向量表中每一个词的重要性;对得到的BERT模型框架中后四层,设计层向量注意力机制,将这四层上由自适应权重计算得到的每一层输出向量进行融合,获得最终的BERT模型输出向量,更好地提升模型的特征抽取能力。在公开数据集IMDB和THUCNews上的实验表明,提出的模型相较于其他基线模型性能有明显提升。在电力系统运维项目管理的实际应用中,该模型也取得了比基线模型更好的效果,较好地解决了电力运维规模预测混乱问题。     

智能型功率模块及其在不间断电源中应用

在分析研究智能型功率模块的结构特点、技术性能的基础上，提出了该模块在设计使用中应注意的问题。给出了该模块在ＵＰＳ（不间断电源）中的应用实例。结果表明，智能型功率模块的使用，大大提高了设备的自动化程度和工作可靠性，有效地克服了ＧＴＲ（功率晶体管）、ＧＴＯ（门极可关断晶闸管）、ＶＤＭＯＳ（垂直双扩散场效应管）等分立器件在ＵＰＳ中易损坏问题。     

关联多屏显示及其在电力系统中应用

提出了关联多屏显示这一全新概念,并在电力系统的背景下展开研究.首先将电力系统的显示内容分为对象类以及信息类,基于屏幕间显示内容联动性上的不同,对关联多屏显示的重要属性--关联关系进行了归纳,将其分为对象相关、信息相关、继承相关、完全相关等四大类.随后对关联多屏显示的实现原则进行了探讨,并在最后基于单机多屏的模式进行了实现.     

新型的融合优化算法及其在电力系统中的应用

提出了一种新型的融合优化算法,该算法结合了遗传算法(GA)的复制、交叉、变异操作以及粒子群优化算法(PSO)的个体速度和位置更新的原理,并将混沌的概念引入其中,它的性能要优于GA和PSO.在标准测试函数上进行了仿真比较,验证了新型算法的有效性.最后,这种新的融合优化算法被应用到了电力系统最优潮流的计算中,对IEEE-30系统进行仿真,并与遗传算法、标准PSO算法进行比较,结果表明新型的融合优化算法具有更好的优化性能.     

基于ADS的LDMOS功率放大器设计与仿真

基于ADS(advanced design system)仿真平台,采用谐波平衡法设计LDMOS(laterally diffused metal oxide semiconductor)射频功率放大器.选择飞思卡尔公司的功率管MW6S004N,采用负载牵引和源牵引技术实现输入和输出端口的阻抗匹配,并采用电路原理图与版图协同仿真技术完成了放大器的设计.结果表明:基于负载牵引和源牵引的阻抗匹配技术可减小调试成本、缩短设计周期;采用谐波平衡法可加快仿真的速度,采用协同仿真方法可提高仿真结果的准确性.     

常减压蒸馏装置双模型结构RBF神经网络建模及其应用

文中提出双模型结构RBF(RadialBasisFunction)神经网络,结合工艺机理和相关分析法,筛选出影响较大的变量。对现场数据,用小波分析法,剔除噪声和故障数据,考虑各输入信号对软仪表影响时间的区别,分别采用不同的滞后时间,建立了常减压蒸馏装置质量软仪表模型,取得较好的结果。     

电力系统高次谐波的危害及抑制方法

针对电力系统由于大功率电子变流设备和工业电弧炉的广泛应用，电网电压畸变产生高次谐波的原因，对电力系统及电网用户电气设备造成的危害进行了分析，探讨了其抑制的方法．     

变压器全寿命周期成本的建模研究

基于全寿命周期成本管理理念,提出用于变压器全寿命周期成本估算及分析的静态成本模型及动态成本模型,其中静态成本计及一次投资成本和报废成本,动态成本考虑运行维护成本、损耗成本、环境成本、故障成本.在此基础上利用等年值法对变压器各阶段的成本模型进行换算,并对总模型进行敏感性分析,确定LCC最小的方案,以达到年综合费用最小.以可用系数为效能指标,采用基于相对价值分析的费用效益优化模型,用于构建全寿命周期成本评价体系.最后,以福建省某新建500 kV变电站变压器选型决策为实例,对变压器进行全寿命周期成本估算及评价分析,选出最优方案,检验所建立模型的有效性.