兴奋剂与反兴奋剂的对立统一

兴奋剂存在的历史悠久,并朝着高科技的方向发展。兴奋剂严重危害公平与健康,世界体坛兴奋剂与反兴奋剂的斗争是一个长期的复杂的问题。     

使用兴奋剂及反兴奋剂技术研究进展

兴奋剂的使用在现代体育日益泛滥,并困扰着竞技体育的健康发展。本文对使用兴奋剂的概念以及种类进行介绍,结合THG、基因兴奋剂的出现分析了使用兴奋剂技术的新动向,探讨了兴奋剂检测技术特别是检测EPO、hGH等肽类激素的最新进展和存在的问题,并对我国反兴奋剂研究工作的现状和未来进行了介绍和展望。     

运动与兴奋剂

本文占据大量资料,以国际奥委会(IOC)公布的兴奋剂种类为标准,对运动与兴奋剂的有关问题进行了讨论.     

兴奋剂历史略论

人们自有史以来就希望在战斗和体育比赛中试图使用各种可能的方法提高成绩,这些方法在今天被认为是使用兴奋剂而被加以禁止。几年来兴奋剂问题的进展,可以说已经到了令人不能容忍的进步,有效地宣传对反对使用兴奋剂这样一个欺骗和自欺的形式的斗争中仍然是最需要的。我国同样面临着反对使用兴奋剂的问题,由于国情的不同,建议建立一个兴奋剂平台,能够更好地实施各种反兴奋剂实验活动。     

兴奋剂定义的研究

运用文献资料法、归纳法等方法对兴奋剂的定义进行研究，得出如下结论。体育运动中使用的“兴奋剂”是一个约定俗成的概念，并处于不断变化发展之中，给兴奋剂下一个内涵确切的定义具有一定的困难。国际体育组织从外延角度对“使用兴奋剂”进行界定，并随实践发展对“使用兴奋剂”进行重新界定。最后，对兴奋剂定义作补充说明以加深人们对兴奋剂的理解。     

兴奋剂的历史及对广州亚运会反兴奋剂的建议

人们自有史以来就希望在战斗和体育比赛中试图使用各种可能的方法提高成绩,这些方法在今天被认为是使用兴奋剂而被加以禁止。几年来兴奋剂问题的进展,可以说已经到了令人不能容忍的进步,有效地宣传对反对使用兴奋剂这样一个欺骗和自欺的形式的斗争中仍然是最需要的。我国同样面临着反对使用兴奋剂的问题,由于国情的不同,建议建立一个兴奋剂平台,能够更好地实施各种反兴奋剂实验活动。     

反兴奋剂——奥林匹克永恒的课题

世界体坛兴奋剂泛滥成灾,玷污圣洁的奥林匹克运动。新的兴奋剂不断涌现,今IOC防不胜防。随着人类基因组计划的完成,人类遗传密码的破译,基因兴奋剂将很快产生,奥林匹克将面临极为棘手的课题,反兴奋剂斗争似乎永远无法停息。应当加大力度呼吁全世界人民提高对兴奋剂危害性的认识,杜绝研究、制造和使用兴奋剂。同时应当鼓励运动员人人从自我做起,拒绝使用兴奋剂,奥林匹克的圣火才能永放圣洁的光芒。     

基因兴奋剂及检测技术的研究进展

基因兴奋剂是通过基因治疗原理发展而成的新型兴奋剂,目前的基因兴奋剂主要分为与有氧耐力和身体力量相关的基因兴奋剂,与速度相关的基因兴奋剂很少涉及。由于基因兴奋剂的隐蔽性高,因此对兴奋剂检测提出了高难度的挑战,现在的监测手段还呈现低效,不成熟的特点,需要进一步研究。     

浅析青少年使用兴奋剂的原因及预防对策

运用文献资料法,阐述兴奋剂对青少年身心的危害,分析兴奋剂屡禁不止的原因,提出预防青少年使用兴奋刑的对策.     

疏堵兴奋剂

“兴奋剂——体坛的顽症”已是大家的共识,08奥运在即,中国政府如何解决这一问题亦成为焦点。本文试图从意识形态和现有体制两方面完善、改进反兴奋剂,提出“疏堵结合”的建议,以期达到有效反兴奋剂并与世界接轨,为主办奥运做准备。     

分析化学与兴奋剂检测

介绍了体育比赛中兴奋剂的历史、种类、性质和禁用方法,阐述了分析化学在兴奋剂检测中的作用,兴奋剂检测的基本手段和常规的检测步骤。     

电致发光器件中杂质态的引入对器件性能的影响

掺杂对电致发光器件的电学性能和光学性能有着至关重要的影响。本文在总结分析实验结果的基础上 ,提出了一个发光效率随掺杂浓度而变化的理论模型 ,系统地论述了掺杂浓度对器件的电导率及发光效率的影响     

液态源掺杂对SnO2薄膜特性影响

在单晶硅片上生长ＳｉＯ２绝缘层，再用蒸发的方法在ＳｉＯ２层上淀积超微粒ＳｎＯ２薄膜．采用液态源扩散方法对ＳｎＯ２薄膜进行掺杂．实验表明，采用此法掺杂可精确控制掺杂浓度，此法工艺简便。可靠，使掺杂和热处理一次完成，掺杂后的薄膜气敏特性得到较大的改善．     

磷酸掺杂对聚苯胺电导率及微观结构的影响

对磷酸掺杂的聚苯胺进行了电导率测试，并从微观结构上对这种变化进行探讨．结果表明：随着掺杂剂酸度的增加，大块状的聚苯胺消失，生成了结构更精细、平均粒径更小的聚苯胺，并且在整个微观结构上形成了聚苯胺隧道网化．掺杂有利于导电通道的形成，从而可以显著提高聚苯胺的导电性．     

The development and application of silicon Neutron Transmutation Doping （NTD） technology in China

：The research and development history of silicon Neutron Transmutation Doping （NTD） technology and its applications at home and abroad are introduced in this paper. The advantages of NTD, compared with conventional technology of doping, are narrated. The principle of NTD as well as the implementation of the main procedures related to Si NTD is explained. The market demand tendency is prospected, and the advanced measures on NTD quality control are described.     

La,V掺杂对Sr2Bi4Ti5O18性能影响对比研究

采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.000~1.000,0.000~0.096的La,V掺杂Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷.X射线衍射结果显示,La,V对Sr2Bi4Ti5O18的A,B位掺杂都未影响材料的晶体结构.La掺杂使得材料的剩余极化2Pr逐渐降低,而V掺杂可以显著地提高2Pr.A位掺杂导致材料的居里温度明显下降,而V取代B位Ti4 离子不影响材料的居里温度.微观照片显示,Sr2Bi4Ti5O18样品由呈四方状的晶粒组成,晶粒较为均匀.La掺杂未改变晶粒的形状,而V掺杂使得晶粒呈现扁平状,且晶粒尺寸明显增大.     

富勒烯C70笼内掺杂离子对其加成反应立体选择性影响的理论研究

利用半经验 MNDO方法 ,研究了碱金属和卤素离子笼内掺杂对富勒烯 C70 加成物 C70 H2 立体选择性的影响 .研究结果表明 ,Li 的掺杂使 1 ,4 -异构体 C70 H2 ( 2 /1 9)成为 Li @C70 H2 的最稳定异构体 ,而 Na 和 K 的掺杂使 1 ,4 -异构体 C70 H2 ( 6,4 5)成为稳定性排在第二位的异构体 :Br- 的掺杂也使 1 ,4 -异构体的稳定性得以提高 ,而F- 和 Cl- 的掺杂对于 C70 H2 异构体的稳定性顺序几乎没有任何影响     

长波碲镉汞p型掺杂机理和器件低频噪声研究进展

针对长波碲镉汞红外焦平面器件发展的需求,本文分别从材料的p型掺杂机理和器件的低频噪声两个方面概述了相关的研究进展.(1)理论上修正了经典的As掺杂p型激活模型,并提出了新的激活模型,即以复合缺陷(Te_Hg-V_Hg)主导下的As迁移,最终形成AsTe2复合体而表现为p型.(2)理论上解释了Au原子在碲镉汞材料中呈现快扩散特性,是由间隙扩散机制所导致的,提出了通过Au杂质与Hg空位的相互作用,以Hg空位作为介质来调控Au杂质浓度分布的方法,可以实现可控的p型掺杂,并被实验所验证.(3)搭建了高灵敏低频噪声的测试系统,结合器件性能仿真,构建了低频噪声的分析评价方法,并研究了长波碲镉汞器件低频噪声与器件暗电流之间的关联性.