正向衰减电压与载流子寿命的关系

本文研究了不同结构工艺参数的电力半导体器件正向衰减电压与器件在大注入、中注入、小注入条件下,体内载流子有效寿命的关系。为在各种不同注入水平下载流子寿命的测试与分析提供了理论和实验依据。     

电力半导体器件体内诸物理量对正向电压衰减曲线尾部的影响

本文主要研究不同结构工艺参数的电力半导体器件,其体内扩散电流、空间电荷区复合电流、势垒电容、扩散电容、渡越电容诸物理量对正向电压衰减曲线尾部的影响及其变化规律。为进一步研究衰减曲线的变化规律和测试电力半导体器件在不同注入水平下的载流子寿命值,提供了理论依据。     

双脉冲法测鍺硅半导体材料中非平衡载流子寿命

本文简述了双脉冲法测锗硅中非下衡少数载流子寿命的设备,测试结果的分析,注入公式的推导及误差产生的原因。     

单层聚对苯乙炔薄膜器件载流子的注入和传输

从实验事实出发 ,根据不同注入情形分析了载流子的注入和传输 ,数值计算了载流子注入时的电流 ,阐述了各种因素对所注入电流的影响 ,简单地介绍了所注入的载流子在输运过程中 ,其密度在各种注入情形下随聚对苯乙炔 ( PPV)薄膜厚度相应变化的大致图形     

半导体器件模拟中求解载流子方程的混合算法

针对半导体器件模拟中载流子方程两种基本算法在高注入条件下的不足，提出了一种混合算法。经过理论分析和实际计算表明：这种算法对求解高注入条件下的载流子方程是有效的。     

基于少子寿命测量研究晶硅电子态缺陷

基于瞬态微波光电导少子寿命测试仪和MATLAB编程研究了确定硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法。利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪,我们测量了硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号随时间的变化特性。根据已知的注入水平和相关复合参数,建立少子寿命与复合中心浓度的关系,我们得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系,我们得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式,利用MATLAB软件进行数值拟合得到了硅片的陷阱中心浓度。     

用单纯形法确定DH激光器载流子寿命

从DH激光器的激射延迟时间与注入脉冲电流的关系,可得到的激光器的载流子寿命。本文从实验数据出发,在数学上采用最优化法中的单纯形法,对实验数据进行拟合处理,从中求得DH激光器的载流子寿命,修正了理论公式,并对修正后的结果进行了讨论。     

用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型,指出造 成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消 除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除表面复合影响的办法,实验结 果证实了这种办法的有效性。     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

阶跃光激励下半导体的温度变化

建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.     

波导激光器增益测量及注入载流子密度对增益的影响

波导激光器增益测量及注入载流子密度对增益的影响郝素君（光纤技术研究所）为了设计性能良好的激光器，必须了解激光器的增益与波长及注入载流子密度的关系．在法布里一泊罗腔中，阈值电流密度认为是当光增益等于谐振腔内的总损耗时的注入电流密度，在不同的注入载流子密...     

半导体光放大器动态响应加速方案研究

本文分析了三种不同的用于加速半导体光放大器(SOA)载流子恢复的方案,并利用所建立的体材料SOA分析动态模型,证明了增加保持光注入功率,增加有源区长度,以及注入特定辅助光对载流子恢复加速的有效作用,同时也对裁流子恢复时间与增益的制约关系进行了分析。仿真的结果与相关文献中的实验或仿真结果符合的很好。     

自组织生长InAs量子点的发光性质研究

通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究．发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变；中间温度区载流子寿命随温度升高而变大；更高温度时．发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降．     

Alq3有机发光器件的研制及寿命研究

以铟锡氧化物 (ITO)为透明电极 ,8 羟基喹啉铝 (Alq3)为发光层 ,研制成ITO/Alq3/Al结构有机电致发光器件 (OLED) .测量表明其载流子的注入满足隧穿理论 ,发光阈值电压～ 1 2V ,所发绿光在正常室内环境下清晰可见 .通过电流随时间的变化测量了器件的工作寿命 ,并对影响器件寿命的原因作了分析 .     

渐变方式对量子阱激光器电流注入效率的影响

通过在量子阱激光器中的分别限制结构层引入4种不同的渐变方式,即线性渐变、抛物线渐变、扩散渐变以及高斯渐变,利用电流连续方程、泊松方程以及边界条件进行数值计算,得到了在不同渐变方式下器件的电流注入效率与注入载流子密度、有源层厚度及渐变长度的关系.     

多晶黑硅的制备及其组织性能

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF₆和O₂流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好.     

MOS结构的雪崩热电子界面效应

本文研究了电子束蒸铝MOS结构的热电子雪崩注入的界面效应。硅表面雪崩产生的热电子注入到SiO_2—Si界面,可能产生界面态和界面正电荷,并使Si表面少数载流子寿命减低,致使△V_(FB)—t关系发生倒N形迥转效应。文中还研究了温度和注入电流密度等对热电子界面效应的影响;选择合适的雪崩注入条件,可降低界面效应。     

空穴传输层厚度对双层有机发光二极管性能的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型。基于ITOlPEDOT／PSS作为空穴注入电极的双层有机发光器件ITOlPEDOT/PSSlTAPBlALq3LMg：Agl，采用较合理的无序跳跃模型来处理界面问题，数值计算并讨论了空穴传输层厚度的变化对器件性能的影响。结果表明：器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布，从而影响载流子的注入、传输和有效复合，     

电极表面涂敷对电荷注入的影响

在强电场的作用下，绝缘介质中的载流子除杂质离子外一般是徕自电极注入，文中采用电极表面涂敷改性ＳＰ硅漆，形成“金属电极－涂敷层－涂体介质”复合界面，有效地降低了电极注入强度，由地电极注入与其极板极性有着密切关系，还讨论了涂敷不同极性的电极极板对电荷注入的影响。     

用高频光电导法测量硅单晶中少数载流子寿命时一些问题的探讨

本文主要说明高频光电导法测试硅单晶少数载流子寿命时,必需确保小注入的要求,讨论了目前测试工作中存在的问题,并以等效电路说明影响注入比精确测量的几个因素。我们认为,在测试高阻值单晶时,只有在匹配小电阻的情况下,4V/V可近似作为注入比。在测试低阻值单晶时必需考虑其他因素的影响而给予修正。