x_3（G）＋x_3（_G~－）的可达下界

引入了最佳配点、最佳配邻点集的概念，讨论了３－色数的界，给出了ｘ＿３（Ｇ）＋ｘ＿３的可达下界．     

Gd（NO3）3／Er（NO3）3—Gly—H2O三元体系的研究（25℃）

测定了Ｇｄ（ＮＯ３）３／Ｅｒ（ＮＯ３）３－Ｇｌｙ－Ｈ２Ｏ三元体系在２５℃时的溶度和饱和溶液折光率。各体系的溶度和饱和溶液折光率曲线均由４支组成，分别与ＲＥ（ＮＯ３）３；ｎＨ２Ｏ配合物ＲＥ（Ｇｌｙ）２（ＮＯ３）３．２Ｈ２Ｏ，ＲＥ（Ｇｌｙ）４（ＮＯ３）３；Ｈ２Ｏ及Ｇｌｙ相对应。     

（k＋1）——连通无爪图的Hamilton——连通性

一个图若不含与Ｋ１．３同构的导出子图,则称它为无爪图,本文利用Ｔ－插点方法,得到（ｋ＋１）－连通无爪图是Ｈａｍｉｌｔｏｎ－连通的两个充分条件,（１）设Ｇ是（ｋ＋１）－连通无爪图（ｋ≥２）,若对每个Ｘ∈Ｉｋ＋１（Ｇ）有ｓ２（Ｘ）〉１,则是Ｇ是Ｈａｍｉｌｔｏｎ－连通图,（２）设Ｇ是（ｋ＋１）－连通无爪图（ｋ≥２）,若对每个Ｘ∈Ｉｋ＋１（Ｇ）,有∑ｘ∈ｘｄ（ｘ）≥ｎ（ｘ）－ｋ＋１,则Ｇ是Ｈａｍｉｌｔｏｎ     

关于x^T4（G）＋x^T4（—／G）的可达下界问题

解决了张忠辅等人提出的如下问题：确定ｘ＾Ｔ４（Ｇ）＋ｘ＾Ｔ４（－／Ｇ）的可达下界，其中ｘ＾Ｔ４（Ｇ）表图Ｇ的４－全色数，－／Ｇ表Ｇ的补图。     

一类双曲型方程解的爆破（Blow—up）现象

ＬａｉＳｈａｏｙｏｎｇ＆ＭｕＣｈｕｎｌａｉ（ＡｐｐｌＭａｔｈ－ＪＣＶ,１９９７,１２Ｂ：３２１）研究了在ｆ（ｘ）,ｇ（ｘ）,Ｇ（ｕ）满足一定条件下,如下方程ｕｔ－Δｕ＝εＧ（ｕ）,ｔ≥０,ｘ∈Ｒ３,ε＞０充分小,ｕ（ｔ,ｘ）＝ｆ（ｘ）,ｕｔ（ｔ,ｘ）＝ｇ（ｘ）,ｘ∈Ｒ３｛解的渐近理论及应用．且在假设ｆ（ｘ）≡０,ｇ（ｘ）及Ｇ（ｕ）满足一定条件下得到了以上双曲型问题整体解的非存在性．因此,本文的工作可以看成是ＬａｉＳｈａｏｙｏｎｇ＆ＭｕＣｈｕｎｌａｉ工作的继续．     

与路2—正交的（g,f）—因子分解

设ｇ和ｆ分别是定义在图Ｇ的机点集合Ｖ（Ｇ）上的整数值函数且对每个ｘ∈Ｖ（Ｇ）有４≤ｇ（ｘ）≤ｆ（ｘ）。证明了若Ｇ是一个（ｍｇ＋ｍ－１,ｍｆ－ｍ＋１）－图,则对Ｇ中任意给定的长为２ｍ的路Ｐ,Ｇ有一个（ｇ,ｆ＿－因子分解２－正交于Ｐ。     

短波长In_xGa_（1－x）As_yP_（1－y）材料的LP－MOVPE生长

本文研究了用低压金属有机化学气相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，以三申基镓（ＴＭＧａ）、三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，ＡｓＨ＿３和ＰＨ＿３为Ⅴ族源，在（１００）方向掺Ｓ的ｎ￣＋ＩｎＰ衬底上生长短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料的生长条件，并用双晶Ｘ射线衍射（ＤＣＤ）和光荧光（ＰＬ）对不同条件下生长的短波长Ｉｎ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ＿ｙＰ＿（１－ｙ）材料进行了表征。     

（AlxGa1—x）yIn1—yP表面氧化特性

利用双层吸收膜模型,采用消光式椭圆偏振仪,对用ＭＯＣＶＤ方法生长的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｍｇ）和（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（掺Ｓｉ）３个样品及它们的表面氧化膜的光学参数进行了测量和计算,并对其结果加以讨论。另外还在室温下对（ＡｌｘＨａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（本征）表面氧化膜的生长速率及其厚度进行研究,并得对膜厚与时间的线性关系曲线     

应变超晶格（InxGa1—xAs）n／（GaAs）n（001）的电子结构和光？…

用半经验的紧束缚方法ｓｐ＾３ｓ＾＊计算了薄层应变超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ（００１）的电子结构。给出了组份Ｘ为０．５３的超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）ｎ／（ＧａＡｓ）ｎ的带隙值随层厚ｎ的变化关系,以及超晶格（ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ）１２／（ＧａＡｓ）１２的带隙值随组份Ｘ的变化关系。在得到超昌格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料ＧａＡｓ和     

关于D—闭迹的一个新充分条件

Ａ．Ｂｅｎｈｏｃｉｎｅ等人证明了当Ｇ为几乎无桥的阶≥３的连通图且对任意不相邻的两点ｕ，ｖ有ｄｅｇ（ｕ）＋ｄｅｇ＊ｖ）≥（２ｎ＋１）／３时，有Ｄ－闭迹存在。我们掖了这一结果，并得到：若Ｇ为连通的几乎无桥的阶ｎ〉３的图且对任意三点独立集｛ｘ，ｙ，ｚ｝有ｄｅｇ（ｘ）＋ｄｅｇ（ｙ）＋ｄｅｇ（ｚ）〉ｎ则Ｇ含Ｄ－闭迹。e     

丢番图方程Σ^n—1k=0（x＋d3k）^r=（x＋d3n）^r

本文证明了，当ｎ，ｘ，ｒ为正整数且ｒ〉３，ｓ为非负整数，ｄ３＝４０２＋１３，ｇｃｄ９ｘ，ｄ３）＝１，丢番图方程Σ＾ｎ－１ｋ＝０９ｘ＝ｄ３ｋ）＾ｒ＝（ｘ＋ｄ３ｎ）＾ｒ无整数解。     

La_（3－x）／2Ba_（（3－x）／2）Ca_xCu_3O_y超导体正电子寿

用ｘｔ子寿命谱方法研究Ｃａ局域替换Ｌａ（３－ｘ）／２Ｂａ（３－ｘ）／２ＣａｘＣｕ３Ｏｙ中的Ｌａ和Ｂａ引起的电子结构变化；并结合氧含量和转变温度的测量，分析了电子密度增加的原因．实验表明，随着Ｃａ含量的增加，体系正常态的正电子寿命明显减小，这表明正电子探测的电子密度增加．     

Gd（NO_3）_3／Er（NO_3）_3－Gly－H_2O三元体系的研究（25

测定了Ｇｄ（ＮＯ_３）_３／Ｅｒ（ＮＯ_３）_３－Ｇｌｙ－Ｈ_２Ｏ三元体系在２５℃时的溶度和饱和溶液折光率。各体系的溶度和饱和溶液折光率曲线均由４支组成，分别与ＲＥ（ＮＯ_３）_３·ｎＨ_２Ｏ（ＲＥ＝Ｇｄ，ｎ＝６；ＲＥ＝Ｅｒ，ｎ＝５）、配合物ＲＥ（Ｇｌｙ）_２（ＮＯ_３）_３·２Ｈ_２Ｏ，ＲＥ（Ｇｌｙ）_４（ＮＯ_３）_３·Ｈ_２Ｏ及Ｇｌｙ相对应。     

方程X~（n）（t）＋P（t）f（h（t）））g（X~（n－1）（t））＝0的振动性

讨论方程ｘ（ｎ）（ｔ）＋ｐ（ｔ）ｆ（ｘ（ｈ（ｔ）））ｇ（ｘ（ｎ－１）（ｔ））＝０的振动性，其中ｎ为偶数．得出方程振动的充分条件．推广和改进了ＳＫＧｒａｃｅ，ＢＳＬａｌｌｉ和ＳＵｒｓｚｕｌａ的结果．     

SAG法Ba_（1－x）Sr_xTiO_3的介电性质

ＸＲＤ法分析和介电测量结果表明，ＳＡＧ法Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３（ｘ＝０、０．３、０．５和０．７）微粉和陶瓷的室温结构为立方相．其居里温度明显低于相应Ｂａ１－ｘＳｒｘＴｉＯ３晶体或常规工艺陶瓷的值，但居里温度仍随着Ｓｒ２＋含量的增加而线性下降．晶粒含杂质Ｆｅ３＋以及表面富钡可能使其晶格立方化，从而使居里温度下降以及三方－正交和正交－四方铁电相变消失．     

稀土（Dy,Gd）苯甲酸盐的红外和荧光光谱研究

合成了系列苯甲酸－镝－钆混合稀土配合物．由元素分析确定其组成为（Ｄｙ＿（１－ｘ）Ｇｄ＿ｘ）Ｌ＿３（Ｌ＝Ｃ＿６Ｈ＿５ＣＯＯ￣－），通过ＦＴ－ＩＲ光谱和荧光光谱研究了配合物中羧酸根离子红外吸收峰的特征和荧光发射光谱的特征．配合物的红外光谱表明，在三个羧酸根中，至少有一个羧酸根是通过螯合－桥式混合配位形式与稀土中心离子键合的．因此，Ｄｙ￣（３＋）离子在配合物中不是位于正八面体的中心，而是处于一个非对称中心的位置．配合物的荧光光谱表明，当ＤｙＬ＿３中部分Ｄｙ￣（３＋）离子被Ｇｄ￣（３＋）离子取代时，Ｄｙ￣（３＋）离子的特征荧光发射强度得到较大提高．     

氧含量分析法确定Sm_（1＋x）Ba_（2－x）Cu_3On的固溶区

基于碘量法测定高温超导氧化物氧含量的方法，总结出固溶化合物Ｓｍ（１＋ｘ）Ｂａ（２－ｘ）Ｃｕ３Ｏｎ的氧含量ｎ随固溶度ｘ变化的规律性；从理论分析和实验测定得出在固溶区域内，Ｓｍ（１＋ｘ）Ｂａ（２－ｘ）Ｃｕ３Ｏｎ的氧含量ｎ与替代程度ｘ呈线性关系，超出固溶极限ｘ０，直线斜率将发生明显变化。此结果与Ｘ射线粉末衍射结果基本一致．     

关于“k——序哈密尔顿图”一文的一点注记

本注记改正文［１］中一个引理的一点错误及引理证明中的失误。重新证明了若ｎ阶图Ｇ的任二不相邻顶点ｕ、ｖ有ｄ（ｕ）＋ｄ（ｖ）≥ｎ＋２ｋ－７，４≤ｋ≤ｎ，则对于Ｇ的任意不同的ｋ个顶点ｖ１，ｖ２，…，ｖｋ，有ｖ１（ｘ１）ｖ２（ｘ２）…ｖｋ－１（ｘｋ－１）ｖｋ型ｖ１—ｖｋ路（我们用ｖｉ（ｘｉ）ｖｉ＋１表示ｖｉｖｉ＋１或ｖｉｘｉｖｉ＋１。）或ｖｋｖ１（ｘ１）…（ｘｋ－２）ｖｋ－１型ｖｋ—ｖｋ－１路；若对任不相邻两顶点ｕ、ｖ有ｄ（ｕ）＋ｄ（ｖ）≥ｎ，则对于Ｇ中任三点ｖ１，ｖ２，ｖ３存在ｖ１（ｘ１）ｖ２（ｘ２）ｖ３型ｖ１—ｖ３路。最后对文［１］中的公开问题１提出自己的看法。     

二分图的与星正交的（g,f）—因子分解

设ｇ和ｆ是定义在二分图Ｇ的顶点集Ｖ（Ｇ）上的两个整数值函数且对每个ｘ∈Ｖ（Ｇ）有ｇ（ｘ）≤ｆ（ｘ）．证明了若Ｈ是二分图Ｇ的任一ｍ－星,则Ｇ有一个（ｇ,ｆ）－因子分解与Ｈ正交的充要条件是Ｇ为一个（ｍｇ,ｍｆ）－图．     

Eu_（1－x）Sr_xFeO_（3－y）的~（57）Fe Mossbauer谱

报导Ｅｕ＿（１－ｘ）Ｓｒ＿ｘＦｅＯ＿（３－ｙ）（ｘ＝０．０～１．０）的固相反应法合成，测量了其Ｘ射线衍射及室温下的￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱。实验结果表明，Ｓｒ掺入了ＥｕＦｅＯ＿３晶格，结构变化与掺杂量密切相关。室温下￣５７ＦｅＭｏｓｓｂａｕｅｒ谱由一套反铁磁六线谱、一套顺磁双线谱和一套顺磁单线谱组成（Ｘ＝０．２，０．４，０．６）．处于立方相的Ｆｅ离子的ＩＳ介于Ｆｅ￣３＋和Ｆｅ￣４＋之间，可能参与电子跳跃。