薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．     

包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型

高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.为有效表征这一特性,使用标准器件建立子电路模型,通过合适的器件选择和参数设置来模拟负阻效应.同时,根据不同沟道区域的饱和原理,采用不同的模型与参数进行模拟,使子电路适用于不同栅压和漏压.子电路具有精确的模拟性能,在电路模拟中,可以作为一个黑匣子直接调用,克服传统BSIM3模型模拟上的不足.     

有机反转电致发光器件的负阻特性

对结构为Si/Al/Alqs/PVK:TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明:高电压注入时,器件内形成了高浓度的等离子体;载流子寿命和迁移率随注入电压变化;特别是体内出现了严重的电导调制效应使得器件由高阻区变为低阻区,这些是形成负阻特性的主要原因.通过引入双极迁移率和双极扩散系数将空穴和电子的电流连续性方程联合起来,解释了具有负阻区段的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.     

PLBT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器

首次报道了 PL BT硅光电负阻器件及光控正弦波振荡器的初步研究结果 ,介绍了硅光电负阻器件 (PL BT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器进行了实验研究     

静电感应晶闸管（SITH）的研究

从应用角度出发，测量分析了国产静电感应晶闸管(SITH)的主要电参数，特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。测试表明SITH器件达到较好的应用水平。并且与其它电力电子器件比较，讨论了该器件的特点。     

基于共振隧穿结构的压力传感器稳定性研究

基于共振隧穿结构的压力传感器的优点是灵敏度高且可调,但是稳定性不好,分析了影响振荡稳定性的原因,提出调整I-V特性曲线负阻区宽度及斜率的方法以提高器件的稳定性.利用共振隧穿结构在负阻区域的滞后(Hysteresis)和平台效应(Plateau-like),通过改变结构参数,如量子阱宽度、掺杂浓度等,加宽负阻区域,减小斜率,达到提高器件稳定性的目的.     

负阻效应的原理与应用

在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念,对负阻效应产生方式和原理进行了论述。NIC(Negative Impedance Converter)是一种广泛运用于设计的负阻抗器件,提出了两种构成NIC的方式,给出了利用NIC来实现阻抗变换的设计原理和方法。运用由运算放大器构成的NIC对现有的LC阻尼振荡实验进行了改进,并给出了具体的电路,使实验结果更接近理论分析结果,还可使观察到的实验现象更加多样化。对负阻效应在几种实际电子线路中的应用进行了研究和总结。     

双向S型负阻器件的二维计算机数值模拟

介绍了一种对双向Ｓ型负阻器件进行二维数值模拟的方法，并胜此方法模拟得出器件的Ｉ－Ｖ曲线及截止状态和导通状态下器件内部电位、电子空穴浓度分布和电流密度分布，由此可以更清楚地了解器件的工作机理。     

频变负阻模拟有源滤波器的设计

本文采用结构简单的单运放元件阻抗模拟器设计频变负阻模拟有源滤波器,引出“带耗2阶容抗”概念.用带耗2阶容抗实现有源滤波器时,损耗对滤波器特性影响严重.本文提出采用阻抗标定法引进一个设计参数,适当选择参数可降低损耗影响.通过实例说明频变负阻模拟有源滤波器的设计过程和实验结果.此方法也适用于其它滤波器的设计.     

ITO电极方阻对有机太阳能电池性能的影响

研究了氧化铟锡(ITO)电极方阻对有机太阳能电池性能的影响.通过分析采用不同方阻的ITO作为阳极的有机太阳能电池电阻特性和光学特性,探讨了影响器件性能的原因.ITO电极方阻影响器件的串联电阻和并联电阻,从而对器件的短路电流和功率转换效率有显著影响.不同ITO玻璃的透过率以及电磁场在电池器件内部的分布表明,ITO玻璃的光学特性差异不大,对器件性能影响较小.器件效率的差别主要是由于不同ITO方阻对器件电阻特性的影响导致.     

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体(metal insulator semiconductor,MIS)结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体（metal insulator semiconductor,MIS）结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究

肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂.采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性.结果表明:在MPS阳极区(p 区)注入空穴的作用和肖特基势垒与p-n结势垒双重作用下,器件的电势将主要降低在肖特基结上;形成的电导调制区在饱和时变化很小,整个器件内电阻为准常数.     

新型覆炭催化剂载体的研制

建立了一套制备新型催化剂载体的装置，使用该装置成功地制备了覆炭Ａｌ＿２Ｏ＿３载体，探索了反应时间、反应温度等操作条件对载体覆炭量的影响，考察了覆炭载体的抗结焦性能．结果表明，其抗结焦性能优于Ａｌ＿２Ｏ＿３载体．     

负反馈放大电路方框图分析的仿真与讨论

采用方框图分析法,以引入电压并联负反馈的直接耦合差分——共射放大电路为例,讨论了反馈网络的变化对基本放大器和反馈放大器的影响.仿真分析表明:反馈电阻减小,反馈系数和环路放大倍数提高,对放大电路工作性能的影响增大,验证了负反馈放大电路中的一些基本结论,说明了仿真分析在负反馈放大电路方框图法中的应用.     

All-optical wavelength converter using a microdisk resonator integrated with p-n junctions

We explore all-optical wavelength conversion in a microdisk resonator integrated with interleaved p-n junctions. Numerical simulation based on temporal coupled mode theory is performed to study the free-carrier dynamics inside the cavity. It reveals that the detuning of pump and probe frequencies and the carrier lifetime have a significant effect on the device performance. Experimental result confirms that the conversion speed can be considerably improved by applying a reverse bias on the p-n junctions. Wavelength conversion at 10 Gb/s data rate is achieved with a pump power of 5.41 dBm and a bias voltage of -6 V.     

一种新型PNP晶体管的数值分析

从基本半导体方程出发，用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布，载流子浓度分布和输出特性．晶体管的有效基区宽度约为50nm．证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制，它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似．这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件．     

一种基于迭代的频偏估计算法

针对无线数字通信中的载波频率同步问题,提出一种载波频偏估计算法。利用离散傅里叶变换(DFT)内插技术,通过迭代算法,在较大频偏范围内估计出载波频偏。并且在估计精度上相对于DFT法有了很大的提高。这种算法不需要增加DFT数据长度,适合突发工作方式。最后进行了Monte Carlo仿真实验。仿真结果表明新算法不仅具有宽的估计范围,还具有高的估计精度。     

巨正则法对硅半导体中载流子数的计算机模拟

将巨正则系综的Fermi-Dirac(F-D)统计法与计算机模拟相结合,从本征半导体硅出发,探讨温度和光照能量对载流子数的影响,试图从理论上定量分析太阳能电池工作状况,对本征硅半导体中载流子数进行计算机模拟,模拟结果与理论规律基本吻合,此方法可为进一步研究掺杂半导体及氧化物半导体空间电荷层载流子数提供参考。