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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 171 毫秒
1.
首次在La0.9Sr0.1MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3全氧化物p-n结上观测到纳秒光电效应. 当脉宽20 ns和波长308 nm的激光脉冲入射到p-n结的La0.9Sr0.1MnO3/薄膜表面时, 在p-n结的两端产生开路的光生伏特脉冲电压, 脉冲电压的上升响应时间达到23 ns, 半高宽约为125 ns. 光生伏特电压的灵敏度为80 mV/mJ.  相似文献   

2.
 采用射频磁控溅射方法制备了TiO2薄膜和La2O3掺杂的TiO2复合薄膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射,紫外可见光谱等材料表征方法研究La2O3掺杂对TiO2薄膜的结构及抗凝血性能的影响。结果表明:La2O3掺杂促使TiO2晶粒沿金红石相(110)晶面择优生长,能细化TiO2纳米晶粒的大小,使薄膜的光学带隙由2.85 eV提高到3.2 eV。血小板粘附实验表明La2O3掺杂的TiO2复合薄膜具有优良的血液相容性能;分析了复合薄膜的抗凝血机理。  相似文献   

3.
 制备了Nd(OH)3,Co3O4和Nb2O5纳米粒子以及Nd(OH)3-Co3O4-Nb2O5纳米复合掺杂和传统复合掺杂BaTiO3基陶瓷,研究了掺杂剂的粒径对BaTiO3基陶瓷的微观形貌和介电性能的影响,并对纳米掺杂和传统掺杂BaTiO3基陶瓷的性能进行了比较.结果表明,掺杂剂的粒度对BaTiO3基介电陶瓷的微观形貌和介电性能有较明显的影响,特别是纳米复合氧化物掺杂能够促进烧结中晶粒"芯-壳"结构的形成,能有效地抑制晶粒长大并形成细晶结构,从而显著地降低烧结温度,提高介电常数、降低介电损耗,改善BaTiO3基陶瓷的温度稳定性.  相似文献   

4.
La0.7-xGdxSr0.3MnO3体系的输运行为   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了La位Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3 ( x = 0.00, 0.10, 0.15, 0.20, 0.30, 0.40, 0.50, 0.60, 0.70)体系的电输运性质和磁阻效应的影响. 实验结果表明: 高掺杂时的输运性质发生异常, 在x= 0.50时, 发现了在ABO3结构中很少出现过的在Tc附近发生绝缘-金属相变之后又发生从金属到绝缘相变的现象; 对x = 0.60, 0.70体系在远离Tc的温区就表现为绝缘体. 这些反常行为归因于不同的磁背景, 即体系由长程铁磁有序向自旋团簇玻璃态、反铁磁状态转变.  相似文献   

5.
 利用固相合成干冷空气淬火法,合成了一系列Y3+掺杂的LiV3-yYyO8 (y=0,0.01,0.03,0.05,0.1,0.2)正极材料.XRD结果表明,Y3+掺杂量不同对LiV3O8结构的影响不同.适量Y3+掺杂能保持LiV3O8的原有结构,增大其d100值,同时降低材料的结晶度.当Y3+掺杂过多时,样品中会产生YVO4杂相.充放电循环、循环伏安(CV)及交流阻抗(EIS)测试结果表明,Y3+掺杂虽然降低了材料的初始容量,但适量的Y3+掺杂能稳定材料的循环性能.电池存放实验表明Y3+掺杂还能提高电池的存放性能.在高电压下存放15d后,掺杂样的放电容量保持率为94.2%,高于未掺杂样的88.2 %.  相似文献   

6.
La0.67Ca0.33MnO3薄膜中的非欧姆行为研究   总被引:5,自引:1,他引:5  
 用四探针法对不同倾斜衬底La0.67Ca0.33MnO3薄膜进行了不同电流下的电阻温度关系测试,发现了3个结果:①偏电流>1mA时,焦耳热作用使电阻温度曲线的转变点温度下降;②偏电流<1mA时,薄膜的转变点电阻随所加的偏电流的增加而减小,这是对欧姆行为的偏离(即非欧姆行为);③这一偏离随衬底倾斜角度的增加而增加.对经过氧气氛高温退火的La0.67Ca0.33MnO3薄膜进行了测量,发现峰值电阻及峰值电阻的变化明显减小.初步分析的结果是:①大电流的加热效应是峰值温度偏移;②可能是晶界作为隧穿结导致了薄膜中的非欧姆行为.  相似文献   

7.
 以溶胶-凝胶法制备Fe3+,Ce3+共掺杂的纳米TiO2光催化剂.研究了不同的三价铁、三价铈掺杂量及烧结温度对日光灯照射下TiO2光催化降解甲基橙性能的影响.结果表明,Fe3+,Ce3+共掺杂能抑制TiO2晶粒的生长,并使TiO2的吸收带边明显红移约100nm;在普通日光灯下,共掺杂样品光催化效果优于单掺样品,Fe3+和Ce3+共掺杂对提高TiO2在可见光下的催化活性具有协同效应,最佳掺杂量物质的量比为n(Fe3+):n(Ce3+):n(TiO2)=0.005:0.015:1,最佳烧结温度为650℃.  相似文献   

8.
用磁控溅射法在载玻片上制备了(Ni80Fe20/SiO2)n/Cu/(SiO2/Ni80Fe20)n复合结构多层膜, 并对其巨磁阻抗效应进行了研究.研究结果表明,采用多组双层结构(n>1)后,样品的巨磁阻抗效应明显增大;当n=3时,观测到最大的纵向巨磁阻抗(LMI)效应为10.81%,最大的横向巨磁阻抗(TMI)效应为17.08%.当n=4,5时,巨磁阻抗效应比n=3时略有减小. 由XRD谱和磁滞回线等,研究了双层结构(Ni80Fe20/SiO2)循环次数n引起的样品材料晶体结构和磁性能等变化,以及对样品巨磁阻抗效应的影响.  相似文献   

9.
 采用固相烧结法合成了同时掺杂氟离子和钴离子、具有单斜LiV3O8型结构的锂钒氧化物样品.通过充放电循环实验、循环伏安实验、XRD衍射和热分析对材料的理化性能进行了表征.实验结果表明,理论组成为Li1.38V2.99Co0.0107.98F0.02的样品的首次放电容量为233 mA·h/g,40次循环的放电容量为192 mA·h/g.在充放电过程中,同时掺氟和钴的样品的放电平台电压较高,表现出较好的循环性能.  相似文献   

10.
采用SrO和SrTiO3作为缓冲层, 用激光分子束外延在Si (100)衬底上成功地外延生长出La1-xSrxMnO3 (x=0.1, 0.2, 0.3) (LSMO)单晶薄膜. 锐而清晰的反射式高能电子衍射仪 (RHEED)的衍射条纹和持久的RHEED强度振荡, 表明LSMO薄膜是很好的二维层状外延生长. X射线衍射和高分辨透射电镜分析结果证明, 在Si基底上获得了很好外延生长的LSMO薄膜, LSMO薄膜为C取向的单晶薄膜. 并在室温条件下观测到很好的LSMO/Si p-n结I-V整流特性.  相似文献   

11.
采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La0.67Ca0.33MnO3薄膜, 并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构, 对这些微桥结构的输运性能进行了研究. 当微桥的宽度为2和1.5 μm时, 与大面积薄膜相比, 其金属绝缘体转变温度TP变化不大. 当微桥的宽度为1 μm时, TP降低约50 K. 当微桥宽度减小到500 nm以下, 没有观察到金属-绝缘体转变. 对不同宽度微桥的磁电阻曲线进行分析发现, 随着微桥宽度减小, 低场磁电阻也变 小, 高场磁电阻变化不大.  相似文献   

12.
系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95 (T = Mn, Fe, Co, B, Al, Ga)合金中ⅢA族金属和过渡金属元素T替代Fe对晶体结构、磁致伸缩、内禀磁致伸缩、自旋重取向的影响. 结果发现, 不同金属T替代Fe, Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95合金具有相同的MgCu2型立方Laves相结构. ⅢA族金属B, Al, Ga替代使磁致伸缩λs下降幅度较大, 同时发现Al, Ga替代使磁致伸缩容易饱和, 表明Al, Ga替代可降低 Tb0.3Dy0.7(Fe1-xTx)1.95合金的磁晶各向异性, 而过渡金属Mn, Co替代Fe使Tb0.3Dy0.7(Fe1-xTx)1.95合金磁致伸缩λs 下降幅度较小; 不同替代金属元素, 对内禀磁致伸缩l111有不同的影响. Mössbauer 效应表明, Al, Ga 替代使 Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95合金的易磁化方向在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴, 即自旋重取向, B, Mn, Co替代未使易磁化轴发生明显转动.  相似文献   

13.
Mn位掺杂是调整稀土锰氧化物中Mn1+和Mn4+比例的一种十分有效的方法,对理解稀土锰氧化物材科的微观机理具有重要作用.采用标准的固相反应方法制备了钙钛矿锰氧化物LaMn血1-xZnx O3(x =0.03,0.05,0.1,0.15,0.2)多晶样品.通过X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱(XPS)对其结构及性质进行了测试.结果表明,随着Zn掺杂量的增加样品的晶胞体积逐渐变大;样品的衍射峰略向高角度偏移,但所有样品的结构仍为正交结构.Zn的掺杂比例不同不仅导致样品中氧含量发生变化并且使Mn4+ /Mn3+的比增大,当x=0.2时,Mn4+/Mn3+的比最大(1.94∶1),双交换作用最强.  相似文献   

14.
研究了Dy的高掺杂La0.7-xDyxSr0.3MnO3(0.40≤x≤0.70)体系的磁性, 随x 增加体系表现出复杂的磁化强度-温度(M-T )关系: 对x = 0.40的样品, 低于TN时存在AFM相变, 高于TN时ZFC和FC的M-T曲线表现出典型的自旋团簇玻璃态行为; 对x = 0.50的样品, 低于TN时FC的M-T曲线出现负的磁化率, 而ZFC的M-T曲线出现一个谷, 且谷值为正; 对x = 0.60和0.70样品, 两者ZFC的M-T曲线类似于x = 0.50样品, 但FC的M-T曲线没有出现负值. 这些奇特现象被Néel的双格子模型结合典型温度下的磁化强度-温度关系很好的解释, 分子场理论对x= 0.50样品负的磁化率给予很好的拟合.  相似文献   

15.
通过磁化强度和电子自旋共振(ESR)测量,研究了Nd0.5Sr0.5Mn1&#8722;x(Gax, Tix)O3(0.04≤x≤0.4)体系的磁特性.发现用少量Ti替代Mn就完全破坏了系统的电荷有序(CO)相,并诱导出团簇自旋玻璃相,这显示了一个CO的坍塌和自旋有序(SO)相增强的过程.然而,用Ga替代Mn将导致系统CO 相的融化.研究还发现,随着Ga替代的增加,CO相逐渐被抑制,但残留的CO相总是存在;而且在低温区反铁磁(AFM)CO相和铁磁(FM)SO共存.此外,我们还观察到磁化强度-温度(M-T)曲线中磁化强度的急剧上升,并把这个反常现象归因于CO区域内从倾斜的AFM SO到FM SO的相变.  相似文献   

16.
 通过钨锰铁矿预合成法制备了铌铁酸铅-钛酸铅(1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3 (PFN-PT)铁电陶瓷。X-ray衍射(XRD)测量和密度测试表明,1150 ℃烧结2.5 h制备的PFN-PT陶瓷呈现纯钙钛矿结构和较高的致密度。随着PbTiO3(PT)质量含量的增加,PFN-PT的晶体结构从三方相向四方相转变,伴随着晶胞体积的减小和钙钛矿结构四方性因子(c/a)的增大。PFN-PT陶瓷呈现明显的介电频率色散现象,随着PT含量的增加,介电常数最大值温度Tm/TC升高,介电响应从弥散、宽化的介电峰变得相对尖锐,介电损耗减小,频率色散现象减弱。MnO2掺杂有效地改善了PFN-PT陶瓷的介电性能。w=0.25% MnO2掺杂的0.66PFN-0.34PT陶瓷100 kHz的最大介电常数εm为13254,室温介电损耗tanδ为0.003 63,饱和极化强度Ps为6.18μC/cm2,矫顽场Ec为1.1 kV/mm,压电应变常量d33为98pC/N。  相似文献   

17.
纳米α-Fe2O3的制备及气敏性质的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用沉淀法制备了纳米晶α-Fe2O3粉体,并制作了厚膜型气体敏感元件。用热重-差热 (TG-DTA)、扫描电镜 (TEM)和二次粒度分布对α-Fe2O3粉体进行了表征。考察了掺杂贵金属或碳酸盐及焙烧温度对敏感元件气体灵敏度的影响。结果表明,纳米氧化铁具有粒度小、颗粒分布均匀的特点,并发现纳米氧化铁在焙烧温度为 600℃及掺杂 3%贵金属或碳酸盐的条件下,对CO气体均有很好的气敏特性。  相似文献   

18.
LaNi5合金氚老化效应的微观机理   总被引:1,自引:0,他引:1  
应用密度泛函方法对LaNi5H6双胞及四面体间隙、八面体间隙和十二面体间隙位置的氢用氦来代替的双胞La2Ni10H11He进行了结构优化和能量计算. 对优化后的晶体结构、能带结构、电子态密度(DOS)分布和XRD的进行了分析, 计算了LaNi5中不同间隙位置的氦、氚形成能, 得到氚衰变产生的3He一般处在八面体和十二面体间隙位置并优先从四面体间隙位置向十二面体间隙位置聚集, 氦的存在使晶格膨胀和电子态密度(DOS)分布发生变化导致了氚老化过程中P-C-T曲线的坪台压降低、斜坪增大, 氦周围的深势阱是形成氚尾的主要原因 之一.  相似文献   

19.
利用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)及高分辨电子显微镜(HREM)研究了层状巨磁电阻材料La1.2-xNdxSr1.8Mn2O7(x=0.2)的显微结构.研究结果表明,Nd掺杂氧化物La1.2Sr1.8Mn2O7仍具有四方对称性,即掺杂Nd没有改变原有的晶体结构.通过HREM观察发现,Nd掺杂氧化物La1.2Sr1.8Mn2O7含有较多的缺陷,其中包括与其他RP相形成的共生结构、(101)剪切结构以及一些比较复杂的缺陷结构.  相似文献   

20.
利用X射线衍射及高分辨电子显微镜研究了Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5大块金属玻璃在3 GPa, 573 K退火后的结构弛豫. 超声研究、密度测量、显微硬度等物性分析以及抗压、滑动磨损等力学性能测试结果表明: 与淬态大块非晶相比, 弛豫态非晶声学参数发生明显变化, 且力学性能得到改进. 对压力诱发非晶结构弛豫而导致显微结构变化进行了探讨.  相似文献   

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