静态磁光记录温度场的模拟

讨论磁光静态记录过程中单层膜与多层膜在激光照射微区内温度场的分布,导出多层膜在激光照射下温度变化的解析表达式。由此模拟出局域瞬态温度场,在理论上确定了TbFeCo记录材料的成畴大小和形状。这对磁光薄膜宽温化、表面温度特性和磁光记录畴表面形貌分析等具有重要的实际意义。     

磁光静态记录温度场的分布及计算

讨论了磁光静态记录过程中单层膜与多层膜在激光照射微区内温度场的分布，导出多层膜在激光照射下温度变化的解析表达式，由此模拟出局域瞬态温度场，在理论上确定了ＴｂＦｅＣｏ记录材料的成畴大小和形状，这对磁光薄膜宽温化、表面温度特性和磁光记录畴表面形貌分析等具有实际意义     

三层磁性耦合膜的磁化过程

从理论上计算了三层磁性耦合的磁化过程。假定每层膜具有单轴各向异性，且易轴方向垂直于膜面，各层磁化曲线都为矩形。第一层与第三层组成成份和膜厚完全相同。我们得到了各种各样磁化过程及其条件。尤其指出了得到矩形磁化过程条件。磁光记录需要矩形磁化过程，为进一步多层膜磁光记录研究提供了依据。     

可擦型富Tb的TbFeCo磁光存贮膜静态记录性能实验测试

实验测试了富Ｔｂ的ＴｂＦｅＣｏ激光存贮膜对６３２．８ｎｍ激光的静态记录性能。结果表明，当记录激光功率小于３．５ｍＷ时不能实现记录，记录磁畴尺寸随记录激光功率和记录外加磁场的增加而增大。     

非晶SmDyFeCo薄膜的制备和磁光记录特性

研究了制备非晶ＳｍＤｙＦｅＣｏ薄膜的方法和它的磁光记录畴大小随记录激光功率Ｐ及记录偏磁场Ｈｂ的变化趋势，并与非晶重稀土－过渡族ＤｙＦｅＣｏ薄膜的磁光性能比较，得到了重要的结论：在非晶重稀土－过渡族ＤｙＦｅＣｏ薄膜中加一定量的轻稀土元素Ｓｍ组成四元非晶合金薄膜能使它的磁光记录畴直径减小，它可能成为未来高记录密度的新型磁光材料     

激光辅助跨越补偿点磁化反转动力学的实验测量

文章介绍了稀土-过渡族金属铁磁合金薄膜的磁学性质以及超快磁化动力学的一般测量方法，论述了传统实验手段难以测量非可逆的激光辅助跨越补偿点磁化反转动力学的原因．实现了一种新的实验测量方法——光-磁同步动态磁光测量法，并论述了相关原理和技术．以此方法测量得到了GdFeCo薄膜的磁化反转动力学，能够反映真正跨越补偿点磁光记录的过程信息．     

Co/Pb多层膜的磁垂直各向异性与磁光克尔效应

我们用射频磁控溅射方法制备了一系列Ｃｏ／Ｐｂ多层膜样品，转矩仪测量结果表明，当Ｐｂ层厚度小于２纳米时，磁垂直各向异性场Ｈｕ随Ｐｂ层厚度的减小而增加。在磁光极克尔效应的测量中，发现在短波方向有磁光增强现象，并对磁光增强的可能机制进行了研究     

磁光记录原理与展望

本文简要阐述了一种新兴的存储器件——磁光盘的记录原理和磁光记录介质的性能与发展前景.     

等离子体吸收边对多层膜磁光克尔效应的影响

通过分析由光诱致的电荷密度涨落对铁磁／非磁性金属多层膜非磁性层中费米面附近电子的交换劈裂能的影响，对ＮＭ层金属附加磁光克尔效应的频谱特性进行了理论推导和定量计算，证明ＦＭ／ＮＭ多层膜在其ＮＭ层的等离子体吸收边附近确定可能存在磁光克尔谱的增强，并讨论了有些样品没有出现这种增强峰的原因。     

YIG/Ta/CoTb/Pt多层膜中基于自旋轨道矩的全电学垂直磁矩翻转

自旋轨道矩为设计新型自旋电子存储和逻辑器件提供了物理基础,而实现零磁场自旋轨道矩操控磁矩翻转是此类自旋电子器件应用的物理基础.本工作在钇铁石榴石(Yttrium Iron Garnet, YIG)磁性绝缘薄膜层上生长了Ta/CoTb/Pt亚铁磁性多层膜,利用YIG磁性绝缘层对具有垂直磁各向异性的CoTb薄膜施加磁偶极相互作用场,再辅以Ta和Pt层中叠加的自旋轨道矩,实现零外场下对CoTb磁矩的操控和翻转.实验上通过反常霍尔效应及反常霍尔电阻测量脉冲电流诱导的磁化翻转行为,并在磁光克尔显微镜下观察到了脉冲电流驱动的磁畴壁运动特征,发现对于YIG/Ta/CoTb/Pt器件,由于受到底层YIG的影响,亚铁磁CoTb的磁畴以条纹状特征进行运动和完成磁化翻转,这与Si/Ta/CoTb/Pt薄膜磁化翻转特性存在显著区别.本文对于自旋电子低功耗器件尤其是全电学驱动的自旋轨道矩器件的研究,具有参考意义和潜在应用价值.     

磁存储的研究现状及发展方向

磁性存储是最常用的大容量存储技术。其记录密度越来越高，发展也越来越快。通过对信息记录、读出和存储3个过程的分析，对硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点作了对比。指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密度记录的方向，光辅助磁记录是很有希望的记录技术。还指出量子磁盘技术是未来极高密度记录的方向。     

The Influence of the Plasma Absorbing Edge on the Magneto Optic Kerr Effect in Multilayer Metallic Films

通过分析由光诱致的电荷密度涨落对铁磁／非磁性（ＦＭ／ＮＭ）金属多层膜非磁性层中费米面附近电子的交换劈裂能的影响，对ＮＭ层金属附加磁光克尔效应的频谱特性进行了理论推导和定量计算，证明ＦＭ／ＮＭ多层膜在其ＮＭ层的等离子体吸收边附近确实可能存在磁光克尔谱的增强，并讨论了有些样品没有出现这种增强峰的原因．     

磁记录与磁光记录

信息的可擦重写磁光记录方式克服了磁记录方式信息密度较小的缺点,本文从磁记录原理出发介绍了磁光记录的原理及其近期发展,概述了这两种技术对记录介质的技术要求,并对记录材料的最新进展进行了述评．     

垂直磁记录介质Co－CoO膜的磁畴结构和反磁化机理

应用Ｌｏｒｅｎｔｚ显微术观察了反应蒸镀的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的磁畴结构。当垂直各向异性场Ｈ＿ｋ和磁化强度相对垂直取向比增加时，它的磁畴结构从典型的１８０°面内畴变成点状畴，后老是单轴垂直磁各向异性介质的一种典型特征。用ＶＳＭ测量的ＯＲ的角度依赖性显示了垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜中存在一定量的面内磁化强度分量。结合对矫顽力Ｈ＿ｃ，剩磁矫顽力Ｈ＿（ｃｒ）和磁滞损耗Ｗ＿ｈ的角度依赖性测量结果进行分析，可以得出结论：这种垂直磁各向异性的Ｃｏ－ＣｏＯ膜的反磁化机理是磁矩的涡旋式（Ｃｕｒｌｉｎｇｍｏｄｅ）非一致转动过程。     

用电镜对CoCr垂直磁化薄膜观察磁畴随温度的变化及居里点检测(英文)

本文研究了CoCr垂直磁化薄膜的磁畴随温度的变化。垂直磁化点畴变化为面内磁化羽状畴的转变温度在升温过程中为350℃。本实验测得CoCr膜的居里点T_c约在600℃附近。本文也分析了H_k或K_u随温度的变化要比M随温度的变化更快。这支持了垂直磁各向异性根源主要来自磁晶各向异性。显微照片也显示了自发磁化点畴的尺寸要比膜表面晶粒或膜断面晶柱的尺寸都要大,并都处在单畴状态。     

脉冲激光作用下金属反射镜热力耦合数值模拟

利用有限元法对单脉冲激光作用下铜基Ni/Au反射镜的热力耦合以及温度场分布进行了数值模拟,得出了在不同功率的单脉冲激光照射下的温度场和应力分布,并对脉冲功率密度与镜面最大温升以及膜层最大应力的关系进行了分析.     

左手材料和磁性材料交替排列结构中的角度特征分析

利用4×4传递矩阵的方法,计算了含左手材料和磁性材料的多层结构的磁光科尔效应,分析了科尔旋转角和优值系数随层厚、左手材料磁导率、介电常数的变化关系.左手材料的反常共振传递特性使得薄的磁性膜可以产生大的磁光科尔效应,有望在磁光记录、完美隐身中发挥重要作用.     

成分对CoCr薄膜磁畴影响的研究

对Cr含量为0-23 at％的不同成分系列的CoCr合金薄膜磁畴的研究表明,随着Cr成分增多时其磁各向异性和相关的磁畴结构都敏感地变化。当Cr含量少于17at％时,面内磁化强度为主,并有多种结构形式。超过Cr含量11.2 at％后,少量的垂直磁化强度点畴出现,并随Cr含量增多而增多。Cr含量在17-23 at％的范围内可获得垂直磁各向异性为主的CoCr膜,也可能得到用于高密度垂直磁记录的优良薄膜磁性能。显微照片显示了点畴的尺寸比膜表面的晶粒的或膜断面的晶柱的尺寸都大些。因此,可以得出结论,即其一个自发磁化强度点畴是由一束晶柱或长成的晶粒组成,并都处在单畴状态。     

磁存储的研究现状及发展方向

磁性存储是最常用的大容量存储技术,其记录密度越来越高,发展也越来越快。通过对信息记录, 读出和存储3个过程的分析,对硬磁盘记录。垂直磁记录和磁光记录的优缺点作了对比,指出了采用垂直记 录模式,非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密度记录的方向,光辅助磁记录是很有希望的记 录技术。还指出量子磁盘技术是未来极高密度记录的方向。     

激光局部氮化改善取向硅钢磁畴结构分布

采用激光氮化方法(LN方法)对取向硅钢表面进行局域线状氮化处理,引入气态氮作为合金化元素,研究了激光工艺参数对硅钢表面氮化物形成的影响·对传统观察磁畴的方法进行了改进,研制了一种新型的Fe3O4磁流体,这种磁流体不仅能进行适时观察磁畴结构,而且还实现了带膜磁畴观察·利用XPS方法及Fe3O4磁流体磁畴观测方法对处理后的样品进行了检测及磁畴观察·结果表明:通过控制激光工艺参数可实现取向硅钢的激光氮化,在取向硅钢表面生成了Fe4N和Fe3N两种氮化物;氮化处理后,硅钢片的磁畴结构有所细化,从而可以改善取向硅钢的性能,降低取向硅钢的铁损;氮化样品经600℃,...