非晶碳氢膜晶化学分形体密度簇模拟

在非晶碳氢膜非平均凝聚分形计算机模拟的系列工作基础上，模拟了密度族，这有益于对非晶碳氢膜晶化机制的进一步和开发利用。     

铜微团簇结构及结合能的计算机模拟

铜团簇具有奇异的性质,在催化、纳米技术和大规模集成电路制造中有巨大的应用潜力.采用相对论有效原子实势模型(RECP),在密度泛函方法(DFT)下,使用Gaussian软件,研究了铜微团簇Cun(n=2,…,10)在稳态下的结构和结合能,得到了Cun(n=2,…1,0)的结合能和基态结构,发现随着n的增大,Cun(n=2,…,10)平均结合能会逐步微幅增加(极少数个体例外).     

Al—Ge共蒸膜晶化过程的计算机模拟

本文对Al—Ge共蒸膜中分形晶化的过程进行了计算机模拟研究。结果表明:分形晶化过程中晶核长大效应明显影响分形体结构。在较高Ge原子百分比共蒸膜中晶化时释放出的较多的晶化潜热以及在较高的退火温度时具有的较高热激活能都促使晶核长大。     

非晶碳氢膜的介电谱与分形结构

利用RF－DC辉光放电等离子化学气相沉积法制备了非晶碳氢膜,并测试了其介电谱,用分形理论研究了这种无序结构材料的介电谱与物质结构的关系。结果表明,低频反常色散介电谱确实可以传达物质结构的信息。     

钯团簇掺杂钇原子的密度泛函研究

在相对论有效原子实势近似下,用密度泛函方法(B3LYP/LANL2DZ)计算了二元合金团簇PdnY(n=1-5)可能的几何构型和对应的电子态,得到一系列稳定异构体的结构参数、电子态、能量和谐振频率.用最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(HOMO)之间的能级间隙描述团簇的稳定性,Pd2Y团簇的能级间隙最大,PdY团簇的能级间隙最小.Pd-Y相互作用改变了纯钯团簇的几何构形和稳定性.计算结果对系统研究Pd-Y体系的物理化学性质具有意义.     

团簇V3BP电子自旋密度的研究

基于密度泛函理论,对B3LYP/Lanl2dz赝势基组水平的V₃BP的11种优化构型通过分析其电子自旋密度分布进行稳定性的研究。结果表明：团簇V₃BP最稳定构型1^（4）外围电子自旋密度分布均匀,对称性好;内部原子间成键强弱均匀,对称性好;最不稳定构型8^（2）外围α电子和β电子交替分布且分布不均匀,对称性差且极不规整;内部原子间成键强度各不相同,同一类型键原子间成键强弱也不均匀;团簇V₃BP各优化构型的外围电子分布由α电子和β电子共同组成,且α电子所占比例较大;构型2^（4）、1^（2）、4^（2）、8^（2）内部原子间成键后均为β电子过剩,其余构型内部原子间成键后均为α电子过剩。     

用密度泛函方法研究中性小银团簇的几何结构

采用密度泛函的广义梯度近似(GGA)下的BLYP方法,对中性Agn(n=2～12)团簇的几何结构进行了优化,结果表明,Ag2～Ag6团簇为平面结构,从Ag7团簇开始出现三维立体结构,同时发现三角形和畸变的五角双锥为中性银团簇结构的生长基础.     

银原子团簇共振散射光谱的密度矩阵研究

以银原子团簇 (主 )共振散射峰作为共振散射光谱分布理论研究模型 ,采用密度矩阵法研究液相银原子团簇 (主 )共振散射峰 (7.0 6× 10 1 4 Hz,42 5 nm)和 1/2分频共振散射峰 (1/2× 7.0 6× 10 1 4 Hz,85 0 nm)的频率和强度分布。银原子团簇 (r =12 nm)溶液呈黄色 ,在 415 nm处有 1个吸收峰 ;在 470 nm处产生吸收谷 ,在485 nm处产生吸收峰 ,最大共振散射波长为 42 5 nm (× 10 1 4 Hz)。当 λex=42 5 nm时 ,在 42 5 nm处产生 1个主共振峰 ,在 85 0 nm (1/2× 10 1 4 Hz)处产生 1个 1/2分频共振峰。对于不同浓度的银原子团簇 (0～ 1.0× 10 - 5 mol/LAg) ,两散射峰的半峰宽度之比 (△ λ) 42 5 /(△ λ) 85 0 =2 /3,其散射光强度之比 I42 5 / 4 2 5 /I42 5 / 85 0 ≈ 3/1。在理想条件(真空 )下 ,理论推导出共振散射光中心峰带与两边峰带谱线的强度比为 1/3;中心峰与边峰的高度比为 3:1;边峰宽与中心峰宽之比为 3:2     

铂金团簇结构与稳定性的密度泛函研究

采用随机踢球全局优化模型结合密度泛函理论系统,研究了Pt^λ_n(2≤n≤9,λ=0,-1)团簇的几何结构等微观性质,以及这些性质随着团簇尺寸变化的关系与演化规律.通过对计算结果理论的分析发现:中性与阴性团簇的基态构型在所研究的尺寸范围内更倾向于具有低对称性的三维立体结构;体系的平均结合能均随着铂金原子个数的增多而增大,阴性团簇平均结合能比相应的中性大;所有电荷态下团簇的离解能、二阶拆分能都随着铂金原子个数的增加呈现出明显的奇偶交替现象.结果表明:阴性的奇数团簇的稳定性要强于与之相邻的偶数团簇的稳定性;相反,中性团簇下偶数团簇的稳定性比奇数团簇强.     

氢化非晶氮化硅薄膜的光学特性研究

采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术以SiH4和N2为反应气体沉积了氮化硅(SiN)薄膜,利用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、紫外-可见透射谱(UV-VIS)等对薄膜的键合结构、光学带隙等参量进行了测量与分析.结果表明,采用HWP-CVD技术能在较低的衬底温度下制备低H含量的SiN薄膜,所沉积的薄膜主要表现为Si-N键合结构.适当提高N2/SiH4比例将有利于薄膜中H含量的降低.     

非晶态硅薄膜的生长规律及其特性

非晶态半导体研究所涉及的重要问题之一,是探索制备薄膜材料的优化生长条件。文中对利用等离子体技术制备的非晶态硅薄膜的生长参数作了分析,优化了生长条件。并就生长参数对薄膜特性的影响进行了讨论。利用透射电子显微镜TEM观测了薄膜的结构与晶粒度,作了动力学理论分析,其结果与实验相一致。     

射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱

本文研究了用射频反溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。     

原子团簇P_(13)结构的密度泛函研究

使用分子建模软件设计出多种可能的P13团簇结构后,再用B3LYP密度泛函方法(6 31G 基组)进行几何优化和振动频率计算,得到了15种势能面上局域最小点结构(所有的振动频率均为正值),它们分别具有Cs和C2v对称性,原子团簇中的磷原子采用二或三配位成键.由楔状P8派生出的结构(Cs对称性)是最稳定的同分异体.从分子结构的几何形状上看,P8的楔状构型经常包含在P13的模型中,它是组成大分子磷原子的重要结构基元,可用来构造能量相对较低的大分子磷原子团簇.     

分形论与非晶态硅薄膜中的分形凝聚

阐述了分形概念及其在非晶硅薄膜微结构分析中的应用.利用透射电子显微镜(TEM)观测,在不同退火温度下,采用不同于常规的原位动态观测技术,获得a-Si:H薄膜中微结构形貌像.通过两种方法计算了分形结构的分维.结果表明,分形结构与a-Si:H薄膜的性质密切相关.对a-Si:H薄膜中的分形结构与晶化之间的关系进行了讨论。     

a－C：H膜与宁强陨石有序度的比较研究

利用Ｒａｍａｎ谱与退火关系研究ａ－Ｃ：Ｈ与宁强陨石的有序度．非晶碳是宁强陨石的主要组成结构；陨石与非晶碳样品的有序度随退火温度的变化规律类似，只是出现的温度范围不同，并且陨石与Ｔｓ＝１００℃的ａ－Ｃ：Ｈ在经过４５０℃退火后Ｒａｍａｎ谱形状类似．     

基于样本密度的FCM改进算法

从聚类中心的直观属性出发,选取样本中密度较大的点作为FCM算法的初始聚类中心。解决了FCM算法对初始值敏感、收敛结果容易陷入局部极小等问题。实验结果证明这一算法的合理性和有效性。     

多晶和非晶薄膜材料的能量过滤电子衍射分析法

本文介绍了一种能快速准确分析薄膜材料微观结构的新技术──透射电子显微镜样品后扫描能量过滤电子衍射分析法．该技术利用常规的透射电子显微镜把选区衍射花样投到一个顺序电子能量损失谱仪的入口光阑上，让微机输出脉冲电压到样品后偏转线圈使衍射花样顺序扫过光阑进入谱仪中．检测零损失电子强度随散射矢量的径向分布，从而导出能显示近邻原子间距和配位数等结构信息的约化密度函数．根据多晶金薄膜的试验结果显示．文中给出的该项技术测出的最近邻原子间距可精确到０．００２ｎｍ，配位数的测定可精确到０．５．