膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响

用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力Ｈｃ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系,结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时,Ｈｅｘ最大;Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大．当ＮｉＦｅ厚度增加时,Ｈｅｘ近似线性减小;而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小．对于ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ１）／Ｃｕ（２．２ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ２）自旋阀多层膜材料（括号内的量表示厚度）,研究了ＮｉＦｅ膜厚度对磁阻效应的影响,结果表明：被钉扎层ＮｉＦｅ的厚度为３ｎｍ,自由层ＮｉＦｅ的厚度为５ｎｍ时,ＭＲ值最大,约为１．６％．     

Cu层厚度对NiFe／Cu／Co的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ２多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Ｃｕ厚度的关系,在适当的Ｃｕ厚度下,制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜。研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中。     

NiFe／Cu多层膜的巨磁电阻效应

采用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积NiFe／Cu多层膜．在室温下测量到其巨磁电阻随cu层厚度振茴的第一峰和第二峰，相应的峰值分别为19%和11%．研究了巨磁电阻隧NiFe层厚度及多层膜总周期数Ⅳ的变化规律。     

巨磁阻效应及恒流电镀制备具有巨磁阻效应的CuNiCo/Cu多层膜

本文叙述金属与合金的各向导性的磁电阻效应，磁性金属／金属多层膜的巨磁阻效应。恒流电镀制备巨磁阻金属多层膜以及巨磁阻金属多层膜应用。在室温条件下，用含有Co2＋、Ni2＋、Cu2＋离子的化合物作电解质，恒流电镀。具有巨磁阻效应的Cu－Co－Ni／Cu多层膜生长在抛光的铜基质上，在室温条件下，磁场强度为0～1T，测得电磁阻变化率达到2．45％。     

电化学制备Ni—Cu／Cu超晶格多层膜

采用单槽双脉冲恒电位制备了超晶格Ｎｉ－Ｃｕ／Ｃｕ多层膜,测试结果表明：Ｎｉ－Ｃｕ层与Ｃｕ层间界面清晰,各层均匀连续相互覆盖,具有良好的周期结构,Ｎｉ－Ｃｕ４．６ｎｍ／Ｃｕ３．４ｎｍ具有良好外延生长的超晶格结构,铜－镍生长的择优了向面为（１１１）晶面,该材料表现出特殊的阳极溶解性能。     

Cu层厚度对NiFe/Cu/Co 的巨磁电阻效应影响

用磁控射频溅射法制备了NiFe/Cu/Co多层膜;研究了薄膜的磁特性和磁电阻特性与中间层Cu厚度的关系.在适当的Cu层厚度下 (大约为2 nm),制备出了具有很好自旋阀巨磁阻效应的多层膜.研究表明,在弱磁场下,薄膜的磁电阻回线的斜率与原来的磁化过程有关,因此该薄膜材料可以用于巨磁电阻存储器中.     

金刚石膜磁阻效应

在F－S薄膜理论的基础上,考虑了晶格散射和杂质散射,通过求解驰豫近似下的Boltzmann方程,计算了P型单晶半导体金刚石膜（矩形）在球形能带下的电导率及考虑金刚石的轻空穴带、重穴穴带和分裂带为并联电阻模型时的磁阻,给出了磁阻和金刚石膜厚度,磁场强度、迁移率的关系。研究表明：金刚石的轻空穴带、重空穴带和分裂带对磁阻的影响不相同。厚膜的磁阻和块材的磁阻相差不大,磁阻和温度、磁场强度,迁移率有密切关系。     

颗粒膜中的巨磁阻效应

本文讨论了颗粒膜中巨磁阻效应（ＧＭＲ）与铁磁颗粒的组成、浓度、颗粒大小和形状依赖关系。     

温度和外场对巨磁阻的影响

从非线性Kubo公式出发，计算电流在平面（CIP）结构三层 膜的巨磁阻效应，通过考虑电子与自旋相关体散射和界面散射，研究了电流在平面的巨磁阻量子效应，发现Kubo公式中非线性部分在不同程度上影响巨磁阻效应，在零温附近，温度参数对巨磁阻影响很小，而外加偏压对巨磁阻的影响相对较大。     

四分之一膜堆非等厚干涉滤光片的设计

本文讨论了由两个四分之一的多层膜堆包围一个间隔层结构的非等厚干涉滤光片系统的设计方法,并在此基础上给出了干涉滤光片的设计实例。此种滤光片无论在高透射的通带特性方面,还是在高反射的截止带特性方面都优越于通常的四分之一膜堆等厚干涉滤光片的特性,并且与非四分之一膜堆干涉滤光片相比,该种滤光片在工艺上是很容易实现的。     

Co／Al多层膜磁性的界面效应和维度效应

蒸发法制备的Ｃｏ／Ａｌ多层膜的饱和磁化强度Ｍｓ因界面效应随Ｃｏ层厚度减小而下降，并存在一个０．６８ｎｍ的磁性死层、磁性层减小时，Ｍｓ与温度关系不再满足ＢｌｏｃｈＴ＾３／２定律，Ｍｓ随温度下降更快，表现出低于三维的低维磁性特征。同时，Ｃｏ／Ａｌ多层膜的居里温度随Ｃｏ层厚度减小而减小，遵从准二维标度定律，得出居里温度维度位移因子为０．６２。     

高灵敏度的具有Ni过渡层的Co／Cu／Co三明治膜的巨磁电阻效应

研究了具有不同厚度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治膜的巨磁电阻效应，发现Ｎｉ过渡层可以大大地提高材料的灵敏度。不同程度Ｎｉ过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜的磁电阻值在３．５％和５．６％之间，相应的矫顽力在０．９５ｋＡ／ｍ附近。因此，材料的灵敏度最大可以达到３９％ｋＡ．ｍ＾－１。原子力显微镜给出的表面形貌表明Ｎｉ过渡层提高了材料的平整度，从而导致大的巨磁电阻值。而电阻     

Fe—Ni／Cu磁性多层膜中层间耦合和磁性的研究

利用振动样品磁强计和电子顺磁共振谱仪研究了Ｆｅ－Ｎｉ／Ｃｕ多层膜中的层间耦合和二维效应，以及它们对磁性的影响，对于Ｆｅ－Ｎｉ（３．０ｎｍ）／Ｃｕ多层膜，面内饱和场Ｈｓ，矫顽力Ｈｃ，剩磁比均随Ｃｕ层厚度作同步振荡变化，对于Ｆｅ－Ｎｉ（２．０ｎｍ）／Ｃｕ和Ｆｅ－Ｎｉ（３．０ｎｍ）／Ｃｕ多层膜，有效饱和磁化强度与共振线宽ΔＨ，随Ｃｕ层厚度作同步振荡变化。在它们的铁磁共振谱中，除了一致进动共振模外，还存在     

“La0.67Ca0.33MnO3／Ag／Fe”多层膜的制备及性？…

利用磁控溅射，将磁电阻材料Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３与金属Ａｇ，Ｆｅ等材料相结合，制成了多层膜，测得了三层膜“Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３／Ａｇ／Ｆｅ”的巨磁电阻效应。     

单畴磁膜磁阻效应的计算

对磁记录中使用的磁阻传感器的磁阻效应进行了定量分析，并提出了一种新的单畴磁膜退磁场的近似计算方法──平行线近似。计算结果表明，该近似比椭圆近似更好地反映了外磁场作用下单畴膜的磁荷分布。     

La0．67Ca0．33MnO3／YBa2Cu4O8／La0．67Ca0．33MnO3三效应研究层膜的时间

报导了La0．67Ca0．33MnO3／YBa2Cu4O8／La0．67Ca0．33MnO3薄膜中超导特性的时间效应。样品在空气中存放11个月后，超导转变温度都降低，而且每个系列样品的临界厚度增加。对用La0．67Ca0．33MnO3作保护层的YBa2Cu4O8薄膜进行时间效应测量，结果表明当La0．67Ca0．33MnO3层的厚度大于40nm时可以防止水对YBa2Cu4O8薄膜的影响。     

厚膜压力传感器的研究

用厚膜工艺制造压力传感器。研究了厚膜是民阻浆料的是电阻率与压阻系数的关系，承压基片选用ＺｒＯ２－Ｙ２Ｏ３３ｍｏｌ％增韬Ａｌ２Ｏ３陶瓷，大大地提高了压力感器的性能，对承压片的应力分布进行了分析，介绍了压力传感器的结构设计方法。     

磁性多层膜的磁滞回线和磁阻曲线的唯像理论研究

基于相干转动的局域能量极小模型和经典的热激活模型研究了包含二次、双二次耦合的磁性多层膜的磁化过程。计算结果表明双二次耦合和磁层的层数对多层膜的磁相图、磁滞回线、磁阻曲线都有重要的影响。在有限温度下，热激活使得磁性多层膜的磁状态间发生跳跃而达到动态平衡。当引入了具有高斯分布的微磁畴元后，计算了系统的磁状态，得到了不同温度下的磁滞回线和磁阻曲线。计算结果较好地解释了形态各异的磁滞回线和磁阻曲线。     

NiO靶烧结温度对NiO／Ni81Fe19双层膜的影响

在不同的温度下烧结制备ＮｉＯ靶，用射频磁控溅射法淀积ＮｉＯ／Ｎｉ８１Ｆｅ１９双层膜，研究了不同的温度烧结ＮｉＯ靶对ＮｉＯ／ＮｉＦｅ双层膜特性的影响，结果表明，使用不同的烧结温度制备的ＮｉＯ靶溅射所得的ＮｉＯ膜中Ｎｉ的化学价态及其含量不同，进而影响ＮｉＯ／Ｎｉ８１Ｆｅ１９双层膜的磁滞回线的矩形度及层间交换耦合作用。