带电胶体耗尽力的Monte Carlo模拟

用Monte Carl方法模拟了带电胶球系统，采用接受率方法获得该体系的耗尽势，再对耗尽势取数值微分得到耗尽力，通过对耗尽力与库仑力的对比分析，初步建立起在两带电大胶球比较靠近范围内耗尽力仍起明显作用的带电胶球模型。     

热壁外延生长ZnSe薄膜的质量研究

研究了热壁外延法（ＨＷＥ）在经两种不同处理方法的ＧａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ薄膜质量，俄歇电子能谱图（ＡＥＳ）分析表明，经Ｓ纯化的ＧａＡｓ表面大约由一层单原子层所覆盖，从而减少了ＺｎＡｓ／ＧａＡｓ界面态密度，用喇曼光谱的空间相干模型，对不同处理方法的ＧａＡｓ上生长的ＺｎＳｅ处延膜的一级ＬＯ声子喇谱形变化进行分析，定量判断出ＺｎＳｅ外延膜质量的优劣，分析认为，经Ｓ纯化ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ具有较好的质量     

Mg~(2+)水溶液溶剂化的Monte Carlo模拟

作者在298K,使用了最小象变换周期边界条件,进行了在最小象元中包含100个水分子的 Mg~(2+)水化 Monte Carlo 模拟.能量计算采用两体近似,对 H_2-H_2O,Mg~(2+)-H_2O 相互作用,分别使用 CF 模型和由 Dietz 等人导出的作用势解析式,还考查了径向分布函数 RDF(R)以及连续积分配位数 n(R),清楚地得出第一水化层由6个水分子构成.     

基于Al-B4C中子吸收材料的Monte Carlo模拟

【目的】探究Al-B4C复合材料的中子吸收性能。【方法】建立中子入射模型,采用Monte Carlo方法,运用MCNP5程序模拟碳化硼含量10%～30%、中子能量0.1～2.0 MeV、材料厚度1～3 cm等参数对Al-B4C复合材料的中子吸收性能的影响。【结果】模拟结果表明,碳化硼含量与中子透射系数基本上呈一次线性下降的关系,且下降趋势逐渐减小。随着材料厚度的增加,材料厚度与中子透射系数呈指数下降关系,下降幅度随着厚度的增加逐渐减弱,中子透射系数随着中子能量的变化呈现起伏趋势,并出现“反转”现象。【结论】由此得出Al-B4C复合材料的中子吸收性能受到碳化硼含量、材料厚度、中子能量的影响。     

Si衬底上金刚石薄膜的成核和生长机理

以酒精为碳源,用热丝CVD法,对不同表面状况的Si衬底作金刚石沉积比较.讨论了薄膜的成核、生长机制,认为CH_2是成核的主要气相种类,H原子直接参与了成核和生长,它们在薄膜沉积中起了极为重要的作用.解释了毛糙表面的Si衬底上金刚石易成核的现象.     

常见柔性基底薄膜性能探讨

<正>柔性基底薄膜是指能够卷绕的,作为镀膜基底材料使用的薄膜。通常使用的柔性基底薄膜均为塑料薄膜,包括聚乙烯醇(PVA)薄膜、聚酰亚胺(PD)薄膜、聚酯(PET)薄膜等。柔性基底薄膜是多种重要功能薄膜,如增透膜、隔热膜、导电     

Ising模型相图的Monte—Carlo模拟

应用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟出铁磁系统平方和立方点阵的Ｉｓｉｎｇ模型的相图，根据有限尺寸的标准理论得到相变温度。     

ZnO薄膜发光特性的研究

为了研究全色显示中的蓝光问题,用电子束蒸发的方法生长了ZnO薄膜,不同温度对ZnO膜进行退火处理结果表明:退火对电致发光的影响比对光致发光更明显,O2气氛中高温退火样品的发光强度不如低温退火样品,合适的退火温度和退火气氛可以改善ZnO膜薄的结晶状态,使电致发光显著蓝移。     

膜厚对薄膜干涉的影响

分析了薄膜干涉中膜厚对干涉现象的影响 ,并对一些有争议的薄膜干涉问题提出了自己的观点     

光程的概念与薄膜干涉中光程差的表示方法

给出了光程定义的数学表达式,提出了"几何光程"和"物理光程"的概念,同时在光程及光程差的表达式中引入"半波损失选择项".采用这样的表述方式,使学生在讨论薄膜干涉时,思路清晰明了,结果(即得到的公式)适合任意情况.     

锐钛矿纳米晶粒TiO2薄膜的制备及分析

以金属钛为靶材,采用射频磁控溅射方法制备纳米晶粒TiO2薄膜.利用扫描电镜、紫外-可见光谱仪、X射线衍射仪研究不同热处理温度下制备的纳米晶粒TiO2薄膜的结构及表面形貌.实验结果显示,用射频磁控溅射得到的纳米晶粒TiO2薄膜与衬底结合紧密,薄膜表面致密、平整,经550℃晶化的纳米晶粒TiO2薄膜为均一的锐钛矿相,具有良好的紫外光吸收率.     

不同复合方式的铁电薄膜极化性质研究

为了优化人工复合铁电薄膜的性能,建立三种材料复合而成的新型铁电薄膜的理论模型,采用Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)唯象理论,三种组元间采取不同的复合方式,同时引入一个分布函数来描述它们之间过渡层的性质,在不同的复合方式下,重点对复合铁电薄膜的极化性质展开了研究。研究表明复合方式的变化引起了薄膜内部极化强度分布的显著变化,该复合薄膜的平均极化强度随温度的变化与体材料的相应关系有显著区别。随着温度的逐渐升高,在未达薄膜相变温度前,平均极化强度出现了一处突降,这一性质在复合铁电薄膜热释电性质及其器件的应用上有十分重要的意义。     

电沉积纳米异质结构生长机制的分析

电沉积法制备具有金属和半导体特性的微米到纳米量级的有序结构,是当今纳米研究领域的热点之一.由于生长前沿沉积电势的分布直接影响着纳米异质结构的形貌,所以推导生长前沿沉积电势分布的情况就尤为重要.利用数学手段推导了准二维电沉积纳米异质结构沉积电势分布的解析表达式,合理地解释了准二维纳米结构生长的形貌,为理论分析奠定了基础.     

氧氛围下PLD法沉积纳米金刚石薄膜

用固体脉冲激光 (Nd∶YAG)烧蚀石墨靶在镜面αAl2 O3(0 0 0 1)上沉积纳米金刚石薄膜 .用Raman谱、XRD衍射谱和SEM分别对薄膜的成键情况和表面形貌进行了分析 .结果表明 :显微Raman谱出现三个峰包 :115 0cm- 1 、13 5 0cm- 1 、15 80cm- 1 ,分别对应着纳米金刚石特征峰、石墨的D峰和G峰 ;XRD衍射谱在 41.42°出现金刚石的 (10 0 )衍射峰 .实验结果表明 ,影响薄膜生长的关键参数主要是氧气压的大小和衬底的温度 .在氧气压为 6Pa和衬底温度为 5 5 0℃时 ,制备的薄膜质量较好 .对用PLD法在氧气氛围下生长的金刚石薄膜的生长机理进行了分析     

应用人工网络对化学传感器CaxPb1-xTiO3薄膜的晶格畸变进行评估

利用人工神经网络对化学传感器的晶格畸变进行了深入研究.实验结果表明:传感原件钙掺杂钛酸铅薄膜材料随合成参数的变化而呈现不同的晶格畸变度,该参数通过X射线粉末衍射精细结构确定,并作为人工神经网络的输出变量;合成参数作为输入变量,以MatlabTM作为操作平台,利用三层识别方法对传感元件的纳米结构进行评估与预测.实验结果与...     

工业CT阵列探测器串扰率的蒙卡模拟

阵列探测器的串扰率对工业CT系统图像重建有重要影响,通过构建W金属隔板的X射线阵列探测器的物理模型,用蒙特卡罗法模拟了阵列探测的串扰率.结果表明:在X射线能量分别为60keV、100keV、140keV时,W金属隔板能有效降低串扰率.结合MTF函数分析,得出射线能量小于140keV的最佳W金属隔板的厚度为0.3mm.     

用变分Monte Carlo方法直接计算相关能

本文对变分ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法处理分子提出了一个新的算法；与传统算法不同，它直接计算体系的相关能而不是体系总能量的期望值。实例计算表明，本文提出的这个变分ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ新算法对于小分子能得到大约８１％～９９％的相关能。本文还提出了一种新的试探函数，给出了一种新的随机数子程序的编法。