纳米硅光致发光的研究

纳米硅光致发光的研究万明芳，魏希文何宇亮（大连理工大学物理系）（北京航空航天大学半晶态物理研究所）自从报道了多孔硅的光荧光（ＰＬ）以来，发光硅材料的研制以及硅材料发光特性的研究引起人们极大的关注．已经报道的两种发光的硅材料，即多孔硅和镶嵌在硅氧化物质...     

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议

第11届半导体缺陷认知、成像与物理会议（11th International Conference on Defects-Recognition，Imaging and Physics in Semiconductors（DRIP XI））于2005年9月15-19日在北京举行，来自26个国家（地区）的共124位代表与会。会议由中国科学院半导体研究所和浙江大学共同主办，会议主席是中国科学院半导体研究所的王占国院士，会议程序委员会主席则是浙江大学硅材料国家重点实验室的杨德仁教授；会议国际指导委员会和会议国际程序委员会分别由著名学者JeanPierre Landesman、Piotr Edelman等16人和18人组成。     

多孔硅电学性质的初步研究

采用电化学方法制备多孔硅材料，形成了Ａｌ／多孔硅／单晶硅的样品结构．Ⅰ－Ⅴ特性测量表明这一结构呈现出良好的整流特性，并观察了Ⅰ－Ⅴ特性随温度变化的关系．在多孔硅层（ＰＳＬ）电导率σｓ和深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）的测量中发现：多孔硅的禁带中可能存在大量的缺陷态，它们将显著影响多孔硅的电学特性．     

用C-V法测量硅材料中的含氧量

硅材料中的含氧量是判断硅材料质量优劣的一个重要参数。氧原子是半导体硅材料中的一个主要的非金属元素。它是在拉制硅单晶的过程中引进的。含氧量的多少直接影响器件的性能。因此,降低和控制硅材料中的含氧量,就成为硅单晶材料制备工作的一项重要内容。而含氧量的测试就成为不断提高硅材料质量的一项重要任务。     

太阳能硅材料的发展现状

介绍太阳能硅材料的国内外发展现状,提出太阳能硅材料的先进提纯和制备新技术,指出太阳能硅材料的发展趋势,为太阳能硅材料进一步研究提供依据。     

乐山市与中科院举行硅材料技术及产业化发展研讨会

2008年10月30-31日中国科学院副院长李静海、阴和俊一行赴乐山硅材料产业化基地进行调研，院地联合举行了“乐山市与中国科学院硅材料技术及产业化发展研讨会”。     

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（<0.5μm）和亚四分之一微米级（<0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量，提高晶体完整性，降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。     

浙江大学硅材料国家重点实验室

硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于1985年由国家计委批准投资建设,1987年通过国家验收,1988年对外开放。目前硅材料国家重点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主要基地之一,是对外学术交流的重要窗口。以该实     

硅—工艺学的演化和未来

本书为关于硅材料的工艺学发展、演化和今后新进展的专著。硅的应用广泛，是一种重要的应用材料，因此硅的研究受到重视。     

陶瓷硅材料的制备及其特性

文章研究了用来作为多晶硅薄膜太阳电池衬底的陶瓷硅材料的制备方法及其结构。对不同烧结条件制备的样品进行了XRD和SEM的测试和分析。测试分析的结果表明：形成了表面平整的陶瓷硅材料，用此方法可以获得性能良好的硅太阳电池衬底材料。     

硅材料进入光学世纪

硅芯片一直是电子产业的支柱，但不久后很可能也会成为光子器件的主导元件。目前，已用硅材料制造出一种重要的光子器件——高频光调制器。     

前进中的有机硅化学及材料技术教育部重点实验室

<正>杭州师范大学有机硅化学及材料技术实验室从1991年以来就致力于有机硅材料的研究与开发,迄今已成为杭州市、浙江省、教育部的重点实验室,是国内唯一一家从事有机硅材料研究与开发的部级重点实验室。     

硅太阳电池材料的深能级瞬态谱检测

本文利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,检测和分析了制作硅太阳电池的低阻硅材料。结果表明,即使是专门订制的低阻(CZ)硅材料,通常也存在一个或若干个深中心,它们对太阳电池效率有很大影响。本文认为,制作高效率太阳电池的硅材料,除常规要求外,还应对其深中心浓度有严格的要求,即DLTS谱中不出现明显的谱峰。     

黑硅材料表面反射率计算

黑硅材料因具有宽光谱吸收特性,被认为在遥感、光通信、微电子及太阳电池领域有重要的潜在应用价值。为了解该特性的形成机理,首先建立了黑硅材料微结构的几何模型,然后结合辐射传热理论计算了该材料表面的反射率。结果表明：黑硅材料的吸收率与几何模型的纵横比呈正相关性。     

21世纪的硅材料--SOI

SOI是一种在硅材料与集成电路巨大成功的基础上出现的有独特优势．能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是“二十一世纪的微电子技术”。介绍了SOI材料的性能及主要制备技术,对其应用前号也做了详尽的论述。     

二氧化硅材料的表面润湿性改性研究

本工作中,我们采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)、钛酸酯偶联剂Tc-114、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷(FDTS)、十八烷基三氯硅烷(OTS)对氧化硅材料进行表面改性,研究了不同改性剂及其用量对氧化硅材料表面润湿性的影响。表面润湿性采用水滴在表面的接触角(CA)来评价。通过傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、接触角测量仪对氧化硅材料表面改性的性能进行了表征,结果表明,几种改性剂均能与氧化硅表面的羟基发生反应,成功改性得到不同表面润湿性的氧化硅材料,润湿性从亲水到疏水可控,提高了氧化硅材料应用范围.     

刊中刊

<正>《科学》2010年3月26日电子材料推陈出新硅材料日渐夕阳?新的无机和有机材料以及硅材料的新功能和新的晶体管设计将使电子产品更     

聚硅悬浮液对有机物堵塞的溶解作用

探讨了聚硅材料对有机物堵塞的溶解作用,对聚硅材料的性质做局部分析。由于聚硅材料是分散在柴油中,所以实验过程中需要用对比方法排除柴油的干扰。静态和动态溶解实验可以考察聚硅悬浮液对有机物的溶解速度,在此采用溶解比值Kr作为定量分析的参数。经证实聚硅材料促进了有机物的溶解速度。动态实验显示的溶解速度快与静态实验,但是溶解比值与静态结果接近。玻璃模型的微观观察可以直观地证实,聚硅悬浮液的溶解作用优于柴油。模拟油层条件的宏观驱替实验则更明显地证明了聚硅悬浮液对有机物的溶解可以提高岩石的渗透率,是增注机理的一个重要组成部分     

多孔硅的形成及可见光发射

多孔硅是晶体硅片在氢氟酸溶液中进行阳极氧化，在硅衬底上形成多孔态的硅材料。本文介绍了多孔硅的形成和结构形貌，对其光学性质和发光机制进行了扼要讨论，并介绍了当前多孔硅研究中的一些热点问题。     

硅材料改性水性聚氨酯的研究进展

综述近年来国内外在硅材料改性水性聚氨酯(WPU)方面的研究进展,讨论有机和无机硅材料包括聚硅氧烷、硅烷偶联剂及纳米二氧化硅因改性机理的差异对水性聚氨酯产生的不同影响.对同时添加硅材料和其他助剂对水性聚氨酯产生的协同效应进行分析,结果表明:聚二甲基硅氧烷可以显著提高水性聚氨酯基体的硅质量分数,从而提升材料疏水性;而硅烷偶联剂及纳米二氧化硅在改善材料疏水性和机械性能方面均表现出较好的效果;以植物油等可再生资源作为原材料,采用硅材料与石墨烯等助剂协同改性,在环保型、多功能化水性聚氨酯的制备领域具有潜在的应用价值.