微透镜阵列的离子束溅射刻蚀研究

微透镜阵列的离子束溅射刻蚀研究张新宇易新建赵兴荣麦志洪何苗（华中理工大学光电子工程系武汉４３００７４）刘鲁勤（航天部二院２５所北京１００５８４）利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针测试，分析了采用离子束溅射刻蚀技术所制作的石英微透镜阵列器件的表面微...     

基于镍基刻蚀剂分步刻蚀微锥形阵列工艺方法

聚焦于金属阵列锥形结构高精度、高表面质量、高阵列一致性制造,提出一种分步式电解加工方法,通过开展一次掩膜电解加工正交优化实验和二次电解表面修整工艺优化,最终实现高精密微锥形阵列结构制造。结果表明：较长的加工时间和较大的电流可加工出小顶端直径、大高径比的微锥形阵列结构;镍基刻蚀剂可避免微锥形阵列结构过度腐蚀,提高表面光滑度。当工作液为1.5 mol/L HCl与2.0 mol/L镍基刻蚀剂的混合溶液,脉冲电压为4 V,加工时间为12 s时,二次电解表面修整后的微锥形阵列结构平均顶端直径为27.8μm,平均高度为178.2μm;经低表面能处理后,工件表面液滴的接触角为133°,具备一定的疏水性能。     

氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列

对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析。实验结果表明,衬底材料不同时,制作 表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异,给出了在几种衬底材料上刻蚀制作 面阵微透镜列的离子束刻蚀速率束能量之间相互关系的实测结果。     

氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列

对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析．实验结果表明,衬底材料不同时,制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异,给出了在几种衬底材料上刻蚀制作面阵微透镜阵列的离子束刻蚀速率与离子束能量之间相互关系的实测结果．     

微光学阵列元件离子束刻蚀制作的分析与讨论

阐述了利用离子束刻蚀技术制作微光学阵列元件的工艺条件,研究和实验结果表明,通过光刻热熔法制作的光致抗蚀剂掩模图形经具有不同能量的离子束刻蚀后可以有效地现役中衬底材料上所作的选择性转移,所作的理论分析结果为非球面微光学阵列元件的制作提供了一条可行的技术途径。     

微光学阵列元件离子束刻蚀制作的分析与讨论

阐述了利用离子束刻蚀技术制作微光学阵列元件的工艺条件．研究和实验结果表明,通过光刻热熔法制作的光致抗蚀剂掩模图形经具有不同能量的离子束刻蚀后可以有效地实现向衬底材料上所作的选择性转移,所作的理论分析结果为非球面微光学阵列元件的制作提供了一条可行的技术途径．     

用激光为光源测量凹透镜焦距

介绍了一种用激光为光源测量凹透镜焦距的新方法。该方法不用任何辅助仪器，根据物方焦平面和副轴作图特点，直接读出凹透镜的焦距。实验显示，该方法操作简单，实验结果比较准确，相对误差仅为0．79％。     

一种微透镜阵列制作方法

提出一种采用热压印技术制作微透镜阵列的方法.将聚合物加热到其玻璃转化温度以上,利用预先制备好的模板在适当的压力下压向聚合物样品,保持压力直到聚合物温度降到玻璃转化温度以下,将模板移去后,模板上图形便转移到样品表面.根据热压印工艺要求,研制了一台热压印设备,并利用这台设备制作了单元口径大小为40μm,单元之间间距为60μm的256×256单元8位相台阶衍射微透镜阵列.制作的微透镜阵列SEM图表明图形台阶清晰、各单元一致性好.光学性能测试表明制作的微透镜阵列聚焦的三维光强分布集中,具有较高的峰值.从制作工艺可以看出,利用热压印的方法制作微透镜阵列工艺简单,对制作设备要求不高,为实现低成本、高分辨率、大批量制造微透镜阵列等器件创造了条件.     

微测辐射热计阵列结构的制备

为了研究和优化二氧化钒(VO2)微测辐射热计的制备工艺,采用微电子机械系统(MEMS)体硅工艺制备了VO2微测辐射热计,经过研究和改进制备工艺,制得的微测辐射热计结构稳定,成品率高;经测试及计算,其响应率可达34.3 kV/W,探测率为1.2×10~8 cm·Hz~(1/2)/W,响应时间约为65.3 ms.此器件性能达到国内外同类器件水平.     

微透镜阵列防伪膜制备的新方法

基于微透镜阵列的防伪膜技术便于观察和易于识别的特点,采用高感光度的AZ 1500和较高解像度的AZ MIR-703正性光刻胶以及SU-8负性光刻胶对微透镜阵列防伪膜进行制备,光刻胶热熔法被用来制作微透镜阵列,PDMS被用来制作微透镜阵列的倒模,将SU-8和PDMS倒模配合使用制作最终的微透镜阵列,利用AZ 1500光刻胶制备微缩文字阵列,从而得到具有体视效果的微透镜阵列防伪膜。实验表征和分析表明,这种方法制备的微透镜阵列防伪膜效果明显,均匀性好。该方法与其他方法相比,工艺简单,对材料和设备的要求不高,工艺参数稳定易于控制,是一种微透镜阵列防伪膜制备的简便新方法。     

金属辅助化学刻蚀法制备尺寸可控的硅纳米线

为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。     

一种测量凹透镜焦距的方法

本文介绍了一种新的测量凹透镜焦距的方法，复合成像法。该方法通过对凹透镜的两次成像过程中透镜位移的测量，再利用贝塞尔公式将凹透镜的焦距间接测量出来。此方法具有测量精度高，相对误差约为１％，且操作较为简单等优点。     

面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀

利用光刻热熔及法氩离子束刻蚀技术制作 １２８＊１２８元面阵硅场发射器件。采用扫描电子显征购 间和表探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微阵列的表面向一结构形貌特点。     

紫外衍射微透镜阵列的设计与制备

通过研究互相关联的光学和工艺参数,用标量衍射理论设计了用于128×1日盲型紫外探测器的衍射微透镜阵列,其工作中心波长为400 nm,单元透镜F数为.f/5,f为焦距.采用组合多层镀膜和剥离的工艺方法制备微透镜阵列,对工艺流程和制备误差进行了分析,对制备出的128×1的衍射微透镜阵列的光学性能进行测量和分析.实验结果表明,衍射微透镜阵列的衍射效率为87%.制备误差主要来自对准误差和线宽误差.紫外衍射微透镜阵列的整体性能满足了微透镜阵列与紫外焦平面阵列的单片集成要求.     

一种测量凹透镜焦距的方法

提出了一种测量凹透镜焦距的方法.这种测量方法基于光栅的弗朗和费衍射,无需测量物距和像距.钠光通过一个狭缝和一个凸透镜后变成一束平行光;平行光垂直入射光栅后被衍射;利用已知焦距的长焦距凸透镜确定凹透镜成像的像位置;利用已知焦距的短焦距凸透镜确定凹透镜成像的物位置;衍射光通过一个凸透镜和待测凹透镜后形成衍射条纹;这些衍射条...     

面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀

利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作１２８×１２８元面阵硅场发射器件,采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微台（微环尖）阵列的表面微结构形貌特点．所制成的面阵硅微尖和硅微台（微环尖）器件的图形整齐均匀,达到了预定的各项指标的要求．实验表明,所采用的器件制作方法有较大的实用价值．     

一种制作微透镜阵列的方法

阐述了采用重铬酸铵明胶为材料制作微透镜阵列的一种方法．该方法可解决微透镜阵列中相邻透镜在制作过程中容易发生相互粘连的问题，从而提高了微透镜阵列的质量．也给出了已制成的微透镜阵列的一些技术参数．     

激光源照射双凹透镜的非定域条纹

激光源照射双凹透镜的非定域条纹刘小平（天水师专）作者简介刘小平，女，３６岁。１９８２年毕业于西北师范大学物理系，现为天水师范高等专科学校讲师。中图分类号Ｏ４８４．４关于薄膜的振幅分割双光束干涉，通常采用普通面光源照射厚度足够小的介质膜￣［１］，使两表...     

激光分子束外延法制备Fe纳米阵列结构

采用阳极氧化铝箔的方法制备了孔径分布均匀的阳极氧化铝(AAO)模板,然后通过激光分子束外延(LMBE)的方法在这些孔洞里生长有序铁纳米阵列,根据控制生长的条件,生长出纳米线、纳米管,以及高度有序的量子点阵列,甚至得到纳米复制的新的复形模板.实验发现,虽然LMBE系统本身的高度可控性是这些不同类型的有序纳米阵列的前提,但不同材料在模板纳米孔洞里的不同生长趋向以及生长模式是探索可控生长的决定因素.这些可控参数的深入探讨为纳米阵列材料在微器件和纳米复制领域将有更直接的实际意义.     

一种简易测量凹透镜焦距的方法

介绍了一种测量凹透镜焦距的新方法。该方法根据各光学元件的成像特点,应用点光源、凹面镜作为辅助测量工具,就可精确测量出凹透镜的焦距测量时,当把仪器安装、调节好之后,只需移动凹面镜,通过观察远方光屏上像的变化情况,来确定反射光延长线的交点与凹透镜焦点是否重合,当“两点”重合之后,再经过一些简单的实验过程和计算,就可得到凹透镜的焦距。该方法数据处理简单,实验原理、过程巧妙,测量结果精确。