NaF晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＮａＦ能带结构，与实验数据及其它理论计算结果进行了比较，定性解释了中性基态Ｎａ原子的低能ＥＳＤ实验结果。     

EHMO方法对CaF2晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法结合特殊Ｋ点方案，采用自包容子程序，计算了离子晶体ＣａＦ２的能带结构，得出了价带位置和能隙宽度。能级结构计算结果表明，能级Г１２位于Г＇之下，一些能级的位置被排斥上移，导带的最小点在Г１，而不是像其他半经验方法计算的那样在Ｘ３。采用的方案计算简便，大大节省了计算时间，所得结果较好地解释了实验光谱数据。     

NaCl晶体的能带结构

利用扩展休克尔方法,计算了ＮａＣｌ晶体的能带结构,得出了价带位置和能隙宽度,导带的最小点在Γ１．该方案计算简便,大大节省了计算时间,与实验数据及其它理论计算结果比较表明,所得结果与实验数据符合较好．     

AgBr晶体的能带结构

计算了ＡｇＢｒ晶体的能带结构，得出了带隙和价带宽度，表明ＡｇＢｒ晶体为非直接带隙物质。     

AgF晶体的能带结构

计算ＡｇＦ晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度．结果表明ＡｇＦ晶体为非直接带隙物质     

NaBr晶体的能带结构

利用扩展休克尔方法,计算了ＮａＢｒ晶体的能带结构。得出了价带位置和能隙宽度,导带的最小点在Г１。该方案计算简便,大大节省了计算时间,与实验数据及其它理论计算结果比较表明,所得结果与实验数据符合较好。     

高分子链的分子轨道计算 聚腈能带结构

本文是用以晶体周期性边界条件简化LCAO—MO方法计算聚腈分子的能带结构。计算结果表明能级E(k)是波矢量k的多值函数。禁带宽度Eg=/α_C-α_N/计算证明聚腈具有半导体性能。     

扩展休克尔理论对碱卤化物电子结构的研究

扩展休克尔方法结合特殊点方案利用自包容子程序，我们表示了一个简单计算方法，把扩展休克尔理论应用到离子晶体。定性解释了中性基态Ｎａ，Ｋ原子的低能ＥＳＤ实验的结果。     

卤化银晶体能带结构的研究

利用扩展休克尔方法,结合自包容子程序,计算了卤化银晶体的能带结构,得出了带隙和价带宽度。结果表明三种晶体皆为非直接带隙物质。     

晶体的对称性和电子的能带结构

此文深入分析了晶体的对称性，由晶体的对称性不仅得到布洛赫函数的一般性质，也可同时得到能量的一般性质。     

一种新型二维像素型光子晶体的能带结构

运用快速平面波展开法计算了一种新型二维正方结构像素型光子晶体的能带结构,通过参数优化,在低频区,该光子晶体具有最大绝对禁带宽度Δω为0 0522ωe,(ωe=2πc/a,a为晶格常数,c为光速),中心频率ωmid为0 7184ωe,Δω/ωmid=7 266%.     

能带结构与方势阱参数的关系

要了解无缺陷立方晶体材料能带结构的主要特征,可将电子在晶体中的运动简化成单电子在一维周期方势阱中的运动.依据能量本征方程,导出周期势场能带结构超越代数方程,编程求解能带方程,发现周期势场参数(势阱宽度和深度、势垒宽度)对周期方势阱中电子运动能带结构(允许能带总数、每个能带宽度)的影响.     

过渡金属酞菁化合物的能带结构研究

用EHMO/ CO方法对过渡金属酞菁化合物的能带结构进行了研究.结果表明:不同金属原子的酞菁的能带结构不同.钛、钒、铬酞菁的能带结构与酞菁的能带结构相似,而锰、铁、钴、镍、铜酞菁的能带结构与酞菁的能带结构明显不同,金属酞菁化合物的带隙变窄;酞菁环中心的不同过渡金属离子,在不同K点的分子轨道对称性不同;不同金属原子的酞菁环的层间距不同,其导电性不同.层间距越小,带宽越大,导电性能越强.     

分子导体(PyH)[M(dmit)2]2(M=Pd,Ni)的晶体结构与能带结构

在配合物型分子导体(PyH)[Pd(dmit)2]2和(PyH)[Ni(dmit)2]2中,阴离子导电组元[M(dmit)2]^0．5-(M=Pd,Ni)的面对面堆积和肩并肩排列形成二维层状结构．采用推广休克尔紧束缚方法计算了二维导电层中相邻两阴离子的HOMO轨道的重叠积分,并进行了二维能带计算．计算结果表明它们是窄能隙半导体。与晶样的变温电导测试的结果一致.     

二维光子晶体结构和缺陷对光子禁带的影响

利用时域有限差分法研究了二维光子晶体的光子禁带特性。通过改变二维光子晶体的结构、介电常数配比及缺陷时,得到了相应的数值模拟结果,并作出了分析。这些结果对于设计光子晶体器件有着指导作用。     

基于能量和频带方差结合的语音端点检测方法

语音端点检测是语音识别中非常重要的部分,识别率高低很大程度上取决于端点检测的精确程度。在高信噪比(signal-noise ratio,SNR)的实验室环境下,端点检测有很好的效果;但比如像工厂和市场等低SNR环境下,传统的检测方法性能迅速降低,端点检测无法达到预期效果。针对低SNR语音的端点检测,先通过谱减法对带噪语音进行降噪,再分别求出每帧语音信号的能量与频带方差的乘积,将乘积值作为参数进行双门限端点检测的思路,提出了一种能量和频带方差结合的端点检测方法。将TIMIT数据集中语音叠加高斯随机噪声、NOISEX 92噪声库中的factory噪声和volvo噪声进行实验。结果表明,当SNR在-10 d B时,仍有较好的检测效果,显著提高了语音端点检测的效果。     

PPV及OCH_3基和CN基取代PPV衍生物能带的量子化学研究

本文利用量子化学ＥＨＭＯ／ＣＯ方法对本征态ＰＰＶ及带ＯＣＨ３和带ＣＮ基ＰＰＶ衍生物的能带进行了系统的计算,得出了这些高分子本征态导电性的变化规律     

一维光子晶体禁带的特点及增宽

用光学导纳特征矩阵方法研究了光波在一维光子晶体中的传播，分析了光子禁带的特点及其一维光子晶体结构的关系，指出了增宽光子禁带的几种可行的方法。