n型半导体CdS_(1-a)Se_a液结光电池Ⅱ,n-CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能

本文报导了由粉未压块烧结制备的n-CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能。x-射线衍射分析证明,n-CdS_(0.9)Se_(0.1)具有六方纤锌矿结构。光响应波长λ_0=546nm,Eg=2.27 eV;同时,用微分电容和开路光电位实验,测得平带电位V_(?)分别为-1.3V 和-1.37V(对SCE)。电池n-CdS_(0.9)Se_(0.1)/1 MNa_2S,0.1MS,1M NaOH/Pt,用488 nm 单色光照射获得光电转换效率η为6.8%;量子效率φ为0.65。根据实验结果算得多数载流子浓度N_(?)为1.2×10~(18)cm~(-3),耗尽层宽W 为4.3×10~(-6)cm。本文是CdS—CdSe 体系液结光电池研究的系列工作之二。在前一文中[1],我们较详细的报导了由粉末压块烧结制备的n 型半导体CdS_(1-a)Se_a(a=0.05～0.5)液结光电池的实验结果。尔后,为了寻找更有效而廉价的电极材料,针对CdS_(0.9)Se_(0.1)电极的光电化学性能作了深一步的研究。     

PbS_(1-x)Se_x光伏特探测器的性能研究

本文计算了PbS_(1-x)Se_x光伏特探测器的性能,结果表明,这种探测器在300K工作温度下或低背景温度下,其性能不佳。但在77K工作和通常背景温度及某些特殊应用中,PbS_(1-x)Se_x材料是可用的。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器

本文重点介绍了GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器的作用原理、制备工艺和基本特性。指出了这种器件在室温脉冲工作状态下,较同质结器件有明显改进。具体表现在(?)值电流密度一般可降至10000安培/厘米~2左右;微分外量子效率可提高到40％左右,好的可达48.6％。同时并运用辩证唯物主义的观点,对实验中的问题进行了分析。     

多元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带偏移

采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ能带计算方法，研究三元合金ＩｎｌＧａ４－ｌＡｓ４和ＩｎｌＡｌ４－ｌＡｓ４（ｌ＝０，１，２，３，４等五个有序态）的能带结构和平均键能Ｅｍ；在此基础上，将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎｘＡｌ１－ｘＡｓ异质结的价带偏移ΔＥｖ（ｘ）值．研究表明：该异质结的ΔＥｖ（ｘ）值随合金组分ｘ的变化接近于线性；ΔＥｖ（ｘ）的理论计算值与实验结果相当符合．     

Zn_(1-x)Co_xO稀磁半导体的XAFS研究

利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2 离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2 离子,并且造成了Co2 离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2 离子进入晶格,剩余的Co2 和Co3 析出晶格形成Co3O4相.     

Ni_(1-x)Mn_xO稀磁半导体的磁性研究

通过X射线吸收近边结构(XANES)、超导量子干涉仪和第一性原理计算研究了脉冲激光沉积法(PLD)制备的Ni1-xMnxO(0.01≤x≤0.05)薄膜的微观结构和磁学性质.X射线吸收近边结构表明,当x≤0.03时,掺杂的Mn替代了NiO晶格中的Ni原子,并且以混合价态(+2/+3)的形式存在.当x0.03时,掺杂的部分Mn离子形成了类Mn2O3杂相.磁性测量表明,随着Mn含量从0.01增加到0.03,Ni1-xMnxO薄膜的饱和磁矩从0.3μB/Mn增加到了0.45μB/Mn.基于第一性原理计算,我们提出Mn3+离子之间通过Ni空位表现出了铁磁性耦合,Mn2+离子之间则通过超交换作用表现出了反铁磁耦合.     

CdS_(0.1)Se_(0.9)半导体纳米晶体的生长和吸收光谱的研究

采用两步退火方法获得了嵌埋于玻璃基体内CdSxSe1-x的半导体纳米晶体 ,其平均尺寸随退火时间的增加而增大 .从实验测量的室温吸收谱上看到 ,当纳米晶体的平均直径从 5.6 1nm减小到 4 .6 9nm时 ,其吸收边向高能方向移动了 0 .0 89eV .用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边相对其体材料的移动 ,将理论计算与实验结果进行了比较 .     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置，讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用 “正交设计”的数学方法安排外延试验，找到多层连续均匀生长的条件．使ＧａＡｓ－ Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器阈值电流密度达到 １０００—２０００安培／平方厘米。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件,使GaAs—Ga_(1-x)A1_xAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000—2000安培/平方厘米。     

液相外延调制掺杂GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结特性

用液相外延方法在较低温度(580°—700°)下生长了顺序不同的GaAs-Al_xGa_(1-x)As调制掺杂异质结构。测量了温度低达1.5K和磁场高达7.5T之下的霍尔效应,并测量了俄歇溅射谱及氦离子卢瑟福背散射谱。在舒伯尼柯夫—德—哈斯振荡上观察到了各向异性,说明在异质结界面上存在着二维电子气的输运,它和体载流子的输运相并联。     

稀磁半导体Cr_xMn_(1-x)Te的第一性原理计算

根据CrTe和MnTe各种结构的稳定性,选取具有NiAs结构、岩盐结构和闪锌矿结构的CrTe为基本骨架,以Mn原子替换Cr原子形成掺杂的稀磁半导体CrxMn1-xTe.使用基于密度泛函理论的VASP软件包,计算其形成能、态密度和磁矩,并比较不同x值对性能的影响.结果表明,掺杂后3种结构的稳定性为NiAs结构岩盐结构闪锌矿结构;Mn原子掺杂NiAs结构后,NiAs结构发生向闪锌矿结构的相变,对闪锌矿结构掺杂未发生相变;3种结构的磁矩均随Mn原子的增多而增大.     

稀磁半导体Zn_(1-x)Co_xS光谱的理论解释

以Co2 + 自由离子的 3d电子径向波函数为基础 ,对Zn1-xCoxS中的电子云延伸效应进行了理论研究 .引入了电子云延伸效应系数κ ,得到了Zn1-xCoxS中Co2 + 离子的最优化 3d电子径向波函数 ,并由此得到了Zn1-xCoxS的光谱 .结果表明 :应用晶体场理论 ,考虑到电子云延伸效应的修正 ,对于研究稀磁半导体的光谱性质是方便有效的 .同时也从物理学本质上解释了电子云延伸效应 .     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p—GaAs甩Au—Cr金、n—GaAs用Ag—Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。     

开管(Zn)扩散平面型GaAs_(1-x)P_x发光器件

利用宽禁带半导体材料及萤光材料,制成各种颜色及外形的固体发光器件,正广泛应用于电子设备,作为显示元件。其优点是寿命长,可靠性高,功耗低,体积小和易于加工成各种显示图形。目前使用最广泛的是,GaAs_(1-x)P_x 红色电致发光器件。GaAs_(1-x)P_x 发光器件是一种p-n 结正向注入发光器件。有用ZnAs_2 P 为扩散     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的界面极化子

采用准二维模型计及 Zn1-x Cdx Se/Zn Se半导体异质结界面附近的能带弯曲效应 ,讨论了异质结界面极化子的基态能量 ,有效质量随电子面密度以及 Cd组份的变化关系 .     

Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe异质结中的束缚极化子

对半导体单异质结系统 ,引入三角势近似异质结势 ,考虑电子、杂质与声子的相互作用 ,利用改进的 LLP变分法讨论在界面附近束缚于正施主杂质的极化子基态能量 .对 Zn1-xCdx Se/Zn Se系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能、声子贡献随杂质位置、电子面密度和组分的变化关系 .结果表明 ,杂质 -声子相互作用显著且声子对结合能的作用为负 .     

M型(Ca_xSr_(1-x)Fe_(12)O_(19))与W型(Ca_xSr_(1-x)Fe_(18)O_(27))六角铁氧体的研究

Ca离子在M型(Ca_xSr_(1-x)Fe_(12)O_(19))和W型(Ca_xSr_(1-x)Fe_(18)O_(27))六角铁氧体中的最大固溶量X_m≈0.5,在固溶量范围内,Ca~(2 )离子代换Sr~(2 )离子对本征磁性能如居里温度θ_f,比饱和磁化强度σ_s,以及磁晶各向异性场H_A没有明显的影响,因此有可能在不使这两种类型的钙锶铁氧体的磁性能变坏的情况下降低成本。     

求a~(n1)~(n2)·(n1)的个位数的一般方法

在许多关于整数整除性的小册子中都谈到了求形如(?)的个位数的问题,但都只就某一个具体的数来谈它的求法,没有形成一般方法。本文给出这个问题的一般求法,     

关于商高数2n+1,2n(n+1),2n(n+1)+1(Ⅲ)

已知对于商高数2n+1,2n(n+1),2n(n+1)+l,o>0.有下面的一些结果:Ⅰ.除开.(1)n≡0,24,80,104,120,144,200,224(mod240),