插层高岭土的制备及其电流变性能

以肼为客体采用水热法对高岭土进行插层处理,获得插层率较高的插层高岭土.以插层高岭土为分散质、甲基硅油为连续相制备复合电流变液.利用X射线衍射(XRD)、红外光谱(FTIR)、电流变液测试装置等对插层高岭土进行结构表征及电流变液性能分析.讨论水热处理温度、肼质量分数、酸碱度对插层率的影响,以及高岭土插层对电流变液效应的作用.结果表明,在160℃的条件下,用质量分数为50%的肼溶液插层处理高岭土可以得到插层率59%的插层高岭土;水热法在肼插层高岭土制备方面效果明显;肼分子进入到高岭土层间,导致其层间距由0.714 nm增加至1.037 nm;插层高岭土电流变液的电流变性能明显优于未插层高岭土电流变液.     

电泳沉积法制备氧化铝陶瓷膜的研究

以工业级陶瓷片为支撑体,氧化铝溶胶为电泳液,采用电泳沉积的方法制备了氧化铝陶瓷膜。当在30 V的电压条件下电泳3 min,经沉积-干燥-烧结工艺,反复进行3次后,即可得到氧化铝纳滤膜。采用SEM和液-液排除法等手段对纳滤膜进行表征,结果表明,膜厚在50 μm左右,孔隙率为31.51%,平均孔径为3.1 nm,孔径分布为2.88～5.76 nm。性能测试表明,氧化铝纳滤膜对无机污染物和有机污染物均有强的截留作用,且性能较稳定。     

电化学原子层沉积研究现状及沉积体系的构建

近年来,电化学原子层沉积(Electrochemical atomic layer deposition,E-ALD)技术在制备催化、光电及热电等功能薄膜的研究和应用方面取得了较大进展.概述了E-ALD的发展历史、沉积原理、研究及应用情况,介绍了课题组研发的E-ALD系统的构成和生长过程的控制机理.     

基于原子层沉积的二硫化钼场效应晶体管制造及其性能研究

针对机械剥离和化学气相沉积等传统制备二硫化钼薄膜方法的不足,采用原子层沉积方法,在氧化硅基底上沉积单少层二硫化钼薄膜,制备背栅场效应晶体管.采用光镜、透射电子显微镜、拉曼光谱仪和X射线衍射仪对沉积的二硫化钼薄膜进行表征.二硫化钼薄膜质量均匀、面积大,晶粒尺寸约为5.45 nm,为2H六方晶格结构.采用四探针台对二硫化钼...     

基于SCIE的原子层沉积文献计量学研究

采用文献计量方法,从年代分布、国家/地区分布、文献类型分布、期刊分布、机构分布、学科分布、引文情况等方面,对SCIE中收录的近10年来关于原子层沉积的研究文献进行了统计分析,以期了解世界各国在这一研究领域的进展情况,为专业研究人员提供信息参考。     

电化学沉积法制备Co-Ni合金及其磁性能研究

室温下,分别采用恒电位沉积法和脉冲电位沉积法制备面心立方fcc(Co)和密排六方hcp(Co)混晶Co-Ni合金材料,利用XRD、SEM、EDX等手段对其结构和组成进行表征,并利用振动样品磁强计研究其磁性能.结果表明:脉冲电位沉积法比恒电位沉积法更有利于具有致密织构的Co-Ni纳米晶合金的生成,同时有利于合金中Co含量的增大.     

基于放电沉积的金刚石磨粒层制备实验研究

提出将电火花沉积技术用于金属材料/非金属材料之间的沉积,通过制备一种含有超硬磨粒金刚石的压缩粉体电极,采用放电沉积工艺实验将超硬磨粒金刚石与电极中的其他金属材料一起沉积到基体母材表面上,然后通过扫描电镜观察与分析,沉积层中的金刚石磨粒形状较好,分布较均匀,具有磨粒层的基本要素.实验结果表明,采用电火花放电沉积能制备金刚石磨粒层.     

电沉积方法制备Zn-Ni多层膜的研究

研究了Zn-Ni合金镀液中的主盐氯化锌的浓度,电镀工艺参数对Zn-Ni合金镀层中Ni含量的影响.结果显示,电镀时峰值电流密度是影响Zn-Ni合金镀层中Ni含量的主要因素.通过控制峰值电流密度,制备出了不同组分的Zn-Ni合金多层膜.     

多孔氧化铝膜的制备及其表征

在硫酸、磷酸及草酸溶液中 ,通过阳极氧化铝箔制备出了多孔氧化铝模板 ,用阶梯降压法将氧化铝层与铝基底分离 .透射电镜结果表明 :这种膜的孔间距 ,孔径以及晶胞尺寸均随所加氧化电压的增加而增加 .通过 FT- IR谱发现 ,在阳极氧化过程中 ,电解液阴离子也参与了多孔膜的形成 .XRD谱证明形成了无定形氧化铝     

微米级金属/高聚物复合颗粒的制备及其电流变性能

通过对金属粒子表面的物理化学改性，采用核－壳式乳液聚合的方法，制备了微米级金属／高聚物复合颗粒Al/(PSt/PBA),Zn/(PSt/PBA),Ni/(PSt/PBA)，并对其电流变流体的电流变性能进行了测试与研究。具有这种结构的复合颗粒综合了金属与高聚物的性能，作为电流变流体的悬浮相材料具有良好的综合性能，其电流变流体具有较强的力学性能和较好的稳定性，抗剪强度最高值可在2kPa以上，平均击穿场强为2.5kV/mm，抗偏析能力在2周以上。     

电沉积法制备Co-Pt合金薄膜的结构及其磁性能

采用酒石酸铵为络合剂,碱性溶液作为电解液沉积体系,利用电化学共沉积法在铜基底上制备得到了Co-Pt合金薄膜,并对制备得到的合金薄膜进行了不同温度的退火热处理。电化学极化曲线研究表明,酒石酸铵络合剂的加入有效地使两种金属离子沉积电位接近。原子吸收光谱研究表明,合金薄膜中金属成分比率易受电解液中金属离子比率和沉积电流密度的影响。X射线衍射(XRD)研究表明,电沉积制备得到的不同组分Co-Pt合金薄膜均为无序排列面心立方(fcc)结构,经过450?℃退火热处理后部分转变为L1₀型超晶格结构。磁性研究表明,经过450?℃退火热处理后的合金薄膜具有较好的磁晶各向异性。     

多层喷射沉积制备高硅铝合金工艺研究

利用多层喷射沉积装置制备了Al－17Si－2CU－1Mg合金板坯．通过金相观察研究了过热温度和冷却条件对合金板坯显微组织的影响，探讨了基底材料、基底表面温度和沉积板坯的粘附与脱落的关系，提出了合适的工艺条件．     

椰子壳衍生钕氮掺杂碳制备及其电催化氧还原反应性能研究

以海南椰子壳、三聚氰胺、氯化锌以及氯化钕为前驱体,通过热处理、掺杂等过程制备得到了一种氮掺杂碳基氧还原催化剂。电化学测试结果表明,该催化剂对ORR有很好的催化性能,特别是在碱性介质中,可以接近商业Pt/C催化剂;该催化剂具有非常好的稳定性、甲醇耐受性,及非常高的四电子过程选择性。催化剂制备过程中的氮前驱体三聚氰胺的用量对于催化剂的活性有着非常重要的影响,当催化剂中的三聚氰胺用量为2 g时,得到的催化剂性能最优。     

Fe—P非晶合金电沉积镀层的制备及其腐蚀性能

本文以电化学方法研制Fe—P非晶合金的电沉积镀层。研究了各种电沉积条件对合金中磷含量的影响。测定了非晶合金的腐蚀性和极化曲线。实验结果指出,在开始阶段合金是活化腐蚀,合金中的磷加快了腐蚀过程,最后磷在表面的富集,使合金进入钝化状态。 对非晶合金电沉积镀层的晶化温度和硬度进行了测定。     

多孔氧化铝膜的制备及其光学性质

提出了一种制备具有周期结构金属薄膜的新方法--阳极氧化法制备多孔氧化铝膜.以草酸为电解液,制备出了几种表面孔径不同的多孔氧化铝膜,并在其表面镀银制得样品.用场发射扫描电镜观察多孔氧化铝膜的表面形貌,并采用光谱仪测定了样品的透射光谱.研究发现,由于表面等离子激元波(surface plasmon polaritons, SPPs)的作用,在可见光波段观察到了透过率异常增强现象.     

超微细高纯氧化铝及其水合物的制备

实验研究了超微细高纯氧化铝及其水合物的醇盐法制备方法。给出了其生产工艺条件及工艺流程．     

多层喷射沉积制备Al-Fe-V-Si合金管坯

为开发制备高性能Al Fe V Si耐热铝合金的新型工艺 ,研究了用多层喷射沉积制备该合金管坯的规律 ,探讨了熔体温度、雾化气压、喷射高度等工艺参数对管坯组织结构的影响 .研究结果表明 ,通过工艺优化可以制备性能优异的耐热铝合金管坯 .挤压加工后的性能为 :在 2 5℃ ,σb =44 9MPa ,δ =7.6 % ;在 35 0℃ ,σb =1 85MPa ,δ =6 .0 % .这与用粉末冶金方法制备的相近 ,且明显高于用传统喷射沉积工艺制备的该材料性能 .     

Fe-Mn合金层错能的嵌入原子法计算

运用嵌入原子法 (EAM)计算了 Fe- Mn合金层错能 (SFE) .采用 Johnson截断修正模型计算的结果表明 ,Fe- Mn合金的层错能随 Mn含量的增加而线性增大 .该趋势与本文实验结果一致 ,而且 Fe- 2 0 Mn(原子分数 ,% )合金中的层错能计算结果 (2 8m J/m2 )与 Kato等的热力学计算结果(2 6m J/m2 )较为吻合 .当 a(Mn) =2 0 %～ 55%时 ,γ相的层错能可表达为 :SFE(m J/m2 ) =2 3.3+0 .2 69×a(Mn) % .     

电化学原子层外延及Te,CD元素欠电势沉积研究

阐述了一种处延沉积化合物半导体的新方法－电化学原子层外延（ＥＣＡＬＥ）并对其基础欠电势沉积（ＵＰＤ）进行了讨论,着重研究了Ⅱ,Ⅳ族元素Ｃｄ,Ｔｅ的电化学欠电势沉积,根据电化学循环伏安曲线,研究了Ｔｅ和Ｃｄ在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）基片上以及交替生长过程中ＵＰＤ沉积电位及相应覆盖度值,由此确定了在Ｓｉ－Ａｕ（１１１）衬底上交替沉积Ｔｅ,Ｃｄ原子层的方法,在此基础上,初步进行了多次交替沉积,并用ＡＦＭ与Ａ     

辉光放电氮原子离子束源研制及其质谱研究

采用辉光放电的方法产生氮原子离子束，束流中Ｎ＾＋／Ｎ２＾＋高达５：１，用飞行时间质谱研究了束流的Ｎ＾＋／Ｎ２＾＋比率与放电条件的关系，指出了提高Ｎ＾＋／Ｎ２＾＋比率的途径。