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采用磁控测射方法制备的NiFe/Cu多层膜,在室温下测量到巨磁电阻随Cu层厚度振荡的第三峰,讨论了NiFe/Cu多层膜界面结构对巨磁电阻的影响 相似文献
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用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中. 相似文献
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低饱和场巨磁电阻金属多层膜Ni80Fe20/Cu的结构与磁电阻 总被引:1,自引:0,他引:1
采用磁控溅射方法,获得了具有低饱和场巨磁电阻的Ni80Fe20/Cu金属多层膜,在室温下,其磁电阻和层间耦合状态随Cu层厚度的增加呈振荡变化,在Cu层厚度tCu=1.0nm,2.2nm时磁电阻出现2个峰值分别为19.4%和11.7%,饱和场约为6.4×10^4A/m和8×10^3A/m低温下(77K)磁电阻为33.2%和27.6%,系统地研究了NiFe层厚度和周期数对多层膜磁电阻的影响,用真空退火 相似文献
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研究了具有不同厚度Ni过渡层的Co5.0nm/Cu3.5nm/Co5.0nm三明治膜的巨磁电阻效应,发现Ni过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ni过渡层的Co/Cu/Co三明治膜的磁电阻值在3.5%和5.6%之间,相应的矫顽力在0.95kA/m附近。因此,材料的灵敏度最大可以达到39%kA.m^-1。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ni过渡层提高了材料的平整度,从而导致大的巨磁电阻值。而电阻 相似文献
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采用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积NiFe/Cu多层膜.在室温下测量到其巨磁电阻随cu层厚度振茴的第一峰和第二峰,相应的峰值分别为19%和11%.研究了巨磁电阻隧NiFe层厚度及多层膜总周期数Ⅳ的变化规律。 相似文献
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本文介绍了多层薄膜的巨磁电阻效应。由铁磁材料与非磁材料相间构成的厚度在几纳米的多层膜超晶格结构,具有特殊的磁电效应,在磁场作用下呈现电阻剧烈下降现象,即所谓巨磁电阻效应。该效应在硬盘磁头读出器、弱磁探测等方面具有广泛应用价值。 相似文献
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用四探针法,纵向表面磁光效应,极克尔磁光谱仪和椭圆偏胱谱仪研究了离子束溅射法制备的「Co90Al10(1.6nm)/Cu」30多层膜中的层间耦合,磁光效应及光学性质。结果发现对于Co-Al/Cu多层膜,其面内饱和场HS,矫顽力HC,磁电阻ΔR/R,特别是等效介电函数δ,磁光极克尔角θK分别随Cu层厚度的变化同步作周期性的振荡,其 0.9mm。 相似文献
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巨磁电阻自旋阀多层膜的结构和磁性 总被引:1,自引:0,他引:1
用磁控溅射镀膜方法,制成了巨磁电阻自旋阀多层膜Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta。它具有优良的特性。其室温磁电阻比率MR〉2%,自由层矫元力Hcl〈160A/m,自由层零磁场漂Hf〈800A/m和钉 扎层交换场Hex≈20×10^3A/M。 相似文献
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利用磁控溅射,将磁电阻材料La0.67Ca0.33MnO3与金属Ag,Fe等材料相结合,制成了多层膜,测得了三层膜“La0.67Ca0.33MnO3/Ag/Fe”的巨磁电阻效应。 相似文献
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Co-Ag/Ag多层膜的巨磁电阻效应 总被引:2,自引:2,他引:0
用离子束溅射法制备了6个系列的CoxAg100-x/Ag颗粒多层膜,对其巨磁电阻随成分及Ag层和Co—Ag层厚度的变化规律进行了研究.当Ag层厚度改变时,GMR有一峰值,且随着Co含量增加,峰值向层厚增加的方向位移,当Co—Ag层厚度改变时,Co含量较高的样品的磁电阻在dm=2.0nm附近有一个极大值,而Co含量较低的样品在dm6.0nm范围是单调上升的.用磁层间静磁相互作用的反铁磁耦合模型对上述现象加以解释.还研究了Co45Ag55/Ag多层膜样品的退火效应. 相似文献
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"La0.67 Ca0.33MnO3/Ag/Fe"多层膜的制备及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用磁控溅射,将磁电阻材料La0.67 Ca0.33MnO3(Tc= 267℃)与金属Ag、Fe 等材料相结合,制成了多层膜(磁电阻材料/非磁金属/铁磁金属),测得了三层膜“La0.67 Ca0.33MnO3/Ag/Fe”的巨磁电阻效应(MR= 86% ,B= 0.8T,T= 150K). 相似文献
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用射频交流溅射法制备了具有不同层厚的FeSi/Cu多层膜系列样品。通过铁磁共振谱测量发现:当Cu层厚度(dCu)小于15A时,FeSi层间发生交换耦合。室温饱和磁化强度测量发现:dCu<15A,磁化强度随dCu减小而明显下降。磁光克尔谱测量则表明:dCu<15A时,谱线出现异常。将上述三个结果进行综合分析提出如下模型:dCu<15A,Cu层中传导电子被反向极化,并通过RKKY相互作用使FeSi层间 相似文献
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用离子束溅射法制备了6个系列的CoxAg100-x/Ag颗粒多层膜,对其巨磁电阻随成分及Ag层和Co—Ag层厚度的变化规律进行了研究.当Ag层厚度改变时,GMR有一峰值,且随着Co含量增加,峰值向层厚增加的方向位移,当Co-Ag层厚度改变时,co含量较高的样品的磁电阻在dm=2.0nm附近有一个极大值,而Co含量较低的样品在dm≤6.0nm范围是单调上升的.用磁层间静磁相互作用的反铁磁耦合模型对上述现象加以解释.还研究了Co45Ag55/Ag多层膜样品的退火效应. 相似文献
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利用振动样品磁强计和电子顺磁共振谱仪研究了Fe-Ni/Cu多层膜中的层间耦合和二维效应,以及它们对磁性的影响,对于Fe-Ni(3.0nm)/Cu多层膜,面内饱和场Hs,矫顽力Hc,剩磁比均随Cu层厚度作同步振荡变化,对于Fe-Ni(2.0nm)/Cu和Fe-Ni(3.0nm)/Cu多层膜,有效饱和磁化强度与共振线宽ΔH,随Cu层厚度作同步振荡变化。在它们的铁磁共振谱中,除了一致进动共振模外,还存在 相似文献
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电化学制备Ni—Cu/Cu超晶格多层膜 总被引:6,自引:0,他引:6
采用单槽双脉冲恒电位制备了超晶格Ni-Cu/Cu多层膜,测试结果表明:Ni-Cu层与Cu层间界面清晰,各层均匀连续相互覆盖,具有良好的周期结构,Ni-Cu4.6nm/Cu3.4nm具有良好外延生长的超晶格结构,铜-镍生长的择优了向面为(111)晶面,该材料表现出特殊的阳极溶解性能。 相似文献
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Co—Ag/Ag颗粒型多层膜中的巨磁电阻效应 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了Co-Ag(1.8nm)/Ag多层膜的巨磁电阻效应,发现随Ag层厚度的增加,ΔR/R先增加后减小;而且当Co的含量增加时,ΔR/R的峰值向Ag层较厚的方向移动.磁电阻的上述行为是由于相邻磁层中近邻的Co颗粒之间的反铁磁耦合引起的.对于Ag层厚度固定的Co-Ag/Ag多层膜,当Co的含量较低时,ΔR/R随着磁性层厚的增加而单调增加;当Co的含量较高时,ΔR/R在磁性层厚度为2.2nm处有一极大值,这表明在Co-Ag/Ag多层膜中分流效应有重要作用. 相似文献
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采用磁控溅射法制备Dy4(Co21Cu79)96颗粒膜,研究薄膜的巨磁电阻(GMR)效应及磁性能.应用X射线衍射仪(XRD)对薄膜微观结构随退火温度的变化进行分析,采用四探针及振动样品磁强计(VSM)测量薄膜的磁电阻和磁性能.X射线衍射实验结果表明:制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火处理将促进Cu和Co的相分离.磁电阻测试发现:所有不同成分的Dyx(Co21Cu79)100-x(x=0,4,8,9,12,14)薄膜样品均随着退火温度的升高,颗粒膜巨磁电阻(GMR)效应不断增大,当达到最佳退火温度之后,GMR值又随退火温度的升高而降低.当退火温度为425℃时,Dy4(Co21Cu79)96薄膜的巨磁电阻效应达到最大,GMR值为-4.68%.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生了从超顺磁性到铁磁性的转变,矫顽力Hc随退火温度的升高逐渐增大. 相似文献