WO3基H2S气体传感器的研究

介绍了电子束蒸发ＷＯ３膜和以该膜为敏感材料的Ｈ２Ｓ气体传感器工艺，分析了膜的灵敏度和膜的稳定性以及掺金和分步热处理对器件性能的影响     

纳米WO3氯化氢气体传感器

以三氧化钨为基材,通过掺杂制作了半导体型氯化氢气体传感器,研究元件的气敏特性。以钨酸钠和浓盐酸为反应物,采用溶胶-凝胶法,制备出具有特殊结构的三氧化钨。通过XRD、SEM、TEM等微观分析手段,发现该材料具有层片状结构,结构松散,平均粒径约17纳米。研究发现,掺杂适量的氧化铝可以大大提高三氧化钨对氯化氢气体的灵敏度,但元件稳定性以及选择性比较差,通过掺杂少量的氧化锌,虽然降低了元件的灵敏度,却可以大大提高元件的稳定性,适当提高加热电压,可抑制元件对NO2等气体的灵敏度,提高选择性。本文对三氧化钨的气敏机理及特性进行分析。     

传感器测定空气中NH3有害气体的途径研究

论述了用NH3气敏元件测定空气中NH3有害气体的原理、方法等,并通过与国标法或国家推荐方法作对照实验,建立校正公式,以确定气敏元件法用于室内空气中NH3测定结果的可信性,为空气中微量NH3有害气体的测定,寻找一种能用于现场监测的简单、快速、标准化、小型化的方法。     

CQLQ—1型常温电化学H2S气体传感器的研制

介绍了一种Ｈ２Ｓ气体传感器，论述了它的原理，研制过程及测量结果。     

WO3基的气敏传感器的研究现状及气敏性能提升的机理分析

随着市场对有机挥发性气体检测技术要求的日益提高,金属半导体气敏传感器由于其工作温度较低、循环稳定性好、响应和恢复时间短等特点而受到广泛关注.三氧化钨(WO₃)作为一种典型的n型金属半导体气敏材料,由于其特殊的气敏特性而在探测各类有毒有害物质的领域中受到了人们普遍重视.传感材料的结构和形貌、暴露晶面、金属氧化物和贵金属离子的引入,对改善材料的气敏性能起着关键性的作用.文章介绍了WO₃气敏传感器材料对各种气体的应用,提出基于WO₃的气敏传感器研究过程中所面临的难题,并对其未来发展方向进行了展望.     

新型Al2O3基半导体陶瓷甲烷气体传感器

研制了一种新型气敏材料体系－Ａｌ２Ｏ３基半导体陶瓷材料体系,并用以制备了高性能的对甲烷敏感的气体传感器,这类新型高性能甲烷气体传感器具有工作温度低,气体选择性好,检测灵敏度与气体浓度呈近似线性关系,响应时间和恢复时间快等优点,可望进行工业规模生产。     

电子束蒸发WO3—基气敏薄膜特性的研究

介绍了用电子束蒸发制作ＷＯ３气敏薄膜，溅射掺Ａｕ、膜的热处理工艺以及对Ｈ２Ｓ气体的敏感特性测量的初步结果。着重讨论了ＷＯ３膜的稳定化过程。     

γ—Fe2O3响应苯类气体敏感材料特性研究

从电导控制理论，对掺钇、硫酸根离子等多元化、微结构γ—Fe2O3的热稳定性、响应苯类气体敏感性及其对相邻气体的高选择性，进行了系统研究与机理分析，并用DTA、TEM、RQ-1等方法进行表征与测量。结果表明，掺入适量Y2O3后能使γ—Fe2O3的相变温度提高到618℃，从而改善γ—Fe2O3基气敏元件的热稳定性；硫酸根离子和金离子的适量掺杂有助于提高苯类气体的敏感特性；γ—Fe2O3基体材料的微细化可增强γ—Fe2O3的表面气敏特性。从而为苯类有机气体敏感元件研制提供了一条新途径。     

高选择性H_2S气敏元件及其特性

本文报导了利用超微粒ZnO材料制作的气敏元件,对H_2S气体具有很高的灵敏度和良好的选择特性;在相同的测试条件下,元件对H_2、CH_4、C_2H_2、C_2H_4、CO、煤气、液化汽等无明显的气敏性。在较高的环境温度和湿度下,元件的气敏特性仍较稳定。     

传感器测定空气中NH_3有害气体的途径研究

论述了用NH3气敏元件测定空气中NH3有害气体的原理、方法等 ,并通过与国标法或国家推荐方法作对照实验 ,建立校正公式 ,以确定气敏元件法用于室内空气中NH3测定结果的可信性 ,为空气中微量NH3有害气体的测定 ,寻找一种能用于现场监测的简单、快速、标准化、小型化的方法。     

二氧化锡气体传感器敏感机理的研究

结合晶粒边界的肖特基势垒模型和固体表面对气体的Freundlich等温吸附原理推导了SnO2的电导与气体浓度、工作温度之间的关系,用Mathematica对电阻-浓度的关系进行模拟,分析了模拟结果和实际的测试结果的异同.通过比较可得出在5000×10-6以下,电阻与气体浓度呈下降趋势,与模拟结果有一定差距,但在高浓度,电阻的变化趋于恒定,下降缓慢,和理论模型非常好地吻合.考虑环境气氛的影响,将模型中的特征常数d,B'适当减小可对低浓度下的模型加以修正.     

利用磁控溅射仪制作平面薄膜型H2S硅微传感器

通过反应溅射 ,以硅基片 (表面上有白金加热电极 )为基底制作H2 S薄膜气敏元件 .实验表明 ,纳米SnO2 对H2 S具有较高的敏感度 ,对干扰气体的选择性较好 .性能测试表明 ,元件的特性与敏感材料的厚度、溅射气压等工艺参数有关系 ,但敏感材料的厚度对元件的特性起着决定性的作用 ,气敏薄膜有一个最佳厚度范围 .通过X射线衍射仪进行材料的微观分析 ,表明SnO2 的平均粒径大小为 8.5nm .     

用PECVD制备的薄膜H2敏元件研究

用ＰＥＣＶＤ法制备了具有较高灵敏度与选择性的Ｈ２薄膜元件。     

氧化锌／多孔硅复合薄膜气敏传感器对有机气体的监测研究

用电镀法在多孔硅表面沉积ZnO薄膜,制备了氧化锌/多孔硅复合薄膜气敏元件,对元件进行了乙醇、丙酮等五种有机挥发性气体敏感特性的测定。实验结果显示:元件对不同的有机气体的敏感度有差异,这与有机气体的官能团有关系。元件对乙醇、丙酮的敏感性很高,是氧化锌/多孔硅复合薄膜气敏元件对气体分子的物理和化学双重吸附增大了吸附分子的量,还给元件提供了很大的比表面积和气体传输通道。     

电子鼻判别挥发性气体的实验研究

文中模拟人的嗅觉形成过程研制了一套用金属氧化物半导体气敏传感器阵列组成的电子鼻系统。深入研究了电子鼻的气敏传感器是和数据处理分析器,并用该电子鼻对5种不同浓度乙醇溶液（0．5％,1％,1．5％,2％,5％）进行分析,详细阐述了实验过程,同时用BP神经网络对样本进行识别分析,神经网络的回判正确率为90％,测试正确率为80％。     

纳米WO3气敏材料的制备与表征

本用沉淀法制得了xwt%SiO2 WO3(x=3,10,15,20）纳米粉体，对其进行了XRD物相分析，以TEM观察其形貌并测得平均粒径，并与烧结法制得的纯WO3纳米粉体进行比较，结果表明：沉淀法可获得单斜晶系和三斜晶系共存的WO3纳米粉体，晶粒尺寸随SiO2掺杂量增加而减小，所得粉体粒径范围为20－30nm，粒度均匀。     

基于GO/TiO2复合材料的乙醇气体传感器

为探讨氧化石墨烯复合材料的气敏性能,以氧化石墨、钛酸四丁酯为主要原料,采用水热法制备氧化石墨烯(GO)与Ti O2复合材料并研究其乙醇气体敏感性能。以钛酸四丁酯及氧化石墨烯为原料,在水性体系中合成Ti O2质量分数不同的GO/Ti O2复合材料,进行XRD和SEM表征及气敏性能测试,讨论了温度、Ti O2质量分数、乙醇浓度等因素对敏感性的影响。结果表明:在工作温度为250℃时,GO/Ti O2(Ti O2质量分数为10%)具有乙醇最佳的气敏响应,显示了良好的气体敏感性,可以用于检测乙醇的气体浓度。