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1.
采用平均键能理论结合形变势方法对由AlSb,GaSb和InSb所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定,并分析了阳离子浅d轨道对价带偏移值的影响。 相似文献
2.
采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs/GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律.计算结果显示,随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程.同时,我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域 相似文献
3.
采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs(/GaSb超晶格能带边结构随着InAs和GaSb层厚变化的规律。计算结果显示,随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历了不同的深一浅杂质转变过程。 相似文献
4.
把原子集团展开方法同平均键能方法相结合,建立了一种研究合金型应变层异质界面价带偏移的方法.应用此方法对InxGa1-xAs/GaAs系统分别计算了以GaAs和以InxGa1-xAs为衬底的两种不同的应变状态下的价带偏移(△Ev)随合金组份的变化规律.结果表明,由于应变的引入,该系统的面△Ev~X表现出大的非线性,且这一关系受到应变状态的显著影响.通过改变应变状态可使其为Ⅰ型或Ⅱ型超晶格以及金属.部分结果与有关的实验值和理论结果相符合. 相似文献
5.
建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定InAs/GaAs应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自旋-轨道耦合等因素对能带排列的影响。结果表明,InAs/GaAs异质界面的能带排列具有极端显著的应变效应,通过人工控制其平面内晶格常数(可由选择不同的衬底来实现),可使其成为Ⅰ型,Ⅱ型超晶格或金属。此应变效应主要来源于单轴应力及其与自旋-轨道分裂的耦合,而流体静压和界面电荷的作用则相对很小.本文对以GaAs为衬底情况下的计算结果与X射线光发射实验数据相一致。 相似文献
6.
本文探讨了LP-MOVPE法在GaAs和InP衬底上生长21个周期的InGaAs/GaAs和20个周期的InGaAs/InP两种应变超晶格的条件,并用X射线衍射分析了这两种应变超晶格,分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。 相似文献
7.
采用内部求和空d轨道处理下的线性丸盒轨道方法,对以InAs为衬底和以GaAs为衬底以及InAs层和GaAs层自由形变三种不同的应变状态下的超晶格(InAs)n/(GaAs)n(00l),(n=1,2,3,4,5)的电子结构进行了全面的第一性原理计算,得出了其能带结构、带隙值及态密度分布,考察了各能隙随层厚的变化规律以及带隙的应变效应,所得结果与光致发光实验数据以及从头计算赝势方法对以GaAs为衬底的单层超晶格(InA)1/(GaAs)1的计算结果相一致. 相似文献
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徐至中 《复旦学报(自然科学版)》1995,(3)
采用紧束缚方法计算了生长在GexSi1-x合金(001)面上的应变GaAs层以及生长在Si(001)面上的应变超晶格(Si2)4/(GaAs)4的电子能带结构。讨论了应变对电子能带结构的影响. 相似文献
10.
对以GaSb为衬底、外延生长的四元化合物Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y(组分在x=0.032,y=0.94到x=0.26,y=0.9范围内)进行了远红外反射谱、喇曼散射、光吸收和光致发光的测量。结果给出外延层晶格振动的性质及不同温度下(83K—300K)四元合金的能隙,并详细讨论了能隙随温度的变化。 相似文献