高反压硅整流管台面成型工艺的研究

本文对大功率高反压硅整流管台面成型工艺中的斜角形成,台面腐蚀,表面清洁处理和表面钝化的关键技术,以及反向伏安特性进行了分析讨论。     

硅温敏二极管研制

由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表明，Ｖｆ－Ｔ特性曲线线性优良，在恒定电流为５０μＡ下，灵敏度最高的可达２．７０ｍＶ／℃．根据测试结果，对提高灵敏度等特性进行一些讨论．     

硅二极管脉冲中子辐照效应的研究

对加固Ｐ＾＋ｎｎ＾＋高压整流二极管进行了脉冲中子辐照和热中子辐照。ＤＬＴＳ测量表明，脉冲中子辐照（Φｎ＝８．６×１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２）在硅中引入的缺陷主要是双空位Ｅ４和Ｅ２缺陷，氧空位和双空位Ｅ２（Ｖ＾＝２）缺陷强度很低。氧空位密度的降低可归因于辐照缺陷的衰减和再构。脉冲中子辐照引起Ｆｒｅｎｋｅｌ对成份的增加，增加的空位密度致使复杂络合物，例如（Ｏ＋Ｖ２）或（Ｏ＋Ｖ３）缺陷的有效产生。实验结果还     

硅炸药内双爆轰波相互作用的实验研究

利用高速摄影和拉氏量计法对硅炸药内双爆轰波的作用过程进行了研究,获得了爆轰波相互作用过程中波阵面形状变化及流场压力细节。     

二极管反向饱和电流的实验研究

利用直流复射式检流计代替电流表测量电流,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路测量电压,对二极管反向饱和电流的测量与二极管反向饱和电流随温度变化之间的关系进行了实验研究。利用直流复射式检流计提高了测量精度,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路便于控制电压的变化,可以更细微地观察反向电流的变化,从而较准确测得反向饱和电流值。     

硅普通二极管的典型应用

本文较为系统地论述了“一专多能”的硅普通二极管在稳压、保护、温度补偿、钳位、限幅、继电器电路、阻尼、开关、变换器、抑制器等十余种典型应用。     

台面型变容二极管铝帽沿结构的存在及其影响

我们试制的是微合金台面型变容二极管。它是在2.5—3ΩCm/口的N型衬底上采用离子注入磷的方法,使其浓度达到N~ ,再在N~ 上扩硼,然后蒸Al,形成Al—Si合金,光刻Al,然后用化学腐蚀的方法腐蚀出台面,最后溅射SiO_2作台面保护。管的结构如图1所示。     

台面结构硅光电集成微电动机的设计

In order to increase the operation lifetime and expand the range of the velocity measured, development of a mesa structure wobble micromotor with optical-electronic IC was reported.The mesa flange bearing of the micromotor was made of single crystal silicon instead of polysilicon (1.1μm) in the salient flange bearing micromotor.As a result, the mesa flange motor shows superior performance, such as higher strength, smaller frictional coefficient, more difficult worn and solid in structure.A solid axle instead of the hollow-center axle whose thickness was 2μm in the mesa flange micromotor, so that the deformation of axle from wearing and force suffering was eliminated.The lifetime of the micromotor was improved.Moreover, an optical-electrical IC for measuring rotative velocity of the micromotor was integrated in the micromotor, which could also be used as close loop control system or chopper light.Therefore, it is possible to manufacture the proper microelectromechanical systems by this process, which is simple and compatible with IC process.     

高灵敏度宽光谱范围的硅光电二极管的研究

本文利用浅PN结对短波长光的响应比较灵敏,深PN结对长波长光的响应比较灵敏的原理,提出一种壶状PN结的结构形式,以扩大光谱响应范围,提高电流响应.实验收到了预期的效果,而且与理论分析计算结果比较符合.     

二极管双向限幅电路的实验研究

本文研究了二极管双向限幅电路、二极管双向限幅电路中VD2反向的实验电路、二极管双向限幅电路中VD1反向的实验电路和二极管双向限幅电路中VD1、VD2均反向的实验电路四种电路结构,分析了当输入正弦波电压时,上述四种电路的输出波形,并给出实验实测波形,实验结果验证了理论分析。     

硅聚合物非谐振双光子反应的实验

利用非谐振双光子激发方法, 研究硅聚合物的光反应 特性. 结果表明, 硅聚合物的双光子光反应具有与单光子光反应不同的反应特性, 利用双 光子与聚合物的相互作用可方便地得到各种链长的硅聚合物.     

硅磁敏二极管的负阻振荡特性研究

本文描述了重掺杂的2DCM硅磁敏二极管负阻振荡特性,给出了振荡电路所产生的锯齿波的频率范围为373mHz-94.0KHz,且给出了振荡频率随温度和磁场变化规律。利用这些特性制成变容器件或测量温度和磁场的复合传感器,在现代MEMS技术中具有很高的应用前景和学术价值。     

硅光二极管光电检测电路的研究与设计

为了满足对较微弱光信号高精度的检测要求,在详细分析了硅光二极管光电检测电路的线性响应及噪声特性的基础上,提出了对相关器件选型和电路设计形式的基本要求,并以硅光二极管探测器件DET36A及低噪声、高精度运放芯片ICL7650为例设计测试了一种可方便嵌入应用于微弱光环境下的光电检测电路。经过实验测试表明,在0.1～10 Lux低照度弱光照射下,该电路具有较好的低噪声输出特性和良好的线性响应。     

金属硅化物—硅功率肖特基二极管

本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流－电压法和电容－电压法测量分析了TiSi2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi2/N-Si三种肖特基势垒二极管特性，其势垒高度分别为0．61eV、0．66eV0．66eV，理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物－n型硅肖特功率二极管有优异的电学性能。     

紫外敏感硅光伏二极管的光电转换特性的研究

在理论分析的基础上提出了用Ｃ－Ｖ法测量光伏二极管的开路电压Ｖ∝的新方法，通过该器件在有光照的Ｃ－Ｖ曲线与无光照的Ｃ－Ｖ曲线的比较分析，发现了该器件在正、反向偏压下均具有光伏效应，即具有双向光伏效应。     

微封闭真空微电子二极管的实验研究

微封闭真空微电子二极管的实验研究＊刘卫东朱长纯（西安交通大学，７１００４９，西安）对真空微电子器件进行真空封装，是其得以广泛应用的重要先决条件［１］．未密封的真空微电子器件的长期稳定工作及各项性能测试，往往需要庞大的真空系统，这限制了它的广泛应用．目...     

无平面结敏感区硅光二极管

研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在光照下，器件的光电流不为零值。     

测试二极管伏安特性实验电路的研究

指出了测试二极管伏安特性的实验电路存在的问题,提出了改进的电路和实验方法。     

基于硅纳米线缺陷辅助隧穿肖特基二极管研究

介绍了铂（Pt）/p型硅纳米线（p-SiNWs）肖特基二极管的制备方法,在300~370 K温度范围内,测量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特性.根据热发射（TE）、产生-复合（GR）,隧穿（TU）和漏电流（RL）理论模型,拟合了肖特基二极管电流传输机制,拟合结果说明Pt/p-SiNWs肖特基二极管中电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制.此外,根据实验数据计算了肖特基二极管主要特征参数,二极管理想因子n随温度升高而减小,势垒高度Φb0随温度升高而增加,并且隧穿参数E0不随温度而变化.