宽禁带与超宽禁带半导体器件新进展

 宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景。     

微电子技术的进展与展望

讨论分析了近几年国内外硅微电子和GaAs微电子生产与技术的进展，并对未来微电子的发展进行了展望。     

微电子技术的进展与展望

讨论分析了近几年国内外硅微电子和ＧａＡｓ微电子生产与技术的进展，并对未来微电子的发展进行了展望。     

浅谈如何打造高效能信息技术课堂教学

当前中小学的信息技术课堂教学存在一系列问题,为此从这些问题出发,探讨了演示比较法、文字讨论法、自主、合作学习法、激励引导法、利用灵活的课件辅助教学等行之有效的教学方法,使信息技术课堂＂活＂而不乱。     

高效能光触媒的研究进展

根据国内外文献资料对提高光触媒效能的几种主要技术进行了综述,结合工作实践,对高效能光触媒未来的发展方向进行了展望.     

贝尔实验室半导体器件的研制

叙述了贝尔实验室有关半导体器件的研制工作，主要论述了早期半导体器件的开发，点接触晶体管和结型晶体管，场效应晶体管（ＦＥＴ），发光二极管（ＬＥＤｓ），里德二极管（ＩＭＰＡＴＴ），以及光生伏打电池等     

高效能项目管理的七个习惯

本文根据史蒂芬·柯维的《高效能人士的七个习惯》的核心原则,提出了高效能项目管理的基本原则,即"产出/产能平衡",并逐一对高效能的项目管理之七个习惯进行深入分析,总结出了房地产企业的项目管理中的七个重要"习惯"。     

打造“高效能语文课堂”的策略浅探

高效能的课堂就成为是学生语文素养的发展与提升的首要任务。本文先提出什么是“高效能语文课堂”以及高效能语文课堂的衡量标准，接着透视当前的语文课堂存在很多弊端并提出了一些具体的对策。最后，试着从“建构阅读话题”、“提倡合作学习”、“实施读写互动”、“实施多元评价”等方面探索有效的教学策略，从而打建真实的、简约的高效能语文课堂。     

半导体器件失效分析研究

统计分析了引起半导体器件失效的一些主要原因,阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用.     

半导体器件模拟中的时间拓展

利用计算机进行半导体器件模拟时，最大限制是所需CPU时间特别长。对此，提出了一种适应于半导体器件电磁波效应计算机模拟研究的时间拓展方法，可在满足精度（10％）的范围内将计算时间缩短45％以上。     

一种高压大电流半导体放电管的研究

针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。     

高性能计算的发展

 继理论科学和实验科学之后,高性能计算成为人类科学研究的第三大范式。作为科技创新的重要手段,高性能计算广泛应用于核爆模拟、天气预报、工程计算等众多领域,是当代科技竞争的战略制高点,集中体现一个国家的综合实力。本文介绍高性能计算发展的历史和现状,分析当前高性能计算所面临的问题和挑战,探讨高性能计算未来的发展方向。     

ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析

为了得到电磁脉冲对微波半导体器件的损伤规律,进而研究器件的静电放电损伤机理,首先对半导体器件静电放电的失效模式即明显失效和潜在性失效进行了介绍;其次分析了器件ESD损伤模型;最后通过对器件烧毁的物理机理进行分析,得到器件在静电放电应力下内在损伤原因。在ESD电磁脉冲作用下,器件会产生击穿效应,使内部电流密度、电场强度增大,导致温度升高,最终造成微波半导体器件的烧毁。     

砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应

应用统计物理方法研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应.导出了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射规律,在砷化镓样品中引入复合辐射强度与辐射的波长分布函数的概念,近似确定了高增益砷化镓光导开关中电流丝的平均辐射复合系数为(883 nm)≈0.1125,导出了各辐射波长的辐射复合系数与平均辐射复合系数之间的关系,验证了峰值波长为890 nm的光输出能量与实验观察结果吻合,在理论上揭示了电流丝顶部的光生载流子密度的分布规律.结果表明:电流丝的体积面积比值和电流丝内平均载流子密度是影响电流丝辐射效应的两个主要因素,波长876 nm的辐射在紧邻电流丝顶部产生的最大载流子密度具有主导作用,最大光生载流子密度比电流丝内平均载流子密度小1–2个数量级.     

场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响

场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板结构设计的基本规律和一般方法。     

有机薄膜电致发光器件的研究进展（综述）

对近几年来有机薄膜电致发光（ＥＬ）器件的研究进展进行了综合评停和分析,有机薄膜ＥＬ器件是近年来国际上研究的一个热点,该器件具有可与集成电路相匹配,直流电压低,发光亮度高,以及它与无机薄膜相比较易实现多色显示等优点。     

生物可降解能源器件及其应用

植入式瞬态电子器件由可降解材料构建而成,这些电子器件能够在体内降解并吸收,无需二次手术取出,避免了长期植入产生的负面效应。作为一个新兴的研究领域,植入式瞬态电子器件在体内传感和治疗方面都有着巨大的潜能。然而,大多数植入式瞬态电子器件的正常工作都需要外部能源供给,这极大限制了它们在体内的应用。因此,一种具有生物相容性、可控降解和生物可吸收的新式生物可降解能源器件,成为了植入式瞬态电子器件的迫切需求。介绍了4种生物可降解能源器件(生物可降解原电池、光伏电池、超级电容器和摩擦纳米发电机)及其应用,并探讨了各自所面临的挑战和未来发展趋势。     

半导体方程组的稳态解

考虑半导体方程组的稳态解 ,采用逼近过程和先验估计方法 ,证明了稳态解的存在性。     

卫星激光通信技术与展望

卫星激光通信是解决星间通信“瓶颈”的最佳方法,本文研究了卫星激光通信的现状和关键技术,并给出了其发展的趋势。