纳米技术在半导体陶瓷气体传感器中的应用

纳米技术是一门在纳米空间(0.1～100nm)内研究电子、原子和分子运动规律及特性,通过操作单原子、分子或原子团、分子团,以制造具有特定功能的材料或器件为最终目的一门技术。半导体陶瓷气体传感器具有灵敏度高、结构简单、价格便宜等优点,得到了迅速发展,有相当数量的产品,至今已成为一大体系。但这类传感器存在着选择性差、灵敏度和精度低、稳定性不高等问题,妨碍了它的应     

聚焦超声作用下SnO2气体传感器响应特性研究

针对金属氧化物半导体气体传感器相对于电化学、光学等气体传感器灵敏度较低的问题,提出利用聚焦超声波驱动金属氧化物半导体气体传感器敏感层附近的目标气体分子与敏感材料接触,促进目标气体与敏感材料之间的氧化还原反应,从而提高气体传感器的灵敏度.试验表明,聚焦超声波能大幅提高氧化物半导体气体传感器的灵敏度,在一定强度的聚焦超声波作用下,SnO₂气体传感器的灵敏度最大可提高4倍.     

纵向结构真空磁敏传感器的原理和制造

该文介绍了用场发射阵列作为电子源的纵向磁敏感传感器的工作原理,分析了这种磁敏传感器的灵敏度,并阐述了ＶＦＥＡＭＦＳ器件的制造和结果以及器件的基本工作参数和提高灵敏度的主要措施。     

纳米线传感器件的研究及其应用

一维纳米材料具有优异的电子输运性质与光学性质,在场发射器件、场效应器件、传感器件、发光器件以及光伏器件中具有广阔的应用前景.本文介绍了纳米线在化学传感器和生物传感器,如H2传感器、O2传感器、CO传感器、NO2传感器、pH传感器、DNA传感器和病毒传感器等方面的应用现状及其研究进展.着重评论了各种纳米线传感器的灵敏度、响应时间和稳定性等特性,并对纳米线在其他传感器中的应用进行了展望.     

纳米Si薄膜场发射压力传感器研究

设计研制了一种基于量子隧道效应机制的锥膜一体新结构场发射压力传感器原型器件.测试表明当外加电场为5.6×l05V/m时,器件有效区域发射电流密度可达53.5A/m2,由此可看出低维半导体纳米硅技术有效地引入了微电子和硅微机械加工技术相结合的微机电系统,对提高器件发射效率,改善敏感性能效果是明显的.通过三维实体建模与有限元仿真技术,对器件进行了压力形变计算.结果表明,尖锥体的存在,对敏感弹性薄膜在额定压力作用下的最大挠度影响小于0.4%,锥膜一体结构设计是合理的.     

热敏感QFN封装元件焊接可靠性研究

随着电子产品向微型化、便携式方向迅速发展,SMT在电子工业中得到了广泛的应用,并且在许多领域部分或全部取代了传统电子装配技术。像QFP、QFN、BGA表贴式电子封装器件不断的涌现,给高密度电子装配带来了巨大的挑战,本文对热敏感器件QFN的网板设计、组装和返修工艺技术作详细介绍。     

温度对电荷耦合器件的隧穿电阻和隧穿几率的影响

单电子输运器件在集成单电子电路、电学计量和量子信息处理等方面有着广泛的应用前景.金属单电子输运器件具有固定的隧道结,而半导体单电子输运器件则具有可调的隧道结.基于隧穿电阻和隧穿几率的唯象计算公式,详细研究了温度对硅基电荷耦合器件的隧道结的隧穿电阻和隧穿几率的影响,同时讨论了温度和门电压与库仑阻塞条件之间的关系.     

0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20nm,挖槽深度为15nm,栅介质采用高介电常数的HfO_2,器件栅长为0.5μm。对器件电流电压特性和射频特性的测试结果表明:所制备的GaN MOSHEMT器件最大电流线密度达到0.9 A/mm,开态源漏击穿电压达到75 V;与GaN HEMT器件相比,其栅极电流被大大压制,正向栅压摆幅可提高10倍以上,并达到与同栅长GaN HEMT相当的射频特性。     

厦门市光莆电子有限公司

企业基本情况 厦门市光莆电子有限公司成立于1994年12月,是专业从事半导体光电器件、一体化红外接收器、功率型LED等半导体应用产品开发、设计、生产、销售的高科技企业.近年来,公司发展迅速.1997年被认定为"厦门市高新技术企业",2005年被认定为"厦门国家半导体照明工程产业化基地骨干企业",2006-2007年被厦门市国、地税联合评为"A级纳税信用等级企业",2007年被认定为"厦门市LED封装工程技术研究中心",2008年公司迁入厦门市高新技术产业园,建设面积达到13500多平方米.     

片式化：衡量电子元件技术水平的重要标志

电子元器件无处不在,不论是日常的消费电子产品还是工业用电子设备,都是由基本的电子元器件构成的。电子元器件是元件和器件的总称。器件是指电子管和晶体管,现在泛指用半导体材料制     

厦门哈隆电子有限公司

厦门哈隆电子有限公司的前身是厦门哈特电子有限公司，成立于1990年12月，是由黑龙江敏感产业集团和自然人共同出资兴建。主要从事红外发射器、红外接收器、半导体光电器件及其应用产品的设计开发生产和销售。注册资本600万元人民币。厂房面积12000平方米，员工数量1000人，是厦门市重点高新技术企业。     

生物的滞弹性研究：Ⅱ.一种动物滞弹性的测试方法

本文介绍了一种以检测动物的滞弹性为主,并同时能用于动物生理、药理和病理学中对肌肉收缩律、心脏搏动和小肠蠕动等机理研究的多种功能测试方法. 电子换能装置通过压力敏感的等强度悬臂梁半导体胁变传感器把低频或甚低频机械型振动转换为脉动电压信号,并被直接耦合到运算放大部分的输入级,经直流放大,其输出信号幅值U_0由U_0=Kα(U_ -U_-)决定,式中U_ 为放大器输入端信号幅值,其与U_0同相位;经一级放大其增益可达46 dB,二级放大则可获得70 dB以上. 电子换能装置的框图如附图所示,包括压力传感器、电子放大线路和示波器.传感器     

一种电子罗盘的电路设计

利用磁阻传感器和加速度传感器设计了测定姿态角的电子罗盘,给出了电子罗盘的硬件设计和软件流程,电路具体准确.根据其构成的主要器件,分析了影响电子罗盘测量精度的误差来源,并采用基于最小二乘法位置罗差补偿法做了校正.     

半导体纳米材料CdSe/ZnS在显示器件中的应用

以半导体纳米材料CdSe/ZnS作为发光层, ZnO作为电子传输层, 用Al和氧化铟锡（ITO）分别作为两极材料, 采用旋涂和真空蒸镀膜技术制备半导体发光二极管, 并对其光学性质进行表征. 结果表明: 该器件发射黄光, 峰位为575 nm, 半峰宽30 nm, 最大发光强度2 000 cd/m²; 在较高的电流密度下, 该器件的电致发光效率无
明显衰减; 当半导体纳米材料CdSe/ZnS及ZnO分别作为发光层和电子传输层时, 可制备具有高电流密度且稳定的发光二极管主体材料.     

高效能半导体器件进展与展望

随着数字时代的不断发展,中国"3060碳战略"目标的确立,绿色低碳成为我国各行业发展主要导向,其中,高效能半导体器件发展应用成为推动汽车电子、电子信息、大数据中心等领域节能降耗的重要趋势.从硅、锗为代表的传统半导体材料到现在以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体材料,再到以金刚石、氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料,支撑半导体器件的性能不断提升,促进射频通信、高功率器件、照明器件等方面革新发展.主要介绍了宽禁带半导体和超宽禁带半导体的研究进展,分析了高效能半导体在射频通讯、汽车电子、航空航天、新型显示等新兴领域的应用前景,总结了目前超宽禁带半导体发展主要面临的难点问题,结合当前相关的研究成果,展望高效能半导体科研、技术及产业的发展趋势,对于我国半导体科技与产业发展都具有重要的指导意义.     

高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算

随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.     

半导体敏感器件及其应用

本文系统介绍了半导体敏感器件的分类和在各个领域中的实际应用以及发展趋势。     

石墨烯材料在气体传感器中的应用

介绍了石墨烯作为气敏材料在气体传感器件中的应用特点,包括所用石墨烯的制备方法,不同方法合成的石墨烯在器件加工时的特点,不同类型的传感器对气体的检测情况,以及该类传感器的主要缺陷和改进的一些基本方法.结合作者的部分工作,指出与半导体材料复合的方式代表了石墨烯在气体传感器领域应用的一个主要方向.     

MEMS在多物理场仿真和实验测试方面的进展 第二卷

硅是地壳上最丰富的半导体,性质优越而工艺技术比较成熟,绝佳的电学特性和机械特性成就了MEMS（微机电）技术的发展,开辟了一个全新的技术领域和产业,采用MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事以及几乎人们所接触到的所有领域中都有着十分广阔的应用前景。     

六维位移测试传感器的研究

研究刚体多维位移测试传感器的结构和工作原理。方法采用３个半导体激光器和３个二维光电器器件构成传感器。激光器固定在被测体上,由光电器件确定３个光点在投影屏幕上的位置,经过数学运算,得到 刚体的多维位移。