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对铁电薄膜的开关特性进行了分析.介绍了利用美国HP4192A低频阻抗分析仪设计铁电薄膜开关特性测量仪的方法.讨论了测量原理以及如何利用测量仪所产生的双极性双脉冲对铁电薄膜的开关特性进行测量,给出了有关PZT(55/45)铁电薄膜样品的测量结果 相似文献
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铁电薄膜及铁电存储器研究 总被引:2,自引:3,他引:2
综述了铁电薄膜以及铁电存储器的发展,讨论了铁电薄膜制备方法、结构和物理性能表征,并结合作者的前期工作,详细讨论了用于铁电薄膜与硅衬底集成的导电阻挡层问题,指出了铁电薄膜研究中需重点解决的一些问题. 相似文献
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铁电薄膜的制备及其在器件中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了铁电薄膜研究的新进展,分析了铁电薄膜不同制备方法的优缺点。重点介绍了铁电薄膜在铁电存储器及热释红外探测器方面的应用。指出了目前铁电薄膜及器件设计研究需要重点解决的一些问题。 相似文献
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分析测量了铁电薄膜的开关特性.介绍了测量铁电薄膜开关特性的重要仪器——双极性双脉冲发生器,以及利用双极性双脉冲测试铁电薄膜电滞回线的原理.这种电滞回线比用常规测量方式所测出的电滞回线更能真实地反映出铁电薄膜的特性,同时还能反映出铁电薄膜的极化转向过程. 相似文献
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讨论了铁电薄膜记忆特性的检测方法,研制了专用的测试仪器,并利用它测试了Au/BIT/PLZT/BIT/n-Si铁电薄膜的记忆性能。发现其具有二极管特性且2个读信号对应的检测电流幅度有明显的区别。 相似文献
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分析测量了铁电薄膜的开关特性,介绍了测量铁电薄膜开关特性的重要仪器-双极性双脉冲发生器,以及利用双极性双脉冲测试铁电薄膜电回线的原理,这种电滞回线比用常规测量方式所的电滞回线更能真实地反映出铁电薄膜的特性,同时还能反映出铁电薄膜的极化转向过程。 相似文献
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铁电材料具有独特的内部结构 ,在外加力、电场的作用下 ,由于电畴的反转而表现出非线性滞回特性。基于单晶的本构行为 ,发展了针对铁电陶瓷性能的计算方法 ,计及了四方结构铁电多晶材料中晶粒与基体间相互的能量作用 ,考虑了 90°及 180°反转的不同能量限值 ,计算结果表明该模型能较好地描述铁电材料的非线性行为。 相似文献
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王京 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》1999,19(2):30-32
本文关注铁电材料的电致疲劳,通过铁电陶瓷的疲劳裂纹扩展实验这一问题进行了研究,给出了实验结果,提出解释实验现象的理论。 相似文献
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基于平均场近似的软模理论,研究了含有表面过渡层的铁电薄膜介电函数的实部ε'和虚部ε″的随温度变化的动态特性。实验结果表明,随着温度的升高ε'和ε″分别出现两个峰和一个峰。当表面过渡层的作用增大时,薄膜的平均介电常数实部和虚部的峰变宽,峰值降低而且峰位向低温区移动。 相似文献
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用半导体理论讨论了金属-铁电薄膜-半导体(MFS)结构的电容-电压(C-V)特性,其结果表明:在n型Si基片上,理想MFS的C-V曲线为逆时针回滞,有载流子注入的MFS结构的C-V曲线为顺时针回滞,这与实验结果是一致的。 相似文献
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反铁电爆电换能电源研究 总被引:2,自引:1,他引:2
为了建立铁电-反铁电相变中释放的电能量与外加作用力场的关系,采用电滞回线、等静压和热释电等方法测量了Pb(Zr,Ti)O3基反铁电材料在电场、温度、压力等外场诱导下的铁电-反铁电相变性能,分析了在电容和电阻负载条件下的电输出特性。实验结果表明:铁电-反铁电相变中的输出功率与材料面电荷量的平方成正比,与实现相变的时间成反比。在此基础上提出了增加输出功率的途径。通过改善材料电滞回线的方直比,可以提高材料面电荷密度和缩短相变时间。 相似文献
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Bi4Ti3O12铁电薄膜及其铁电存储器 总被引:1,自引:0,他引:1
乔燕 《江汉大学学报(自然科学版)》2004,32(1):21-23
从Y系列材料出发介绍了Bi4Ti3O12材料的基本性质,阐述了Sol-Gel法制备Bi4Ti3O12薄膜的过程及影响因素,介绍了以Bi4Ti3O12薄膜为核心的铁电存储器. 相似文献
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介绍了铁电薄膜电滞回线测试原理和漏电流失真补偿算法,重点对该算法在测试系统中的应用进行了研究.用改进后的测试系统对Pb(ZR0.53Ti0.47)O3(PZT)铁电薄膜进行了测量,结果表明:改进后的测试系统能精确显示铁电薄膜的电滞回线曲线. 相似文献
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在数字信号处理(DSP)系统上运行的程序,在系统上电复位后需要加载到DSP的存储空间上,这是从事DSP系统开发不可缺少的环节。基于铁电存储器,提出了利用ADSP-BF535的SPI口进行加载的设计方案。该方案已应用于某雷达数字信号处理系统中。 相似文献