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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 234 毫秒
1.
为了研究用阳极氧化法生产可膨化石墨,文中讨论了用硫酸溶液阳极氧化法制备H2SO4石墨层间化合物(GIC)时,可能发生的阴、阳极反应以及它们对氧化过程的影响。在不同条件下,测绘出阳极电位与通电量关系曲线,曲线表明随着通电量加大阳极反应类型改变并且阳极电位升高,大电量情况下有氧气析出。用红外光谱分析了氧化产物结构。实验表明该氧化物包含了醚键和羟基等结构单元。氧化物在高温下完全分解。  相似文献   

2.
对新型石墨层间化合物材料(NH4NO3-GICs)进行了电化学阳极氧化法合成研究,并对其微观形貌、结构等方面进行了研究。  相似文献   

3.
用溶出伏安法研究硫酸石墨层间化合物H2SO4中的慢扫描溶出行为,发现随着中间富集过程的变化其溶出结果呈规律性变化,特别是在18mol/LH2SO4中,低电位分段富集时,其溶出峰较同电位一次富集的溶出峰要宽和广,这个发现将导致生产出低残余化合物含量的柔性石墨密封材料。  相似文献   

4.
本文通过低压MOCVD方法,采用改进的两步法工艺,即基片表面的高温处理一生长过渡层-退火-外延生长-退火工艺,在向[011]方向偏3°的Si(100)衬底上生长了GaAs膜,并对外延膜进行了X射线衍射,喇曼散射和光致发光分析.发现X射线衍射曲线光滑尖锐,无杂峰,(400)峰的摇摆曲线很锐,喇曼散射谱中TO峰与LO峰的强度比lTO/lLO很小,光致发光谱的半峰宽只有12.4meV,说明在Si上异质外延的GaAs单晶膜具有相当好的质量.  相似文献   

5.
为了提高膨胀石墨和TiO2在污染领域的处理能力,提出了复合材料的制备方法.以硫酸为插层剂、双氧水为氧化剂,采用化学氧化法制备膨胀石墨,高温膨化得到低硫膨胀石墨,然后采用醇热法进一步制备了TiO2/膨胀石墨复合材料.采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对样品进行表征.以汽油为样品油,研究膨胀石墨及TiO2/膨胀石墨对汽油吸附性能.结果表明:TiO2成功负载于膨胀石墨的边缘和内壁,平均粒径为100 nm,形貌为球形.膨胀石墨对汽油的最大吸附量为40 g/g,复合材料对汽油的吸附量随着TiO2含量的增加而逐步降低.  相似文献   

6.
高温热处理PAN基CF时硼的促进石墨化作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了热处理温度,H3BO3溶液质量浓度和CF在H3BO3溶液中的浸泡时间等因素对PAN基CF力学性能和电学性能的影响。并通过考察加和未添加H2BO3的CF分别经高温石墨化热处理后在结构和性能上的差异,对硼在PAN基CF高温热处理时的促进石墨化作用进行了初步探讨。  相似文献   

7.
用不同的氧化剂对碳毡进行处理,发现经KMnO4处理的碳毡电极对氧还原的催化活性最好,并用电化学方法得到了碳毡的真实面积为其表观面积的266倍.用混合液相法成功地合成了SbCl5-石墨层间化合物,发现Sb-Cl5-石墨层间化合物可以膨化,且膨化倍数明显地高于H2SO4-石墨层间化合物.膨化石墨对氧还原的催化作用和石墨是一致的.  相似文献   

8.
文中首次报道亚洲玉米螟Ostriniafurnacalis(Guenée)(Lepidoptera;Pyralidae)胚胎发育的研究结果。记述了卵的形态结构与成熟分裂,受精卵的卵裂,囊胚层、胚带及胎膜的形成  相似文献   

9.
根据X射线粉末衍射谱图,对经不同方式处理的石墨的结构进行分析,用对比方法比较了它们衍射谱图中衍射峰位置和强度的差异.分析其原因,进而判断它们的结构特征.结果表明可以利用适当的方法使一些非碳反应物插入石墨层间.从而制成石墨层问化合物(GIC).改善其性能,扩大其应用领域.  相似文献   

10.
石墨—五氯化锑层间化合物的结构和电导率研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文通过透射电镜研究了石墨—SbCl5层间化合物(简称SbCl5—GIC)的结构,由相对强度和级数的关系提出了堆垛模式。从 SbCl5-GIC的电子衍射花样得出: SbCl5以六方结构的α和β相以及外延生长的γ-相形式层间到碳层层面之间,其中aα=aβ=15. 15A,aγ=17.22A;aγ与 ac一致,而 aα和aβ相对ac转动±16°。 衍射斑点强度表明γ-相在一级SbCl5-GIC中含量最高,而在二级和三级中含量相近,而二级的电导率最高。γ-相是影响电导率提高的主要因素,γ-相含量越高,则它的电导率越低。  相似文献   

11.
研究了石墨与硅之比对石墨铝硅复合材料综合性能的影响.解决了石墨颗粒直接加入铝硅熔体中的难点,并基本解决了石墨加入的均匀性问题.研究表明:石墨与硅生成一定量的SiC,对提高石墨铝硅的高温抗拉强度十分有利;石墨与铝生成Al4C3有利于石墨在铝硅熔体中的均匀分布;生成Al4C3的量不宜过多,不能给石墨与硅生成碳化硅的比例带来影响.否则,会引起材料的性能下降  相似文献   

12.
一种纳米复合材料--石墨层间化合物的结构与合成   总被引:9,自引:0,他引:9  
对一种特殊的纳米复合材料--石墨层间化合物(简称GIC)进行了研究,探讨了GIC纳米结构的表征、合成以及应用.研究中发现采用X射线衍射法和Raman散射法可以表征GIC纳米复合材料的阶结构并进行特征周期层间距(Ic)的计算;控制电化学插层反应的参数可以合成特定结构的GIC纳米复合材料;利用交流阻抗法分析得到电化学插层反应是一个电荷在电解液中迁移、在石墨/溶液界面处吸附以及在石墨层间扩散的过程.  相似文献   

13.
概述了石墨嵌入化合物的各种制备方法及各自的物理、化学特性,结合该化合物独特的性能,指出了它们的应用前景及将来研究应着重解决的问题。  相似文献   

14.
石墨层间化合物的合成及其结构研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
石墨层间化合物是一种重要的化合物,它不仅保留了石墨原有的优良特性,还被激发出一些优异的物化性能.本文以天然石墨、可膨胀石墨为原料分别合成了膨胀石墨及氧化石墨,并利用X射线衍射、红外光谱及热分析等手段对其进行结构研究.  相似文献   

15.
The lattice constants of diamond and graphite at high pressure and high temperature (HPHT) were calculated on the basis of linear expansion coefficient and elastic constant. According to the empirical electron theory of solids and molecules (EET), the valence electron structures (VESs) of diamond, graphite crystal and their common planes were calculated. The relationship between diamond and graphite structure was analyzed based on the boundary condition of the improved Thomas-Fermi-Dirac theory by Cheng (TFDC). It was found that the electron densities of common planes in graphite were not continuous with those of planes in diamond at the first order of approximation. The results show that during the course of diamond single crystal growth at HPHT with metal catalyst, the carbon sources forming diamond structure do not come from the graphite structure directly. The diamond growth mechanism was discussed from the viewpoint of valence electron structure.  相似文献   

16.
石墨具有高温隔热的特性,电阻率是其中的一项重要指标。从检测方法的确定、检测装置的改进及检测方法的验证等方面,探讨了一种无损检测石墨电阻率的方法,以期实现对整体石墨比电阻的测试方法及测试设备的确认。  相似文献   

17.
采用熔铸法制备了石墨-铝硅复合材料。金相显微镜测试结果表明,用这种方法能将裸体石墨均匀地分布到铝-硅合金中;性能测试结果表明,石墨-铝硅复合材料的常温抗拉强度略低于铝硅合金基材,但高温抗拉强度高于基材;热膨胀系数、磨损量都小于基体材料。通过研究还发现,GMC-3复合材料在300℃时的强度高于在200℃时的强度,并具有较高的延伸率,是制造内燃机活塞的较理想材料。  相似文献   

18.
国内现行电碳石黑生产工艺,由于石墨单体解离度不高,几乎全部采用浮选精矿多磨多选的方法。本文通过对浮选精矿单体解离特性的研究,发现造成精矿品位低的根本原因是机械夹杂,而不是连生体的存在  相似文献   

19.
吴苏佳 《山东科学》1990,3(1):12-19
本文介绍了贝氏体球铁曲轴材料的研究情况,结果表明:贝氏体球铁曲轴疲劳强度高,耐磨性好,热处理工艺简便易行,易于推广。  相似文献   

20.
微细石墨粉表面镀覆Cu的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用化学镀Cu和电镀的方法,对微细石墨粉表面镀覆Cu层进行了研究,并扫描电镜(SEM)和金相显微镜直接观察了Cu镀层的外貌,结果表明,在石墨粉表面可以直接化学镀覆金属含量达到30-98%,完整、均匀、致室的Cu镀层。  相似文献   

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