Al—Ge共蒸膜晶化过程的计算机模拟

本文对Al—Ge共蒸膜中分形晶化的过程进行了计算机模拟研究。结果表明:分形晶化过程中晶核长大效应明显影响分形体结构。在较高Ge原子百分比共蒸膜中晶化时释放出的较多的晶化潜热以及在较高的退火温度时具有的较高热激活能都促使晶核长大。     

掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)形变超晶格的局域结构.超晶格中的Ge-Ge和Ge-Si第一配位键长分别为RGe-Ge=0.243 nm和RGe-Si=0.238 nm,与晶态Ge(RGe-Ge=0.245 nm)和共价Ge-Si键长RGe-Si=0.240 nm相比,其配位键长缩短了0.002 nm,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲,Ge-Ge配位数为1.8和Ge-Si配位数为2.2显然偏离了理论的配位数Ge-Ge为3和Ge-Si配位数为1.我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释(Ge4/Si4)5超晶格的界面结构.     

Al,Si,P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置为桥位,Ge的吸附改变了石墨烯中C原子的电子自旋性质;Al、Si和P掺杂石墨烯使衬底C原子发生了移动,且Si,P原子掺杂比Al掺杂石墨烯容易;杂质类型对Ge在石墨烯上的吸附位置有较大的影响,...     

9-硅蒽和9-锗蒽与烯烃杂Diels-Alder反应的理论研究

采用密度泛函理论方法在B3LYP/6-311G**水平研究了9-硅蒽和9-锗蒽与烯烃的杂Diels-Alder反应的微观机理、势能剖面,考察取代基对反应势能剖面的影响.计算结果表明,所研究反应均以协同非同步的方式进行,且Si(Ge)—C键总是先于C—C键形成.乙烯分子中C原子上的苯基取代基在热力学上对反应不利,但在动力学上的影响取决于产物中苯基与Si(Ge)原子之间的相对位置.9-硅(锗)蒽分子中Si(Ge)原子上的2,4,6-三甲基苯基取代基在热力学和动力学上均对反应不利.     

GaAs上Ge薄膜的性能研究

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶，在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型，可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。     

锗硅烯与H_2O加成反应的计算研究

采用密度泛函理论方法研究了两种锗硅烯(H2Ge=Si H2及Ph2Ge=Si Ph2)与H2O的加成反应的微观机理和势能剖面,分析了加成反应中区域选择性的起源.计算结果表明,H2O的单聚体、二聚体及三聚体均可作为亲核试剂与锗硅烯发生加成反应.形成Si—O键和Ge—O键的反应均为复杂反应,且Si(Ge)—O键比Ge(Si)—H键优先形成.加成反应的区域选择性由动力学因素决定.H2O作为亲核试剂的反应活性低于CH3OH.     

外来吸附原子对Al_(13)团簇的结构影响

应用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对Al13团簇的原子吸附特性(吸附H、Li、Na、K、B、Al、Ga、C、Si、Ge、N、P、As)进行了系统的研究.研究结果表明:第二周期中的原子,随着原子序号的增加对其结构影响逐步增加,第三和第四周期同一族中的原子对Al13团簇的结构影响相似,特别是它们吸附在洞和桥两位置处的优化结构是相同的.Al13团簇结构本身和吸附原子的成键等性质决定了吸附结构的稳定性.     

锗—邻氯基苯基萤光酮—吐温—60显色反应及其应用

本文研究了 Ge(IV)一O—Cl—PF—Tween—60显色体系。在2.0～7.0N硫酸介质中,络合物的最大吸收在514nm处,ε为1.8l×10~5,锗浓度在0～8.92μg/25ml 范围内符合比耳定律。在 Tween—60存在下,Ge(IV):O—C1一PF=1:4。     

金屬鍺的提純

我們所用的原料系市售工业純的鍺,其中含鍺約99.8%,經光譜分析检驗,其中有Zn,Sb,Si,Al,Mg,Fe,Ca,Cu等杂貭,曾經用二种方法来进行提純——ccl_4吸收法和直接冷凝法。利用后者純度可达到99.9998%的鍺。(注)而前者只达到99.99%左右。这可能是由于ccl_4本身的純度不够所致。直接冷凝法的步骤如下:首先将粗金属鍺溶解在3%H_2O_2,最好是少量多次加入,直至鍺完全溶解,然后将Ge O_2水溶液在水浴上慢慢蒸干,至白色粉末状Ge O_2出现。将Ge O_2放在蒸餾瓶中,加入浓盐酸及一些KMnO_4(30克Ge O_2約加入100毛升浓盐酸)在40—50℃内保持約10分钟,这时可以看到GeO_2溶解,在这种情况下,可将温度慢慢升高至84℃进行蒸餾,蒸餾出来的Gecl_4直接冷凝于充分冷却的接受器中,为了避免GeCl_4揮发的損失,在空的接受器后面还連接有装CCl_4的吸收瓶(如图),温度至90℃时即停     

铝掺杂富勒烯储氢研究:氢分子形成双层结构

利用密度泛函理论对铝(Al)掺杂富勒烯(C_(60))体系的储氢性能进行研究.计算结果显示单个Al原子吸附的最佳位置是在C_(60)表面碳五元环的中心位置,并形成稳定的Al-C_(60)团簇结构.当多个Al原子掺杂C_(60)时,12个Al原子吸附在C_(60)的碳五元环正上方具有最低的吸附能,并形成稳定的Al12-C_(60)团簇结构.当氢气与Al掺杂C_(60)的团簇相互作用时,C_(60)上碳原子的吸附使得氢气吸附在Al原子的侧位比吸附在Al原子的顶位更稳定.当多个氢气分子吸附时,102个氢分子形成稳定的双层结构并吸附在Al12-C_(60)上,体系的储氢质量分数能达到16.44%,其中第一层氢分子主要同两个临近的Al原子以及C_(60)相互作用,第二层氢气分子同近邻的Al原子和第一层氢气分子相互作用.     

非简谐振动对二维系统相变和热容量的影响

本文采用二维Collins模型,以氙元素为例,在考虑4-原子和非简谐振动的情况下,计算了二维系统的热力学函数,讨论了粒子密度、4-原子、非简谐振动对相变点的影响,较定量的研究了非简谐振动对热容量影响的大小.结果与实际三维情形极为相似.     

Electrochemical behavior of aluminum foil in 1-alkyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ionic liquids electrolytes

Aluminum (Al) foil is widely used as a current collector in lithium ion batteries, EDLCs and other electrochemical devices, and its electrochemical behavior in electrolytes has great effect on the cycle performances and safety of the electrochemical devices. In this work, corrosion behavior of Al foil in 1-alkyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate ionic liquids and its electrolytes containing LiTFSI as salt were studied using cyclic voltammogram method. It was found that a passive film was firmly formed on the surface of Al foil after the anodic polarization in BMI-BF_4 compared to those in EMI-BF_4 and PMI-BF_4. In addition, anodic polarization research showed that the passive film on Al surface in BMI-TFSI did not well exist. A good passive film formed on the surface of Al foil in BMI-BF_4 was not broken down until the potential was up to 94.58 V. Moreover, EDX and XPS analysis showed that F and O exist on the Al surface after the anodic polarization in BMI-BF_4, which ind-cated that a passive film like AlF3 and Al2O3 may be formed on its surface.     

粉末冶金Al-10%Ti复合材料的力学和耐磨性能

文章采用“冷压烧结+热挤压”的粉末冶金法制备出Al—10％Ti复合材料,研究了Al—10％Ti复合材料的孔隙率、抗拉强度、伸长率、硬度和耐磨行为。结果表明:与Al相比,Al-10％Ti复合材料的孔隙率较高,抗拉强度和伸长率较低,硬度和耐磨性较高;Al-10％Ti复合材料的磨损体积损失分别是Al的1/22.3及Qsn6.5-0.4的1/14.8,其磨损表面呈Al基体+Ti颗粒+孔隙的耐磨组织。     

Al_2O_3 弥散 Ti(C,N)基金属陶瓷刀具

在Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷中，通过加入Ａｌ２Ｏ３弥散颗粒，使材料的硬度和高温性能都得到提高，从而获得更好的切削耐磨性。研究结果表明：Ａｌ２Ｏ３的引入使Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷的常温强度和韧性有所下降而硬度和高温力学性能得到了改善。切削试验表明：Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）－Ａｌ２Ｏ３系金属陶瓷比硬质合金、Ａｌ２Ｏ３－ＴｉＣ复合陶瓷刀具有更好的切削性能。ＳＥＭ观察表明：在Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）－Ａｌ２Ｏ３金属陶瓷中，Ａｌ２Ｏ３与Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）有相互抑制晶粒生长的作用，使Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷的晶粒更细化     

Al2O3对9YSZ固体电解质烧结及晶粒长大行为的影响

采用化学共沉淀法制备了掺杂Al2O3的9%(摩尔分数)钇稳定氧化锆固体电解质(9YSZ).利用XRD计算了Al2O3掺杂9YSZ的晶格参数,研究了Al2O3在9YSZ中的固溶度,考察了Al2O3掺杂量对9YSZ烧结性能和晶粒长大行为的影响.研究结果表明,当Al2O3掺杂量增加到0.48%(质量分数)时,9YSZ晶格参数从0.514 08 nm降低到0.513 51 nm,继续掺杂Al2O3,则晶格参数不变,说明Al2O3在9YSZ中的固溶度为0.48%(质量分数).掺杂Al2O3能提高9YSZ的烧结性能,促使晶粒长大,使9YSZ更加致密.     

搅拌因素对铸造法颗粒增强铝基复合材料的影响

本文叙述了在用铸造法制造SiC颗粒增强铝基复合材料中,搅拌因素对SiC/Al复合材料湿润性的影响,得出用多层螺旋叶片以较快速度搅拌,可使SiC颗粒熔入铝熔体中,且分布较均匀。     

几种高速钢的氧化脱碳行为

高速钢Ｗ９,Ｍ２,Ｍ２Ａｌ和Ｄ６０６在空气介质中加热时同时产生的氧化层和脱碳层,Ｗ９和Ｄ６０６随时间延长和温度增另脱碳层深度产生峰值;而Ｍ２和Ｍ２Ａｌ未见峰值,分析了产生这些特性的原因并阐述了一些元素对高速钢的氧化和脱碳的影响。     

高能固体推进剂药浆流动性的研究

采用测定浓悬浮体系稳态粘度的方法,研究了固体氧化剂HMX粒度级配和金属燃烧剂铝粉球形化对高能固体推进剂药浆流动性的影响,在固体含量为73％～75％的配方中,保持AP,Al含量及粒度分布不变,随着粗/细HMX比例的增加,体系的表观粘度下降,药浆流动性改善,在保持HMX和AP含量及粒度分布不变的情况下,用球形铝粉代替粒状铝粉,同样起到降低药浆表观粘度的作用,且中位径d_(50)越小越明显.同时观察到加入的燃速催化剂具有催化固化反应进行,使推进剂药浆的表观粘度不断增加的作用.进一步证实所加入的燃速催化剂与固化催化剂之间具有交互作用。     

Al/PTFE活性材料弹丸冲击/爆燃行为数值模拟研究

针对活性材料冲击/爆燃释能行为的定量研究问题,基于AUTODYN软件的二次开发功能,编写了适用于活性材料的状态方程、点火模型及整体反应度计算子程序,实现了对活性材料弹丸在高速侵彻过程中爆燃反应行为的数值模拟.通过对Al/PTFE活性材料弹丸高速碰撞2024铝合金间隔靶板的数值模拟,得到了碰撞过程中活性破片的形貌演化规律,以及粒子反应度、温度、压力等参量随时间的变化曲线,进而实现了对活性材料冲击/爆燃释能行为的定量分析. 结果表明,反应度随时间的变化趋势与试验中活性材料弹丸释能发光的变化趋势一致,温度计算与先前试验结果相符,说明该数值模拟方法可以很好地反映Al/PTFE活性材料弹丸在高速撞击过程中的冲击/爆燃释能过程.      

直流梯度磁场对Al合金热电势的影响

研究了Al合金的热电势在直流梯度磁场中的行为.结果发现:在直流梯度磁场作用下,Al-289%Fe合金熔体的热电势降低;关闭磁场,降低的热电势没有立刻回升,而是在保持一段时间不变后,才缓慢恢复到施加磁场前的初始值.温度越高,热电势增速越快,增量越多,回归速度也越快.这种磁效应,在不同温度、不同成分的Al合金熔体(包括纯Al)中被普遍观察到;而在固态纯Al和Al合金中尚未观察到这种效应.在均匀磁场作用下,液态Al合金的热电势也没有发生变化.根据局域理论,定性地解释了磁场对合金熔体热电势的影响.