点缺陷对表面生长行为的影响

采用动力学重整化群方法,研究生长表面中存在的点缺陷对表面生长行为的影响,得到了相应的粗糙度指数X和动力学指数z,结果表明,点缺陷的存在会使生长表面粗化,并缩短达到稳定生长阶段的驰豫过程。     

存在驰豫效应时表面生长的重整化群研究

用重整化群方法分析了存在表面驰豫效应时表面生长的动力学行为，得到了相应的标度指数ｘ与ｚ、驰豫时间τ的函数关系，结果表明，随着驰豫效应的增强，会使生长表面有化并有利于稳定生长阶段的形成。     

存在弛豫效应时表面生长的重整化群研究

用重整化群方法分析了存在表面弛豫效应时表面生长的动力学行为,得到了相应的标应指数x与Z、弛豫时间＊的函数关系．结果表明,随着弛豫效应的增强,会使生长表面平滑化并有利于稳定生长阶段的形成．     

幂函数不均匀生长率对KPZ方程标度行为的影响

通过对含有不均匀生长项的KPZ主程进行动力学重整化群分析,研究了幂函数不均匀生长KPZ方程标度行为的影响,在实际的晶体生长过程中,生长率的不均一可以由表面杂质和缺陷引起,研究表明,生长率不均匀性的存在,能显著地改变KPZ方程的标度性质,粗糙度指数Z和动力学指数都与基底的维数d和幂指数（ε＋1）有关。     

分子束外延(MBE)生长方程标度奇异性的动力学重整化群分析

采用表面界面生长方程动力学标度奇异性的动力学重整化群理论,分析了线性和非线性分子束外延生长方程(molecular-beam epitaxy (MBE))的动力学标度奇异性.结果表明,生长方程的动力学标度性质与基底的维数d有关,只有d的取值满足一定条件时,生长方程才会出现奇异动力学标度行为,这和使用直接标度分析方法得到的结果一致.     

幂函数不均匀生长率对KPZ方程

通过对含有不均匀生长项的KPZ方程进行动力学重整化群分析,研究了幂函数不均匀生长对KPZ方程标度行为的影响.在实际的晶体生长过程中,生长率的不均一可以由表面杂质和缺陷引起.研究表明,生长率不均匀性的存在,能显著地改变KPZ方程的标度性质,粗糙度指数z和动力学指数都与基底的维数d和幂指数(ε+1)有关.     

无规扩散类反应表面生长动力学行为

研究了无规扩散类表面生长的动力学和标度行为，研究了两种粒子（Ａ、Ｃ）在二维衬底上的聚集．当Ｃ粒子的几率ｑ＝０时，系统表现出泊松生长．当ｑ≠０时，表面表现出粗化的形貌特性，存在着粗化转变．对Ｃ粒子扩散步长以及扩散几率对粗化转变的影响也进行了研究     

点缺陷对4H-SiC的影响

碳化硅(SiC)是一种新型的宽禁带半导体材料,但在实际生产过程中存在各种缺陷.通过第一性原理平面波法计算了4H-SiC薄膜上的碳空位缺陷(VC)和硅空位缺陷(VSi)的态密度从而得出不同缺陷对4H-SiC材料的影响.并在此基础上计算了磷原子和硼原子掺杂,得出两种不同的掺杂类型对4H-SiC材料造成的影响;并计算了缺陷的...     

合金中的短程有序转变,点缺陷行为和原子扩…

揭示了实际合金退火过程中在淬火空位作用下短程有序转变的一般形式。建立和完善了分析有关实验曲线获得合金中原子扩散数据的方法，使得低温度下合金中扩散的研究成为可能。     

合金中的短程有序转变,点缺陷行为和原子扩…

在第一部分的理论基础上，对Ａｕ５０ａｔ％Ｐｄ合金固溶体短程有序转变实验曲线进行了分析和定量处理。结果表明，文中介绍的实验方法除了提供短程序转变的形式和空位在回复中的性能等有关信息外，还能给出包括合金中空位形成能，两组元迁移激活能在内的较完整的扩散数据。     

点缺陷对微波介质陶瓷介电性能的影响

从理论方面研究点缺陷对微波介质陶瓷材料介电性能的影响,通过实验分析微波介质陶瓷材料的几种改性机理中点缺陷所发挥的作用,以及工艺因素对点缺陷的影响,得出由于点缺陷的作用使得几种改性可能会产生的结果。     

扩散置限凝聚模型的相变

应用动力学重整化群研究扩散置随凝聚模型的相变，结果发现该模型的生长几率｛Ｐｉ｝的多分形谱存在相变点ｑｃ的值为零，即当ｑ〈ｑｃ时，该模型的生长几率｛Ｐｉ｝不同具有多分形性质，这一结论与目前有关文献结果一致。     

Au／MgO（001）界面上Au原子与点缺陷相互作用的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,系统地研究了Au／MgO（001）界面中8种晶格匹配方式的电子结构和化学键特征．界面处原子间距、界面能以及电子密度分布显示不同点缺陷与Au原子层相互作用的微观机制存在明显差异,并且界面体系稳定性和Au原子生长模式与界面原子排列方式密切相关．     

润湿模式对翅片表面结霜液滴生长的影响

为揭示翅片表面微结构在不同润湿模式下对结霜初期凝结液滴生长的影响,建立了光滑、Wenzel及Cassie润湿模式下翅片表面结霜液滴生长的热阻分析模型及生长速率模型,获得了表面接触角、润湿模式、表面微结构几何尺寸等因素对结霜液滴生长速率的影响规律.结果 表明:相比光滑和Wenzel翅片,Cassie翅片表面的传热热阻最大...     

点缺陷对二维颗粒系统力链几何分布的影响

用离散元方法研究了带有不同数目点缺陷的二维颗粒系统在各向同性挤压和纯剪切时粒子间力链的几何分布特征,并与相同加载条件下无缺陷的颗粒系统力链几何分布特征做了比较,发现了点缺陷对颗粒系统力链的几何分布影响规律.     

接种密度对Vero细胞在微载体表面生长的影响

研究了接种密度对Ｖｅｒｏ细胞在微载体表面生长行为的影响,发现培养过程中所获得的细胞最高密度随接种密度的增加而有所提高,当细胞的表面接种密度高于１．０×１０＾５ｃｅｌｌｓ／ｍｇＭＣ时,因贴壁后细胞扩展受到限制而不利于进入对数生长期。就整个Ｖｅｒｏ细胞培养过程,适宜的表面接种密度为３×１０＾－４－７×１０＾４ｃｅｌｌｓ／ｍｇＭＣ,此时可以获得较高的比生长速率和细胞增殖倍数。     

静电场时效处理温度对GH4169合金点缺陷的影响

将静电场时效处理应用于GH4169镍基高温合金,以研究静电场对合金内部点缺陷的影响.结果表明:500℃无电场时效处理所提供的能量不足以使一些处在正常点阵位置上的原子跳出能垒而形成新的单空位,但可促进大量处于畸变位置上和邻近空位的原子实现再次的跃迁.强静电场的施加使合金内部不带电原子产生梯度力,加速了原子的振动.在600,700和800℃时效20 h过程中施加8 kV/cm强静电场,其平均正电子湮没寿命提高6%~7%,增大了合金内部平均空位尺寸.     

点缺陷对波导的电场分布的调制

在二维函数光子晶体研究的基础上,进一步研究二维常规光子晶体波导中加入点缺陷介质柱时,二维光子晶体波导的带隙结构与电场分布情况.其中点缺陷介质柱介电常数是空间坐标的函数,其函数形式为εr=kr+b,参数k和b的变化可以通过光学Kerr效应或电光效应来实现.结果表明,通过改变点缺陷介质柱介电常数的参数k和b以及点缺陷半径ra,可以调节光的传播方向和光场分布,从而可以控制光在波导中传播方向.因此当含点缺陷时,二维常规光子晶体波导的光场分布和光的传播方向具有可调性.这些理论为光学器件的设计提供有价值的新的设计思路.