ZnO玻璃系压敏电阻配方研究

研究了ＺｎＯ玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响。发现玻璃料的添加量ｗ玻璃料一般在８．０％～１０．０％时效果最佳，Ｓｂ２Ｏ３的引入可生成Ｚｎ７Ｓｂｏ２Ｏ１２尖晶石相，抑制晶粒的生长，并使压敏场强Ｅ和非线性系数α值增加。Ｃｏ和Ｍｎ的添加使界面态密度增加，引起势垒升高，使非线性特性显著提高。     

ZnO-玻璃系压敏电阻材料研究

研究了不同种类的玻璃料对ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻电性能的影响．实验表明加入Ｇ３ 玻璃料制得的样品具有较好的电性能，并有很高的工作稳定性．还研究了ＺｎＯ－玻璃系压敏电阻的微观结构和介电性能     

ZnO 玻璃系压敏电阻配方研究

研究了 Zn O玻璃系压敏电阻的材料组成对其微观结构和电性能的影响 .发现玻璃料的添加量 w玻璃料 一般在 8.0 %～ 1 0 .0 %时效果最佳 .Sb2 O3的引入可生成 Zn7Sb2 O1 2 尖晶石相 ,抑制晶粒的生长 ,并使压敏场强E和非线性系数 α值增加 .Co和 Mn的添加使界面态密度增加 ,引起势垒升高 ,使非线性特性显著提高     

ZnO对LMAS系微晶玻璃微波介电性能的影响

采用微扰法,研究了不同质量分数的ZnO以及不同的热处理制度对SiO2-Al2O3-MgO-La2O3微晶玻璃系统微波介电性能的影响。结果表明,ZnO能有效地改善SiO2-Al2O3-MgO-La2O3系微晶玻璃的微波介电性能。当ZnO质量分数为8%,在850℃下保温处理72 h,得到的样品最佳参数为:εr=14.053,Q=1 338.821,τf=85×10-6/℃。     

溶盐热解法制备ZnO压敏电阻

研究了溶盐热解法制备 Zn O压敏电阻的工艺流程 ,并以此制备出通流能力加倍的 Zn O压敏电阻器。通过粉体的 X射线衍射分析了煅烧温度对粉体的影响。瓷片的 SEM测试说明溶盐热解法比传统法制备的 Zn O压敏电阻瓷片晶粒均匀性好。     

简单湿化学方法制备ZnO压敏电阻的研究

采用无机可溶性盐类为原料，通过相对简单的化学共沉淀方法，制备了ZnO压敏电阻材料，与传统的制备方法相比，化学方法得到的压敏电阻具有更低的烧结温度，更优良的非线性和更高的电压梯度，是一种具有重要实用价值的压敏陶瓷制备新方法。同时，利用XRD和SEM分析技术，对其显微结构也进行了表征和讨论。     

Co2O3掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响

运用传统工艺制备不同质量分数Co2O3掺杂的ZnO压敏电阻阀片.采用扫描电镜和X射线衍射仪对样品的显微结构进行分析,研究了Co2O3掺杂质量分数对ZnO压敏电阻显微结构的影响,讨论了其电学性能与Co2O3掺杂摩尔分数的关系.结果表明,随着Co2O3摩尔分数的增大,晶粒尺寸越来越小,衍射角变大,晶面间距减小;压敏电压升高...     

硫系玻璃材料光学非线性研究进展

硫系玻璃与氧化物玻璃相比,硫系玻璃具有更强的光学非线性,高的光敏性,并且在红外波段有较大的透过率,广泛地应用于光电子器件领域。本文介绍了硫系玻璃的性质以及研究现状。     

氧化锌压敏电阻磨片工艺改进

本文主要对压敏电阻的磨片工艺进行了探讨，并提出了一种新的磨片工艺：双端面研磨工艺。该工艺采用贯穿送料和连续磨削的方法实现对电阻片的研磨。经试验和批量验证，该工艺有效消除了四道平磨工艺对电阻片边缘的磕碰问题，同时，其效率、成本等与四道平磨工艺相比优势明显，具有优异的性价比。     

不同稀土氧化物添加对氧化锌压敏电阻瓷性能的影响

分别采用La2O3、Sm2O3、CeO2、Y2O3掺杂改性氧化锌压敏电阻,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,在摩尔比例相同的情况下,并在烧结温度为1160℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻陶瓷具有不同的电性能,其中以Y2O3掺杂改性的阀片性能最佳,其电位梯度达到348v/mm,漏电流为2μA,非线性系数为39,能量吸收密度为284J/cm3,性能优于其他稀土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。     

压敏电阻非线性电输运理论研究进展

在对各种压敏电阻材料介绍的基础上 ,综述了非线性电输运理论研究的进展 ,特别涉及了三氧化钨和有机压敏材料等新体系的问题。     

共沉淀纳米掺杂制备ZnO压敏电阻数学模拟(Ⅰ)

从多种离子反应平衡角度，对最常见的氨法共沉淀过程进行理论分析，并在此基础上提出了氨法共沉淀的数学模型和计算方法．对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的既能与NH3也能与OHˉ络合的金属离子（A类二价金属离子）进行了理论分析和模拟计算，得NT沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系．     

玻璃上Ag/ZnO 薄膜的形成过程

扩展一种和玻璃基体结合力高的化学镀铜技术,它在玻璃表面上喷雾覆盖一层醋酸锌,然后热解形成半导体氧化锌薄膜．将此附有氧化锌的玻璃浸渍硝酸银稀溶液,利用光还原法将银离子还原为单质银,并以银为催化剂在附有氧化锌薄膜的玻璃上化学镀铜．文中通过差热-热重分析(TGDTA)、X-射线衍射(XRD)和扫描电境(SEM)表征了上述过程,探讨半导体氧化锌光还原银离子的机理．     

Al2O3对硼硅酸铅钙系玻璃性能的影响

用熔融法制备CaO-PbO-B2O3-SiO2系玻璃,以低温共烧法制备玻璃烧结体,研究不同Al2O3含量和烧成温度对玻璃的烧结性能和电性能的影响.结果表明:随着Al2O3含量的增加,玻璃的玻璃化转变温度升高,介电常数增加,介电损耗增加;X线衍射分析(XRD)显示G1玻璃在800℃析出CaSiO3和β-SiO2;G1玻璃于725℃保温30 min烧结,于10 MHz测试,介电常数(εr)=6.1,介电损耗(tanδ)=5.9×10-4;该玻璃有较低的玻璃化转变温度(tg=697.1℃)、较差的析晶能力、较低的介电损耗,适合作为低温共烧陶瓷(LTCC)的玻璃料使用.     

氧化锌压敏电阻磨片工艺改进

本文主要对压敏电阻的磨片工艺进行了探讨,并提出了一种新的磨片工艺双端面研磨工艺.该工艺采用贯穿送料和连续磨削的方法实现对电阻片的研磨.经试验和批量验证,该工艺有效消除了四道平磨工艺对电阻片边缘的磕碰问题,同时,其效率、成本等与四道平磨工艺相比优势明显,具有优异的性价比.     

烧结温度对工业ZnO压敏电阻避雷器电气的影响

综合比较工厂试验结果得到的微观结构和电气参数的差异,优化得到了适合作为高电压梯度ZnO电阻片的配方和工艺。研制的ZnO电阻片在1135。C电压梯度达到330V／mm,最小漏电流IL4uA。并研究了其致密化过程,运用SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。     

提高烧结载量对制造氧化锌压敏电阻的影响

本文研究了氧化锌压敏电阻的装钵方式和装钵量提高后，对其梯度、泄漏电流、压比等性能的影响，并对结果进行了分析，结果表明，S5试样的装钵量最适合所试验的型号的电阻片需要，不仅提高了电阻片性能，而且还节能降耗，具有较强的推广价值。