一台小型全反射X荧光分析装置的研制

介绍了全反射Ｘ荧光分析技术的基本原理、特点。用自行设计研制的一台小型全反射Ｘ荧光装置对原样人发、考古样品等进行了测试、分析，分析灵敏度达几十ｐｇ￣ｐｇ级。     

一种高直流电压利用率的12阶梯波逆变器的复合结构

提出一种复合型12阶梯波变流器的拓扑结构,在不提高直流输入电压的前提下可以较大幅度提高输出电压.     

用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析

通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击穿特性并且解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果     

用于非均匀掺杂MOS器件开启电压计算的改进方法

提出一种改进了的计算衬底非均匀掺杂ＭＯＳ器件开启电压的算法。这种算法对增强 （Ｅ－）和耗尽（Ｄ－）型 ＭＯＳ器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。所需 计算时间短，而精度足以满足计算机工艺模拟的一需要。本算法巳在ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ中实 现，取代了原程序中不正确的部分。模拟和测试结果相比较得到的一致性证实了该算法 是有效的。本文还对算法的理论基础进行了讨论。     

负性向列-胆甾相液晶织构变化的理论研究

对负性向列胆甾相液晶在电场作用下的织构改变做理论分析． 在前期系统实验的基础上, 建立新的物理模型, 给出更具普遍意义的修正公式     

影响热晕效应中高能激光功率阈值的因素

从理论和数值分析两个方面研究了影响热晕效应中高能激光功率阈值的因素,得到了高能激光的功率阀值与激光束波长的平方成正比,与空气流动速度成正比,与吸收系数成反比的结论.     

非对称Halo的异质栅SOI MOSFET阈值电压解析模型

为了改善MOSFET的短沟道效应和驱动电流,首次提出了非对称Halo掺杂的异质栅SOIMOSFET结构,这种结构在沟道源端一侧注入浓度较高的杂质,再由具有不同功函数的两种材料拼接形成栅极．通过求解二维电势Poisson方程,建立了全耗尽器件表面势和阈值电压的解析模型．研究表明,该结构能有效抑制漏致势垒降低和热载流子效应,且在沟道长度小于100nm条件下,阈值电压表现出明显的反短沟道特征,在Halo和栅材料界面附近的电场峰值使通过沟道的载流子的传输速度显著提高,解析模型与二维数值模拟软件MEDICI所得结果吻合度较高．     

一种新型的光纤电容电压互感器

对光纤电容电压互感器的工作原理进行了分析,介绍了２２０ｋＶＣＯＶＴ的研制及试验研究情况．理论分析与试验结果表明,光纤电容电压互感器具有绝缘好、抗干扰能力强及无铁磁饱和等优点．在不加任何软件修正的情况下,整机试验测量误差在０．３％以内．     

一种点火线圈用高电压测量装置

介绍了一种汽油机点火系统高电压测量装置,设计了阻容并联型分压器和峰值检测电路。由于采用了自制的耐高压电容,分压器体积小、成本低、分压比准确;峰值检测电路的特点是能随时跟踪输入信号的峰值。该装置既可测量输入电压的峰值,又可直观地显示其波形,它不仅适于摩托车生产厂家对高压包的在线检测,而且还可用于检测电视机高压包的质量。     

氢致脆化区开裂模型应用于计算门楹值应力强度因子

依据氢进入裂纹尖端区促进局部塑性流动的认识，本建议并发展了一个氢致脆化区开裂模型。首次推导出了确定氢致裂纹扩展门楹值应力强度因子以及环境氢压与门楹值应力强度因子关系的理论公式，定性和定量的分析相符于ＡＩＳＩ４３４０超高强钢的实验结果。